Sıfıra Yakın Termal Kayma 1000 pF MOS Kapasitör Yonga Test Edilmiş KGD Tek Katmanlı Yüksek Sıcaklık RF Çipi

HACC102S80V750KGD - Sıfıra Yakın Termal Sürüklenme 1000 pF MOS Kapasitör, 80V, Wafer Problu KGD Tek Katmanlı Çip

Kısaca: HACC102S80V750KGD, 1000 pF ±10% 80V DC değerinde, sıfıra yakın termal sürüklenmeli COG/NPO dielektrikli, tel bağlanabilir tek katmanlı bir MOS kapasitördür. Her çip %100 wafer probludur ve yüksek sıcaklık RF, telekom ve endüstriyel devrelerde yüksek montaj verimliliği için Bilinen İyi Çip (KGD) olarak gönderilir.

Ana Performans Avantajları

1. Sıfıra Yakın Termal Sürüklenme ve Yüksek Sıcaklık Katsayıları

• Sınıf I COG/NPO dielektrik, -55°C ila +125°C arasında 0 ±30 ppm/°C TCC ile tam aralıkta ±0.3%'ün altında kapasitans değişimi sağlar
• Sıfıra yakın DC bias katsayısı (<10 ppm/V), bias altındaki eşleştirme ağlarının ayarının bozulmasını önler
• Sıfır yaşlanma, bu nedenle kapasitans ürün ömrü boyunca stabil kalır
• Yüksek sıcaklıklarda çalışan VCO tankları, bias tee'leri ve hassas filtreler için uygundur

2. %100 Wafer Problu ve KGD (Bilinen İyi Çip) Kalitesi

• Her çip, kesimden önce kapasitans, kaçak ve kırılma için wafer seviyesinde elektriksel olarak problanır
• Hibrit, MCM ve çip üzerine kart yapılarında maksimum verimlilik için Bilinen İyi Çip olarak tedarik edilir
• Dielektrik dayanım voltajı >200V (>2.5× derecelendirilmiş), %100 üretim testinden geçirilmiş
• Ultra düşük kaçak: 80V DC bias altında 25°C'de <10 nA ve 125°C'de <100 nA
• Tel bağlanabilir TaN/TiW/Ni/Au üst metalizasyonu (≥2.5 µm Au) ve evrensel çip yapıştırma için TiW-Pt-Au arka yüzeyi
• Üretim partisi başına lot izlenebilirliği ve S-parametre verileri sağlanır

Tipik Özellikler

Uygulamalar

• Yüksek sıcaklık RF ve mikrodalga devreleri
• Güç amplifikatörü bias ağı ayırma
• Hassas filtreler ve VCO tank devreleri
• Telekom, endüstriyel ve enstrümantasyon modülleri