고온 RF용 Near-Zero Thermal Drift 1000 pF MOS 커패시터 웨이퍼 프로브 KGD 단일 레이어 칩

HACC102S80V750KGD - 거의 제로 열 유동 1000 pF MOS 콘덴시터, 80V, 웨이퍼 탐사 KGD 단일 계층 칩

요약하자면HACC102S80V750KGD는 80V DC에서 1000pF ±10%로 지정된 와이어 결합 가능한 단일 계층 MOS 콘덴시터이며, 거의 0의 열 유동 COG/NPO 다이 일렉트릭입니다.모든 다이는 100% 웨이퍼 탐사 및 높은 온도 RF에서 높은 조립 양을 위해 잘 알려진 좋은 다이 (KGD) 로 배송됩니다., 통신 및 산업 회로.

주요 성능 장점

1. 거의 0 온도 변동 & 높은 온도 계수

• -55°C에서 +125°C까지의 TCC가 0 ±30ppm/°C인 I급 COG/NPO 다이엘렉트릭, 전체 범위에서 용량 변동이 ±0.3% 미만
• 거의 0의 DC 편향 계수 (<10 ppm/V), 편향 아래 일치 네트워크의 해조를 방지
• 노화가 없으므로 용량은 제품 수명 내내 안정적으로 유지됩니다.
• 높은 온도에서 작동하는 VCO 탱크, bias tee 및 정밀 필터에 적합합니다.

2. 100% 웨이퍼 검증 & KGD (알려진 좋은 다이) 품질

• 각 다이는 다이하기 전에 용량, 누출 및 파손을 위해 웨이퍼 수준에서 전기적으로 탐구
• 하이브리드, MCM 및 칩 온 보드 빌드에서 최대 출력을 위해 잘 알려진 좋은 다이로 공급됩니다.
• 다이렉트릭 저항 전압 > 200V (> 2.5 × 등급), 100% 생산 테스트
• 극저 누출: <10 nA @ 25°C 및 <100 nA @ 125°C 전 전속 80V DC 편향에서
• 유니버설 도어 애착용으로 와이어 결합 가능한 TaN/TiW/Ni/Au 상단 금속화 (≥2.5μm Au) 및 TiW-Pt-Au 뒷면
• 생산 롯별로 제공된 롯 추적성 및 S 파라미터 데이터

전형적인 사양

신청서

• 고온 RF 및 마이크로파 회로
• 전력 증폭기 편향 네트워크 분리
• 정밀 필터 및 VCO 탱크 회로
• 전기통신, 산업 및 기기 모듈