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Nahezu Null thermische Drift 1000 pF MOS-Kondensator Wafer-getesteter KGD-Einzelschicht-Chip für Hochtemperatur-HF

Name: Nahezu Null thermische Drift 1000 pF MOS-Kondensator Wafer-getesteter KGD-Einzelschicht-Chip für Hochtemperatur-HF
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC102S80V750KGD
Price: Verhandelbar USD
Availability: InStock

Markenname:	Hoan
Modellnummer:	HACC102S80V750KGD
Mindestbestellmenge:	10 Stück
Zahlungsbedingungen:	T/T,L/C,D/A,D/P

Detailinformationen

Produkt-Beschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

Shaanxi, China

Zertifizierung:

ISO 9001:2015

Feuchtigkeits-Empfindlichkeit:

MSL 1 (Unbegrenzte Bodenlebensdauer gemäß J-STD-020)

Testabdeckung auf Wafer-Ebene:

100 % Kapazität, Leckage und Durchschlag auf dem Wafer geprüft

Qualitätsnote:

KGD (Known Good Die), 100 % Wafer geprüft und gescreent

Anwendungen:

Hochtemperatur-HF, Leistungsverstärker-Bias-Netzwerke, Telekommunikations- und Industriemodule

Hervorheben:

1000 pF MOS-Kondensator

Nahezu Null thermische Drift MOS-Kondensator

Hochtemperatur-HF-MOS-Kondensator

Produkt-Beschreibung

HACC102S80V750KGD - Nahezu Null thermische Drift 1000 pF MOS-Kondensator, 80V, Wafer-getestete KGD Einzelschicht-Chip

Kurz gesagt: Der HACC102S80V750KGD ist ein drahtbondfähiger Einzelschicht-MOS-Kondensator mit einer Nennleistung von 1000 pF ±10% bei 80V DC mit einem nahezu thermisch driftenden COG/NPO-Dielektrikum. Jede Die ist zu 100% Wafer-getestet und wird als Known Good Die (KGD) für hohe Montageausbeuten in Hochfrequenz-, Telekommunikations- und Industrieanwendungen bei hohen Temperaturen geliefert.

Wichtige Leistungsvorteile

1. Nahezu Null thermische Drift & hohe Temperaturkoeffizienten

Klasse I COG/NPO-Dielektrikum mit TCC von 0 ±30 ppm/°C über -55°C bis +125°C, was eine Kapazitätsvariation von weniger als ±0,3% über den gesamten Bereich ergibt
Nahezu Null DC-Bias-Koeffizient (<10 ppm/V), verhindert die Fehlanpassung von Abgleichnetzwerken unter Bias
Null Alterung, sodass die Kapazität über die gesamte Produktlebensdauer stabil bleibt
Geeignet für VCO-Tanks, Bias-Tees und Präzisionsfilter, die bei erhöhten Temperaturen betrieben werden

2. 100% Wafer-getestet & KGD (Known Good Die) Qualität

Jede Die wird auf Wafer-Ebene elektrisch auf Kapazität, Leckage und Durchbruch vor dem Zerteilen getestet
Geliefert als Known Good Die für maximale Ausbeute in Hybrid-, MCM- und Chip-on-Board-Aufbauten
Dielektrische Spannungsfestigkeit >200V (>2,5x Nennspannung), 100% Produktionstests
Ultra-niedrige Leckage: <10 nA @ 25°C und <100 nA @ 125°C bei vollem 80V DC-Bias
Drahtbondfähige TaN/TiW/Ni/Au-Oberseitenmetallisierung (≥2,5 µm Au) und TiW-Pt-Au-Rückseite für universellen Die-Attach
Chargenrückverfolgbarkeit und S-Parameter-Daten pro Produktionscharge

Typische Spezifikationen

Parameter	Wert	Testbedingung
Nennkapazität	1000 pF ±10%	1 MHz, 1,0 Vrms, 25°C
Nenn-DC-Spannung	80V	Kontinuierlich, -55°C bis +125°C
Dielektrische Spannungsfestigkeit	>200V (>2,5x Nennspannung)	5 s Haltezeit, 100% getestet
TCC	0 ±30 ppm/°C	COG/NPO, -55°C bis +125°C
Leckstrom	<10 nA @ 25°C; <100 nA @ 125°C	80V DC
Q-Faktor	>2000 @ 1 MHz	Typisch
ESR @ 1 GHz	<0,1 Ohm	De-embedded
Intrinsische Chip-ESL	<0,05 nH	S-Parameter de-embedded
Chip-Abmessungen	0,75 × 0,75 × 0,20 mm	±25 µm
Betriebstemperatur	-55°C bis +125°C	Vollständig parametrisch
Qualität	100% Wafer-getestet, KGD	Wafer-Level-Screening

Anwendungen

Hochfrequenz- und Mikrowellenschaltungen bei hohen Temperaturen
Entkopplung von Leistungsverstärker-Bias-Netzwerken
Präzisionsfilter und VCO-Tankkreise
Telekommunikations-, Industrie- und Instrumentierungsmodule

Nahezu Null thermische Drift 1000 pF MOS-Kondensator Wafer-getesteter KGD-Einzelschicht-Chip für Hochtemperatur-HF

Umbauten:

Konischer Induktor

Breitband-Induktoren

Luft-Kern-Induktor

Luftspulen-Induktor

MOS Kondensatoren