مكثف MOS بانجراف حراري قريب من الصفر بسعة 1000 بيكوفاراد، تم اختباره على رقاقة، KGD، طبقة واحدة، شريحة للتطبيقات عالية الحرارة والترددات الراديوية

HACC102S80V750KGD - مكثف MOS بانجراف حراري قريب من الصفر 1000 بيكوفاراد، 80 فولت، رقاقة KGD مفحوصة على رقاقة بطبقة واحدة

باختصار:HACC102S80V750KGD هو مكثف MOS بطبقة واحدة قابل للربط بالسلك بقدرة 1000 بيكوفاراد ±10% عند 80 فولت تيار مستمر مع عازل COG/NPO بانجراف حراري قريب من الصفر. كل شريحة يتم فحصها بنسبة 100% على الرقاقة ويتم شحنها كرقاقة معروفة الجودة (KGD) لتحقيق عائد تجميع مرتفع في دوائر الترددات الراديوية و الاتصالات و الصناعية ذات درجات الحرارة العالية.

مزايا الأداء الرئيسية

1. انحراف حراري قريب من الصفر ومعاملات حرارية عالية

• عازل من الفئة الأولى COG/NPO مع معامل حراري للسعة (TCC) يبلغ 0 ±30 جزء في المليون/درجة مئوية عبر نطاق -55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية، مما يوفر تباينًا في السعة أقل من ±0.3% عبر النطاق الكامل
• معامل انحياز تيار مستمر قريب من الصفر (<10 جزء في المليون/فولت)، مما يمنع عدم ضبط شبكات المطابقة تحت الانحيازلا يوجد تقادم، لذا تظل السعة مستقرة طوال عمر المنتج
• مناسب لخزانات مذبذبات التحكم بالجهد (VCO)، ووصلات الانحياز، والمرشحات الدقيقة التي تعمل في درجات حرارة مرتفعة
• 2. جودة مفحوصة بنسبة 100% على الرقاقة و KGD (رقاقة معروفة الجودة)

يتم فحص كل شريحة كهربائيًا على مستوى الرقاقة للسعة، والتسرب، والانهيار قبل التقطيع

• يتم توفيره كرقاقة معروفة الجودة (KGD) لتحقيق أقصى عائد في التركيبات الهجينة، و MCM، و chip-on-board
• جهد تحمل العازل >200 فولت (>2.5 × المقدر)، تم اختباره بنسبة 100% في الإنتاج
• تسرب منخفض للغاية: <10 نانو أمبير عند 25 درجة مئوية و <100 نانو أمبير عند 125 درجة مئوية عند انحياز تيار مستمر كامل 80 فولت
• طبقة معدنية علوية قابلة للربط بالسلك من TaN/TiW/Ni/Au (≥2.5 ميكرومتر Au) و backside من TiW-Pt-Au لربط الشريحة عالميًايتم توفير إمكانية تتبع الدفعة وبيانات S-parameter لكل دفعة إنتاج
• المواصفات النموذجية
• المعلمة

القيمة

فصل شبكة انحياز مضخم الطاقة

• مرشحات دقيقة ودوائر خزان مذبذبات التحكم بالجهد (VCO)
• وحدات الاتصالات والصناعة والأجهزة