Drift Termal Dekat Nol 1000 pF MOS Kondensator Wafer Diuji KGD Chip Lapisan Tunggal untuk RF Suhu Tinggi

HACC102S80V750KGD - Kapasitor MOS dengan Drift Termal Mendekati Nol 1000 pF, 80V, Wafer Probed KGD Chip Lapisan Tunggal

Singkatnya: HACC102S80V750KGD adalah kapasitor MOS lapisan tunggal yang dapat di-wire-bond dengan rating 1000 pF ±10% pada 80V DC dengan dielektrik COG/NPO dengan drift termal mendekati nol. Setiap die diuji 100% pada wafer dan dikirim sebagai Known Good Die (KGD) untuk hasil perakitan yang tinggi dalam sirkuit RF, telekomunikasi, dan industri bersuhu tinggi.

Keunggulan Kinerja Utama

1. Drift Termal Mendekati Nol & Koefisien Suhu Tinggi

• Dielektrik Kelas I COG/NPO dengan TCC 0 ±30 ppm/°C di seluruh rentang -55°C hingga +125°C, memberikan variasi kapasitansi di bawah ±0.3% di seluruh rentang penuh
• Koefisien bias DC mendekati nol (<10 ppm/V), mencegah detuning jaringan pencocokan di bawah bias
• Penuaan nol, sehingga kapasitansi tetap stabil sepanjang masa pakai produk
• Cocok untuk tangki VCO, bias tee, dan filter presisi yang beroperasi pada suhu tinggi

2. Kualitas 100% Wafer Probed & KGD (Known Good Die)

• Setiap die diuji secara elektrik pada tingkat wafer untuk kapasitansi, kebocoran, dan breakdown sebelum pemotongan
• Disuplai sebagai Known Good Die untuk hasil maksimum dalam rakitan hybrid, MCM, dan chip-on-board
• Tegangan tahan dielektrik >200V (>2.5× rating), diuji 100% produksi
• Kebocoran ultra-rendah: <10 nA @ 25°C dan <100 nA @ 125°C pada bias DC 80V penuh
• Metalurgi atas yang dapat di-wire-bond TaN/TiW/Ni/Au (≥2.5 µm Au) dan belakang TiW-Pt-Au untuk pemasangan die universal
• Ketertelusuran lot dan data S-parameter disediakan per lot produksi

Spesifikasi Khas

Aplikasi

• Sirkuit RF dan gelombang mikro suhu tinggi
• Dekopling jaringan bias penguat daya
• Filter presisi dan sirkuit tangki VCO
• Modul telekomunikasi, industri, dan instrumentasi