Tụ điện MOS 1000 pF với Độ trôi nhiệt gần bằng không, đã kiểm tra wafer KGD, Chip Lớp đơn cho RF Nhiệt độ cao

HACC102S80V750KGD - Tụ MOS có độ trôi nhiệt gần bằng không 1000 pF, 80V, KGD đã dò trên tấm wafer, Chip Lớp đơn

Nói tóm lại: HACC102S80V750KGD là tụ MOS lớp đơn có thể hàn dây, định mức 1000 pF ±10% ở 80V DC với điện môi COG/NPO có độ trôi nhiệt gần bằng không. Mỗi chip đều được dò trên tấm wafer 100% và được vận chuyển dưới dạng Known Good Die (KGD) để đạt năng suất lắp ráp cao trong các mạch RF, viễn thông và công nghiệp nhiệt độ cao.

Ưu điểm Hiệu suất Chính

1. Độ trôi nhiệt gần bằng không & Hệ số nhiệt độ cao

• Điện môi Lớp I COG/NPO với TCC là 0 ±30 ppm/°C trong khoảng -55°C đến +125°C, cho phép biến thiên điện dung dưới ±0.3% trên toàn dải
• Hệ số thiên vị DC gần bằng không (<10 ppm/V), ngăn chặn sự lệch pha của mạng phối hợp dưới thiên vị
• Không lão hóa, do đó điện dung giữ ổn định trong suốt vòng đời sản phẩm
• Phù hợp cho các mạch cộng hưởng VCO, tee thiên vị và bộ lọc chính xác hoạt động ở nhiệt độ cao

2. Chất lượng 100% dò trên tấm wafer & KGD (Known Good Die)

• Mỗi chip đều được dò điện ở cấp độ tấm wafer về điện dung, rò rỉ và đánh thủng trước khi cắt
• Được cung cấp dưới dạng Known Good Die để đạt năng suất tối đa trong các bản dựng hybrid, MCM và chip-on-board
• Điện áp chịu đựng điện môi >200V (>2.5× định mức), kiểm tra sản xuất 100%
• Rò rỉ cực thấp: <10 nA @ 25°C và <100 nA @ 125°C ở thiên vị DC 80V đầy đủ
• Lớp kim loại hóa mặt trên có thể hàn dây TaN/TiW/Ni/Au (≥2.5 µm Au) và mặt sau TiW-Pt-Au để gắn chip đa năng
• Khả năng truy xuất nguồn gốc lô và dữ liệu S-parameter được cung cấp cho mỗi lô sản xuất

Thông số kỹ thuật điển hình

Ứng dụng

• Mạch RF và vi sóng nhiệt độ cao
• Tách mạch thiên vị bộ khuếch đại công suất
• Bộ lọc chính xác và mạch cộng hưởng VCO
• Mô-đun viễn thông, công nghiệp và đo lường