Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Почти нулевой тепловой дрейф 1000 pF MOS конденсатор Wafer пробный KGD однослойный чип для высокотемпературных RF

Название бренда:	Hoan
Номер модели:	ХАКК102С80В750КГД
минимальный заказ:	10 шт.
Условия оплаты:	Т/Т,Л/К,Д/А,Д/П

Детальная информация

Характер продукции

Детальная информация

Место происхождения:

Шэньси, Китай

Сертификация:

ISO 9001:2015

Чувствительность влаги:

MSL 1 (неограниченный срок службы согласно J-STD-020)

Тестовое покрытие на уровне пластины:

100% емкость, утечка и пробой зондируются на пластине

Качественный класс:

KGD (Known Good Die), 100% пластина исследована и проверена

Приложения:

Высокотемпературные радиочастотные сети, сети смещения усилителей мощности, телекоммуникационные и п

Выделить:

МОП-конденсатор 1000 пФ

Конденсатор MOS с тепловым дрейфом около нуля

Конденсатор MOS высокотемпературной радиочастотной связи

Характер продукции

HACC102S80V750KGD - Керамический конденсатор MOS с почти нулевым температурным дрейфом 1000 пФ, 80 В, пластина с зондированием KGD, однослойный чип

Кратко: HACC102S80V750KGD — это однослойный МОП-конденсатор с возможностью проволочного монтажа, рассчитанный на 1000 пФ ±10% при 80 В постоянного тока с диэлектриком COG/NPO с почти нулевым температурным дрейфом. Каждый кристалл проходит 100% зондирование на пластине и поставляется как Known Good Die (KGD) для обеспечения высокого выхода сборки в высокотемпературных ВЧ, телекоммуникационных и промышленных схемах.

Ключевые преимущества производительности

1. Почти нулевой температурный дрейф и высокие температурные коэффициенты

Диэлектрик класса I COG/NPO с TCC 0 ±30 ppm/°C в диапазоне от -55°C до +125°C, обеспечивающий изменение емкости менее ±0,3% в полном диапазоне
Почти нулевой коэффициент смещения постоянного тока (<10 ppm/В), предотвращающий расстройку согласующих цепей под напряжением
Нулевое старение, поэтому емкость остается стабильной в течение всего срока службы продукта
Подходит для баков VCO, блокирующих конденсаторов и прецизионных фильтров, работающих при повышенных температурах

2. 100% зондирование на пластине и качество KGD (Known Good Die)

Каждый кристалл электрически зондируется на уровне пластины на предмет емкости, утечки и пробоя перед резкой
Поставляется как Known Good Die для максимального выхода в гибридных, MCM и чип-на-плате сборках
Диэлектрическая прочность >200 В (>2,5× номинального), 100% тестирование в производстве
Сверхнизкая утечка: <10 нА при 25°C и <100 нА при 125°C при полном смещении 80 В постоянного тока
Проволочная металлизация сверху TaN/TiW/Ni/Au (≥2,5 мкм Au) и тыльная сторона TiW-Pt-Au для универсального крепления кристалла
Отслеживаемость партии и данные S-параметров предоставляются для каждой производственной партии

Типовые характеристики

Параметр	Значение	Условие тестирования
Номинальная емкость	1000 пФ ±10%	1 МГц, 1,0 В среднеквадр., 25°C
Номинальное напряжение постоянного тока	80 В	Непрерывно, от -55°C до +125°C
Диэлектрическая прочность	>200 В (>2,5× номинального)	Выдержка 5 с, 100% тестирование
TCC	0 ±30 ppm/°C	COG/NPO, от -55°C до +125°C
Ток утечки	<10 нА при 25°C; <100 нА при 125°C	80 В постоянного тока
Коэффициент добротности	>2000 @ 1 МГц	Типичный
ESR @ 1 ГГц	<0,1 Ом	Де-эмбеддированный
Собственная индуктивность чипа	<0,05 нГн	Де-эмбеддированные S-параметры
Размеры чипа	0,75 × 0,75 × 0,20 мм	±25 мкм
Рабочая температура	от -55°C до +125°C	Полный параметрический
Качество	100% зондирование на пластине, KGD	Скрининг на уровне пластины

Применение

Высокотемпературные ВЧ и СВЧ схемы
Развязка цепи смещения усилителя мощности
Прецизионные фильтры и цепи баков VCO
Телекоммуникационные, промышленные и измерительные модули

Почти нулевой тепловой дрейф 1000 pF MOS конденсатор Wafer пробный KGD однослойный чип для высокотемпературных RF

Бирки:

Надежные МОП-конденсаторы с высоким напряжением пробоя, ультраминиатюрные, с низкими утечками, 50 В, с возможностью проволочного монтажа SLC

Получите самую лучшую цену

Конический индуктор

Индукторы широкополосного доступа

Индуктор ядра воздуха

Индуктор воздушной катушки

Конденсаторы MOS