カスタム薄膜トリム値 MOS コンデンサ 30V 220pF シングルレイヤーチップ 超線形C-V 精密RF

カスタム薄膜トリム値MOSコンデンサ HACC221S30V500 — 220pF 30V 超リニア C-V 単層チップ

エンティティ概要。HACC221S30V500は、Hoan HACCシリーズの220pF ±10%の単層MOSコンデンサで、定格電圧は30V DCです。フローティングゾーンシリコン基板上に熱酸化膜誘電体とカスタマイズ可能な薄膜金属化スタックを備え、0.50mm × 0.50mm × 0.15mmのチップサイズです。予測可能でリニアな静電容量対電圧応答と、顧客指定の金属化またはトリムされた静電容量値が必要とされる高精度RFアプリケーション向けです。

主な特徴

• 0.50 × 0.50 × 0.15mmチップで、30V DCで220pF ±10% (±5%レーザートリムオプション)
• カスタム薄膜トップ金属化、Au 1.0μm～4.0μm、ボンディングレシピに合わせる
• 超リニア C-V: 0V～30Vで電圧係数10ppm/V未満
• 誘電体酸化膜 — エージングドリフトなし、強誘電体ヒステリシスなし
• チップ固有ESL 0.05nH未満; Ag-エポキシおよびAuSnダイアタッチ用のTiW-Pt-Au裏面
• 動作温度 -55℃～+125℃; RoHS準拠 (EU 2015/863)

カスタム薄膜およびトリム値オプション

金属化システムと最終的な静電容量値は、顧客プロセスに合わせてウェハレベルで設定できます。

• カスタム薄膜金属化:TiW接着/バリアベースと金ボンディング仕上げは厚さで指定でき、ワイヤまたはリボンボンディング用にAuは1.0μm～4.0μmです。裏面のオプションのPtバリアは、シルバーエポキシおよびAuSnダイアタッチをサポートします。
• トリム値オプション:ウェハ処理中に静電容量をレーザートリムして分布を狭めることができます。標準の±10% (K) に加えて±5% (J) の許容差が利用可能で、同じ0.50mmプラットフォームで10pF～1000pFの範囲内の非標準値も注文できます。
• カスタムジオメトリ:標準的な正方形に加え、最大4:1の長方形アスペクト比と、導電性エポキシ組み立て用のオプションの境界線（マージン）電極。

電気仕様 (T = 25℃、特に記載がない場合)

代表的な用途

• 安定したバイアス非依存の静電容量を必要とするVCOタンク回路およびPLLループフィルタ
• 高精度RFおよびマイクロ波マッチングネットワーク、DCブロック
• チューニング安定性が重要なLNA入力マッチングおよび低損失バイパス
• 低誘電体吸収の恩恵を受けるサンプル＆ホールドおよびインテグレータステージ
• 自動ハイブリッド組み立て用の均一なフットプリントを持つマルチバリューチップセット