Niestandardowe kondensatory MOS z cienką warstwą do przycinania 30V 220pF Jednowarstwowe chipy Ultra-liniowe C-V do precyzyjnych zastosowań RF

Niestandardowa wartość przycinania cienkowarstwowego MOS Capacitor HACC221S30V500 — 220pF 30V Ultra-liniowy C-V Jednowarstwowy Chip

Podsumowanie jednostki. HACC221S30V500 to jednowarstwowy kondensator MOS o pojemności 220pF ±10% z serii Hoan HACC, o napięciu znamionowym 30V DC. Jest zbudowany na podłożu krzemowym typu float-zone z dielektrykiem z tlenku termicznie narastającego i konfigurowalnym stosie metalizacji cienkowarstwowej, w chipie o wymiarach 0,50 mm × 0,50 mm × 0,15 mm. Jest przeznaczony do precyzyjnych zastosowań RF, gdzie wymagana jest przewidywalna, liniowa zależność pojemności od napięcia oraz metalizacja lub przycięte wartości pojemności określone przez klienta.

Kluczowe cechy

• 220pF ±10% (±5% opcja przycinania laserowego) przy 30V DC w chipie 0,50 × 0,50 × 0,15 mm
• Niestandardowa cienkowarstwowa metalizacja górna, Au od 1,0 µm do 4,0 µm, dopasowana do receptury bondingu
• Ultra-liniowy C-V: współczynnik napięciowy poniżej 10ppm/V od 0V do 30V
• Dielektryk tlenkowy paraelektryczny — brak dryftu starzenia i brak histerezy ferroelektrycznej
• Wewnętrzna indukcyjność chipa ESL poniżej 0,05nH; TiW-Pt-Au od spodu do przyklejania chipów za pomocą Ag-epoksydu i AuSn
• Temperatura pracy -55°C do +125°C; zgodność z RoHS (UE 2015/863)

Opcje niestandardowej metalizacji cienkowarstwowej i wartości przycinania

System metalizacji i ostateczna wartość pojemności mogą być ustawione na poziomie wafla, aby dopasować się do procesu klienta.

• Niestandardowa metalizacja cienkowarstwowa: podstawa adhezji/bariery TiW i wykończenie bondingu złotem mogą być określone przez grubość, z Au od 1,0 µm do 4,0 µm do bondingu drutem lub wstążką. Opcjonalna bariera Pt od spodu obsługuje przyklejanie chipów za pomocą srebra epoksydowego i AuSn.
• Opcje wartości przycinania: pojemność może być przycinana laserowo podczas przetwarzania wafla w celu zaostrzenia dystrybucji; tolerancja ±5% (J) jest dostępna obok standardowej ±10% (K), a niestandardowe wartości w oknie 10pF-1000pF można zamówić na tej samej platformie 0,50 mm.
• Niestandardowa geometria: standardowy kwadrat, plus prostokątne proporcje do 4:1 i opcjonalna elektroda z obramowaniem (marginesem) do montażu za pomocą epoksydu przewodzącego.

Specyfikacje elektryczne (T = 25°C, chyba że zaznaczono inaczej)

Typowe zastosowania

• Obwody rezonansowe VCO i filtry pętli PLL wymagające stabilnej, niezależnej od napięcia polaryzacji pojemności
• Precyzyjne sieci dopasowania RF i mikrofalowego oraz blokady DC
• Dopasowanie wejściowe LNA i niskostratne obejścia, gdzie stabilność strojenia ma znaczenie
• Stopnie próbkowania i zatrzymania oraz integratory korzystające z niskiej absorpcji dielektrycznej
• Zestawy chipów wielowartościowych w jednolitym układzie dla zautomatyzowanego montażu hybrydowego