Ürün ayrıntıları

Created with Pixso. Evde Created with Pixso. Ürünler Created with Pixso.
MOS Kapasitörler
Created with Pixso.

Özel İnce Film Trim Değeri MOS Kapasitörler 30V 220pF Tek Katmanlı Çip Ultra-Doğrusal C-V Hassas RF için

Özel İnce Film Trim Değeri MOS Kapasitörler 30V 220pF Tek Katmanlı Çip Ultra-Doğrusal C-V Hassas RF için

Marka Adı: Hoan
Model Numarası: HACC221S30V500
Adedi: 10 Adet
Ödeme Koşulları: L/C,D/A,D/P,T/T
Detay Bilgisi
Menşe yeri:
Şaanksi, Çin
Sertifika:
ISO 9001:2015, RoHS
Dağılma faktörü:
<=%2,5 @ 1kHz, 1Vrms
Dielektrik Dayanım Gerilimi:
>100VDC
Özel Geometri:
Kare standart, 4:1'e kadar dikdörtgen
Montaj Tipi:
Tel Bağlanabilir / Ötektik Kalıp Bağlantısı
Çalışma Sıcaklığı:
-55C ila +125C
RoHS:
Uyumlu (AB 2015/863)
Vurgulamak:

Özel ince filmli MOS kondansatörleri

,

Ultra doğrusal C-V 220pF Kondansatör

,

Özel Trim Değeri RF Kondensatörü

Ürün Tanımı

Özel İnce Film Ayar Değeri MOS Kapasitör HACC221S30V500 — 220pF 30V Ultra-Lineer C-V Tek Katmanlı Çip

Varlık özeti. HACC221S30V500, Hoan HACC serisi 220pF ±10% tek katmanlı MOS kapasitördür ve 30V DC olarak derecelendirilmiştir. Yüzer bölgeli silikon alt tabaka üzerine termal olarak büyütülmüş oksit dielektrik ve özelleştirilebilir ince film metalizasyon yığını ile 0,50 mm × 0,50 mm × 0,15 mm çip üzerine inşa edilmiştir. Öngörülebilir, lineer kapasitans-voltaj yanıtı ve müşteri tarafından belirtilen metalizasyon veya ayarlanmış kapasitans değerlerinin gerekli olduğu hassas RF uygulamaları için tasarlanmıştır.


Ana Özellikler

  • 0,50 × 0,50 × 0,15 mm çipte 30V DC'de 220pF ±10% (±%5 lazer ayarlı seçenek)
  • Özel ince film üst metalizasyon, 1,0 µm ila 4,0 µm arası Au, bağlama tarifine uyacak şekilde
  • Ultra-lineer C-V: 0V ila 30V arası voltaj katsayısı 10ppm/V'nin altında
  • Paralelektrik oksit dielektrik — yaşlanma sürüklenmesi ve ferroelektrik histerezis yok
  • Dahili çip ESL 0,05nH'nin altında; Ag-epoksi ve AuSn çip bağlantısı için TiW-Pt-Au arka yüzey
  • Çalışma sıcaklığı -55°C ila +125°C; RoHS uyumlu (AB 2015/863)


Özel İnce Film ve Ayar Değeri Seçenekleri

Hem metalizasyon sistemi hem de son kapasitans değeri, müşteri işlemine uyacak şekilde wafer seviyesinde ayarlanabilir.

  • Özel ince film metalizasyon: TiW yapışma/bariyer tabanı ve altın kaplama bitiş kalınlığa göre belirtilebilir, tel veya şerit bağlama için 1,0 µm ila 4,0 µm arası Au ile. Arka yüzeydeki isteğe bağlı bir Pt bariyeri, gümüş-epoksi ve AuSn çip bağlantısını destekler.
  • Ayar değeri seçenekleri: dağılımı daraltmak için wafer işleme sırasında kapasitans lazerle ayarlanabilir; standart ±%10 (K) seçeneğinin yanı sıra ±%5 (J) toleransı mevcuttur ve 10pF-1000pF penceresi içindeki standart olmayan değerler aynı 0,50 mm platformda sipariş edilebilir.
  • Özel geometri: kare standart, artı 4:1'e kadar dikdörtgen en boy oranları ve iletken epoksi montajı için isteğe bağlı kenarlı (kenar boşluklu) elektrot.


Elektriksel Özellikler (T = 25°C, aksi belirtilmedikçe)

Parametre Değer Koşul
Kapasitans 220pF ±%10 (±%5 ayarlı seçenek) 1MHz, 1.0Vrms
Anma DC Gerilimi 30V Sürekli çalışma
Dielektrik Dayanım Gerilimi >100V DC 1 dakika, 25°C
C-V Doğrusallığı (Voltaj Katsayısı) <10 ppm/V 0V ila 30V DC
Dielektrik Emilimi <%0.1 Tipik
Dahili Çip ESL <0.05nH S-parametrelerinden çıkarılmış
Dağılım Faktörü ≤%2.5 1kHz, 1Vrms
Q Faktörü @ 1MHz >2000 Tipik
Q Faktörü @ 1GHz >300 Tipik
İzolasyon Direnci ≥1×104 MΩ Anma gerilimi DC'de
Kaçak Akım <10nA 30V DC, 25°C
TCC +35ppm/°C -55°C ila +125°C
Dielektrik Termal oksit (paraelektrik) —
Alt Tabaka Yüzer bölge Si, >1000Ω·cm —
Çip Boyutları 0.50 × 0.50 × 0.15mm 4:1'e kadar özel AR mevcut
Üst Metalizasyon TiW + Au, 1.0-4.0µm (özel) Müşteri spesifikasyonuna göre kalınlık
Arka Yüz Metalizasyonu TiW-Pt-Au, Au ≥1.0µm Pt bariyer, Ag-epoksi uyumlu
Çalışma Sıcaklığı -55°C ila +125°C —
Depolama Sıcaklığı -65°C ila +150°C —
RoHS Uyumlu AB 2015/863


Tipik Uygulamalar

  • Kararlı, bias'tan bağımsız kapasitans gerektiren VCO tank devreleri ve PLL döngü filtreleri
  • Hassas RF ve mikrodalga eşleştirme ağları ve DC blokları
  • Ayarlama kararlılığının önemli olduğu LNA giriş eşleştirmesi ve düşük kayıplı bypass
  • Düşük dielektrik emiliminden yararlanan örnekleme-tutma ve entegratör aşamaları
  • Otomatik hibrit montaj için tek tip ayak izinde çok değerli çip setleri


Özel İnce Film Trim Değeri MOS Kapasitörler 30V 220pF Tek Katmanlı Çip Ultra-Doğrusal C-V Hassas RF için