| Marka Adı: | Hoan |
| Model Numarası: | HACC221S30V500 |
| Adedi: | 10 Adet |
| Ödeme Koşulları: | L/C,D/A,D/P,T/T |
Varlık özeti. HACC221S30V500, Hoan HACC serisi 220pF ±10% tek katmanlı MOS kapasitördür ve 30V DC olarak derecelendirilmiştir. Yüzer bölgeli silikon alt tabaka üzerine termal olarak büyütülmüş oksit dielektrik ve özelleştirilebilir ince film metalizasyon yığını ile 0,50 mm × 0,50 mm × 0,15 mm çip üzerine inşa edilmiştir. Öngörülebilir, lineer kapasitans-voltaj yanıtı ve müşteri tarafından belirtilen metalizasyon veya ayarlanmış kapasitans değerlerinin gerekli olduğu hassas RF uygulamaları için tasarlanmıştır.
Hem metalizasyon sistemi hem de son kapasitans değeri, müşteri işlemine uyacak şekilde wafer seviyesinde ayarlanabilir.
| Parametre | Değer | Koşul |
| Kapasitans | 220pF ±%10 (±%5 ayarlı seçenek) | 1MHz, 1.0Vrms |
| Anma DC Gerilimi | 30V | Sürekli çalışma |
| Dielektrik Dayanım Gerilimi | >100V DC | 1 dakika, 25°C |
| C-V Doğrusallığı (Voltaj Katsayısı) | <10 ppm/V | 0V ila 30V DC |
| Dielektrik Emilimi | <%0.1 | Tipik |
| Dahili Çip ESL | <0.05nH | S-parametrelerinden çıkarılmış |
| Dağılım Faktörü | ≤%2.5 | 1kHz, 1Vrms |
| Q Faktörü @ 1MHz | >2000 | Tipik |
| Q Faktörü @ 1GHz | >300 | Tipik |
| İzolasyon Direnci | ≥1×104 MΩ | Anma gerilimi DC'de |
| Kaçak Akım | <10nA | 30V DC, 25°C |
| TCC | +35ppm/°C | -55°C ila +125°C |
| Dielektrik | Termal oksit (paraelektrik) | — |
| Alt Tabaka | Yüzer bölge Si, >1000Ω·cm | — |
| Çip Boyutları | 0.50 × 0.50 × 0.15mm | 4:1'e kadar özel AR mevcut |
| Üst Metalizasyon | TiW + Au, 1.0-4.0µm (özel) | Müşteri spesifikasyonuna göre kalınlık |
| Arka Yüz Metalizasyonu | TiW-Pt-Au, Au ≥1.0µm | Pt bariyer, Ag-epoksi uyumlu |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ila +125°C | — |
| Depolama Sıcaklığı | -65°C ila +150°C | — |
| RoHS | Uyumlu | AB 2015/863 |
![]()