rincian produk

Created with Pixso. Rumah Created with Pixso. Produk Created with Pixso.
Kondensator MOS
Created with Pixso.

Custom Thin-Film Trim Value MOS Capacitors 30V 220pF Single Layer Chip Ultra-Linear C-V untuk RF Presisi

Custom Thin-Film Trim Value MOS Capacitors 30V 220pF Single Layer Chip Ultra-Linear C-V untuk RF Presisi

Nama Merek: Hoan
Nomor Model: HACC221S30V500
MOQ: 10 buah
Ketentuan Pembayaran: L/C,D/A,D/P,T/T
Informasi Rinci
Tempat asal:
Shaanxi, Tiongkok
Sertifikasi:
ISO 9001:2015, RoHS
Faktor Dissipasi:
<=2,5% @ 1kHz, 1Vrms
Tegangan menahan dielektrik:
>100V DC
Geometri Kustom:
Standar persegi, persegi panjang hingga 4:1
Tipe Pemasangan:
Kawat Berikat / Die Attach Eutectic
Suhu Operasional:
-55C hingga +125C
RoHS:
Sesuai (UE 2015/863)
Menyoroti:

Kondensator MOS dengan nilai trim film tipis khusus

,

Ultra-linear C-V 220pF Kondensator

,

Kondensator RF Trim Value yang disesuaikan

Deskripsi Produk

Nilai Trim Film Tipis Kustom Kapasitor MOS HACC221S30V500 — 220pF 30V C-V Ultra-Linear Lapisan Tunggal Chip

Ringkasan Entitas. HACC221S30V500 adalah kapasitor MOS lapisan tunggal 220pF ±10% dalam seri Hoan HACC, dengan rating 30V DC. Kapasitor ini dibangun di atas substrat silikon float-zone dengan dielektrik oksida yang tumbuh secara termal dan tumpukan metalisasi film tipis yang dapat disesuaikan, dalam chip berukuran 0,50mm × 0,50mm × 0,15mm. Kapasitor ini ditujukan untuk aplikasi RF presisi di mana respons kapasitansi-terhadap-tegangan yang dapat diprediksi dan linier serta nilai metalisasi atau kapasitansi yang dipangkas sesuai spesifikasi pelanggan diperlukan.


Fitur Utama

  • 220pF ±10% (±5% opsi trim laser) pada 30V DC dalam chip 0,50 × 0,50 × 0,15mm
  • Metalisasi atas film tipis kustom, Au dari 1,0µm hingga 4,0µm, untuk menyesuaikan resep ikatan
  • C-V Ultra-linier: koefisien tegangan di bawah 10ppm/V dari 0V hingga 30V
  • Dielektrik oksida paraelektrik — tidak ada pergeseran penuaan dan tidak ada histeresis ferroelektrik
  • ESL chip intrinsik di bawah 0,05nH; bagian belakang TiW-Pt-Au untuk sambungan die epoksi perak dan AuSn
  • Suhu operasi -55°C hingga +125°C; sesuai RoHS (EU 2015/863)


Opsi Film Tipis dan Nilai Trim Kustom

Sistem metalisasi dan nilai kapasitansi akhir keduanya dapat diatur pada tingkat wafer agar sesuai dengan proses pelanggan.

  • Metalisasi film tipis kustom: dasar adhesi/penghalang TiW dan lapisan akhir ikatan emas dapat ditentukan berdasarkan ketebalan, dengan Au dari 1,0µm hingga 4,0µm untuk ikatan kawat atau pita. Penghalang Pt opsional di bagian belakang mendukung sambungan die epoksi perak dan AuSn.
  • Opsi nilai trim: kapasitansi dapat dipangkas laser selama pemrosesan wafer untuk memperketat distribusi; toleransi ±5% (J) tersedia bersama dengan ±10% (K) standar, dan nilai non-standar dalam jendela 10pF-1000pF dapat dipesan pada platform 0,50mm yang sama.
  • Geometri kustom: standar persegi, ditambah rasio aspek persegi panjang hingga 4:1 dan elektroda berbingkai (margin) opsional untuk perakitan epoksi konduktif.


Spesifikasi Listrik (T = 25°C kecuali dicatat)

Parameter Nilai Kondisi
Kapasitansi 220pF ±10% (opsi trim ±5%) 1MHz, 1.0Vrms
Tegangan DC Terukur 30V Operasi berkelanjutan
Tegangan Tahan Dielektrik >100V DC 1 menit, 25°C
Linearitas C-V (Koefisien Tegangan) <10 ppm/V 0V hingga 30V DC
Penyerapan Dielektrik <0.1% Tipikal
ESL Chip Intrinsik <0.05nH Dilepaskan dari parameter-S
Faktor Disipasi ≤2.5% 1kHz, 1Vrms
Faktor Q @ 1MHz >2000 Tipikal
Faktor Q @ 1GHz >300 Tipikal
Resistansi Isolasi ≥1×104 MΩ Pada tegangan DC terukur
Arus Bocor <10nA 30V DC, 25°C
TCC +35ppm/°C -55°C hingga +125°C
Dielektrik Oksida termal (paraelektrik) —
Substrat Float-zone Si, >1000Ω·cm —
Dimensi Chip 0,50 × 0,50 × 0,15mm AR Kustom hingga 4:1 tersedia
Metalisasi Atas TiW + Au, 1,0-4,0µm (kustom) Ketebalan sesuai spesifikasi pelanggan
Metalisasi Belakang TiW-Pt-Au, Au ≥1,0µm Penghalang Pt, kompatibel dengan epoksi perak
Suhu Operasi -55°C hingga +125°C —
Suhu Penyimpanan -65°C hingga +150°C —
RoHS Sesuai EU 2015/863


Aplikasi Khas

  • Sirkuit tangki VCO dan filter loop PLL yang membutuhkan kapasitansi stabil, independen dari bias
  • Jaringan pencocokan RF dan gelombang mikro presisi dan blok DC
  • Pencocokan input LNA dan bypass loss rendah di mana stabilitas penyetelan penting
  • Tahap sampel-dan-tahan dan integrator yang mendapat manfaat dari penyerapan dielektrik rendah
  • Set chip multi-nilai dalam footprint seragam untuk perakitan hibrida otomatis


Custom Thin-Film Trim Value MOS Capacitors 30V 220pF Single Layer Chip Ultra-Linear C-V untuk RF Presisi