| Nama Merek: | Hoan |
| Nomor Model: | HACC221S30V500 |
| MOQ: | 10 buah |
| Ketentuan Pembayaran: | L/C,D/A,D/P,T/T |
Ringkasan Entitas. HACC221S30V500 adalah kapasitor MOS lapisan tunggal 220pF ±10% dalam seri Hoan HACC, dengan rating 30V DC. Kapasitor ini dibangun di atas substrat silikon float-zone dengan dielektrik oksida yang tumbuh secara termal dan tumpukan metalisasi film tipis yang dapat disesuaikan, dalam chip berukuran 0,50mm × 0,50mm × 0,15mm. Kapasitor ini ditujukan untuk aplikasi RF presisi di mana respons kapasitansi-terhadap-tegangan yang dapat diprediksi dan linier serta nilai metalisasi atau kapasitansi yang dipangkas sesuai spesifikasi pelanggan diperlukan.
Sistem metalisasi dan nilai kapasitansi akhir keduanya dapat diatur pada tingkat wafer agar sesuai dengan proses pelanggan.
| Parameter | Nilai | Kondisi |
| Kapasitansi | 220pF ±10% (opsi trim ±5%) | 1MHz, 1.0Vrms |
| Tegangan DC Terukur | 30V | Operasi berkelanjutan |
| Tegangan Tahan Dielektrik | >100V DC | 1 menit, 25°C |
| Linearitas C-V (Koefisien Tegangan) | <10 ppm/V | 0V hingga 30V DC |
| Penyerapan Dielektrik | <0.1% | Tipikal |
| ESL Chip Intrinsik | <0.05nH | Dilepaskan dari parameter-S |
| Faktor Disipasi | ≤2.5% | 1kHz, 1Vrms |
| Faktor Q @ 1MHz | >2000 | Tipikal |
| Faktor Q @ 1GHz | >300 | Tipikal |
| Resistansi Isolasi | ≥1×104 MΩ | Pada tegangan DC terukur |
| Arus Bocor | <10nA | 30V DC, 25°C |
| TCC | +35ppm/°C | -55°C hingga +125°C |
| Dielektrik | Oksida termal (paraelektrik) | — |
| Substrat | Float-zone Si, >1000Ω·cm | — |
| Dimensi Chip | 0,50 × 0,50 × 0,15mm | AR Kustom hingga 4:1 tersedia |
| Metalisasi Atas | TiW + Au, 1,0-4,0µm (kustom) | Ketebalan sesuai spesifikasi pelanggan |
| Metalisasi Belakang | TiW-Pt-Au, Au ≥1,0µm | Penghalang Pt, kompatibel dengan epoksi perak |
| Suhu Operasi | -55°C hingga +125°C | — |
| Suhu Penyimpanan | -65°C hingga +150°C | — |
| RoHS | Sesuai | EU 2015/863 |
![]()