Condensatori MOS a film sottile personalizzati per rifilatura 30V 220pF a strato singolo ultra-lineari C-V per RF di precisione

Capacitore HACC221S30V500 con valore di taglio in pellicola sottile personalizzato 220pF 30V chip a singolo strato C-V ultralineare

Riassunto dell'entità.L'HACC221S30V500 è un condensatore MOS monolivello a 220pF ± 10% della serie Hoan HACC, con potenza nominale di 30V DC.È costruito su un substrato di silicio a zona galleggiante con un dielettrico di ossido coltivato termicamente e una pila di metallizzazione a pellicola sottile personalizzabile, in un chip di 0,50 mm × 0,50 mm × 0,15 mm. È destinato ad applicazioni RF di precisione in cui unsono richiesti valori di capacità lineare rispetto alla risposta di tensione e metallizzazione o capacità tagliata specificati dal cliente;.

Caratteristiche chiave

• 220pF ±10% (opzione laser-trimmed ±5%) a 30V DC in un chip da 0,50 × 0,50 × 0,15 mm
• Metalizzazione di superficie su pellicola sottile su misura, Au da 1,0 μm a 4,0 μm, per corrispondere alla ricetta del legame
• Ultra-lineare C-V: coefficiente di tensione inferiore a 10ppm/V da 0V a 30V
• Dielettrico di ossido paraelettrico ️ senza deriva di invecchiamento e senza isteresi ferroelettrica
• L'ESL intrinseca del chip inferiore a 0,05nH; TiW-Pt-Au sul retro per Ag-epoxide e AuSn die attach
• Temperatura di funzionamento da -55°C a +125°C; conforme alla direttiva RoHS (UE 2015/863)

Opzioni personalizzate per il valore del film sottile e del taglio

Il sistema di metallizzazione e il valore di capacità finale possono essere impostati al livello del wafer per adattarsi al processo del cliente.

• Metallizzazione su pellicola sottile su misura:La base adesiva/barriera del TiW e la finitura di incollaggio in oro possono essere specificate per spessore, con Au da 1,0 μm a 4,0 μm per l'incollaggio in filo o nastro.Una barriera Pt opzionale sul retro sostiene l'apparecchiatura in argento-epossidica e in AuSn.
• Opzioni di taglio:la capacità può essere tagliata con il laser durante la lavorazione dei wafer per stringere la distribuzione; è disponibile una tolleranza di ± 5% (J) accanto alla tolleranza standard di ± 10% (K),e valori non standard all'interno di una finestra 10pF-1000pF possono essere ordinati sulla stessa 0Piattaforma da 50 mm.
• Geometria personalizzata:standard quadrato, più rapporti di aspetto rettangolari fino a 4:1 e un elettrodo a bordo (margine) opzionale per l'assemblaggio epossidico conduttivo.

Specifiche elettriche (T = 25°C, salvo indicazione)

Applicazioni tipiche

• Circuiti di serbatoi VCO e filtri a circuito PLL che richiedono una capacità stabile e indipendente dal bias
• Reti di abbinamento di RF e microonde di precisione e blocchi DC
• Abbinamento di input LNA e bypass a bassa perdita in cui la stabilità di sintonizzazione è importante
• Stadio di campionamento e di mantenimento e stadio di integrazione con basso assorbimento dielettrico
• Set di chip multi-value in un'impronta uniforme per l'assemblaggio ibrido automatizzato