| ব্র্যান্ডের নাম: | Hoan |
| মডেল নম্বর: | HACC221S30V500 |
| MOQ: | 10 টুকরা |
| পেমেন্ট শর্তাবলী: | এল/সি, ডি/এ, ডি/পি, টি/টি |
এনটিটি সারাংশ। HACC221S30V500 হল একটি 220pF ±10% সিঙ্গেল-লেয়ার MOS ক্যাপাসিটর Hoan HACC সিরিজে, 30V DC রেট করা। এটি একটি ফ্লোট-জোন সিলিকন সাবস্ট্রেটের উপর নির্মিত একটি থার্মালি গ্রোন অক্সাইড ডাইইলেকট্রিক এবং একটি কাস্টমাইজযোগ্য থিন-ফিল্ম মেটালাইজেশন স্ট্যাক সহ, 0.50mm × 0.50mm × 0.15mm চিপে। এটি নির্ভুল RF অ্যাপ্লিকেশনের জন্য তৈরি করা হয়েছে যেখানে একটি পূর্বাভাসযোগ্য, লিনিয়ার ক্যাপাসিট্যান্স-বনাম-ভোল্টেজ প্রতিক্রিয়া এবং গ্রাহক-নির্দিষ্ট মেটালাইজেশন বা ট্রিম করা ক্যাপাসিট্যান্স মান প্রয়োজন।
মেটালাইজেশন সিস্টেম এবং চূড়ান্ত ক্যাপাসিট্যান্স মান উভয়ই গ্রাহক প্রক্রিয়া ফিট করার জন্য ওয়েফার স্তরে সেট করা যেতে পারে।
| প্যারামিটার | মান | শর্ত |
| ক্যাপাসিট্যান্স | 220pF ±10% (±5% ট্রিমড বিকল্প) | 1MHz, 1.0Vrms |
| রেটেড ডিসি ভোল্টেজ | 30V | ধারাবাহিক অপারেশন |
| ডাইইলেকট্রিক উইথস্ট্যান্ডিং ভোল্টেজ | >100V DC | 1 মিনিট, 25°C |
| C-V লিনিয়ারিটি (ভোল্টেজ কোএফিসিয়েন্ট) | <10 ppm/V | 0V থেকে 30V DC |
| ডাইইলেকট্রিক শোষণ | <0.1% | সাধারণ |
| ইন্ট্রিনসিক চিপ ESL | <0.05nH | এস-প্যারামিটার থেকে ডি-এমবেডেড |
| ডিসিপেশন ফ্যাক্টর | ≤2.5% | 1kHz, 1Vrms |
| Q ফ্যাক্টর @ 1MHz | >2000 | সাধারণ |
| Q ফ্যাক্টর @ 1GHz | >300 | সাধারণ |
| ইনসুলেশন রেজিস্ট্যান্স | ≥1×104 MΩ | রেটেড ভোল্টেজ ডিসি তে |
| লিকেজ কারেন্ট | <10nA | 30V DC, 25°C |
| TCC | +35ppm/°C | -55°C থেকে +125°C |
| ডাইইলেকট্রিক | থার্মাল অক্সাইড (প্যারা-ইলেকট্রিক) | — |
| সাবস্ট্রেট | ফ্লোট-জোন Si, >1000Ω·cm | — |
| চিপ ডাইমেনশন | 0.50 × 0.50 × 0.15mm | কাস্টম AR 4:1 পর্যন্ত উপলব্ধ |
| টপ মেটালাইজেশন | TiW + Au, 1.0-4.0µm (কাস্টম) | গ্রাহকের স্পেসিফিকেশন অনুযায়ী পুরুত্ব |
| ব্যাকসাইড মেটালাইজেশন | TiW-Pt-Au, Au ≥1.0µm | Pt ব্যারিয়ার, Ag-epoxy সামঞ্জস্যপূর্ণ |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55°C থেকে +125°C | — |
| স্টোরেজ তাপমাত্রা | -65°C থেকে +150°C | — |
| RoHS | অনুবর্তী | EU 2015/863 |
![]()