পণ্যের বিবরণ

Created with Pixso. বাড়ি Created with Pixso. পণ্য Created with Pixso.
MOS ক্যাপাসিটর
Created with Pixso.

কাস্টম থিন-ফিল্ম ট্রিম ভ্যালু MOS ক্যাপাসিটর 30V 220pF সিঙ্গেল লেয়ার চিপ আল্ট্রা-লিনিয়ার C-V প্রিসিশন RF এর জন্য

কাস্টম থিন-ফিল্ম ট্রিম ভ্যালু MOS ক্যাপাসিটর 30V 220pF সিঙ্গেল লেয়ার চিপ আল্ট্রা-লিনিয়ার C-V প্রিসিশন RF এর জন্য

ব্র্যান্ডের নাম: Hoan
মডেল নম্বর: HACC221S30V500
MOQ: 10 টুকরা
পেমেন্ট শর্তাবলী: এল/সি, ডি/এ, ডি/পি, টি/টি
বিস্তারিত তথ্য
উৎপত্তি স্থল:
শানসি, চীন
সাক্ষ্যদান:
ISO 9001:2015, RoHS
অপচয় ফ্যাক্টর:
<=2.5% @ 1kHz, 1Vrms
ডাইলেট্রিক ভোল্টেজ প্রতিরোধ:
>100V ডিসি
কাস্টম জ্যামিতি:
স্কয়ার স্ট্যান্ডার্ড, 4:1 পর্যন্ত আয়তক্ষেত্রাকার
মাউন্ট টাইপ:
ওয়্যার বন্ডেবল/ইউটেকটিক ডাই অ্যাটাচ
অপারেটিং তাপমাত্রা:
-55C থেকে +125C
RoHS:
অনুগত (EU 2015/863)
বিশেষভাবে তুলে ধরা:

কাস্টম পাতলা-ফিল্ম ট্রিম মান এমওএস ক্যাপাসিটর

,

অতি-রৈখিক সি-ভি 220 পিএফ ক্যাপাসিটর

,

কাস্টম ট্রিম ভ্যালু আরএফ ক্যাপাসিটর

পণ্যের বর্ণনা

কাস্টম থিন-ফিল্ম ট্রিম ভ্যালু MOS ক্যাপাসিটর HACC221S30V500 — 220pF 30V আল্ট্রা-লিনিয়ার C-V সিঙ্গেল লেয়ার চিপ

এনটিটি সারাংশ। HACC221S30V500 হল একটি 220pF ±10% সিঙ্গেল-লেয়ার MOS ক্যাপাসিটর Hoan HACC সিরিজে, 30V DC রেট করা। এটি একটি ফ্লোট-জোন সিলিকন সাবস্ট্রেটের উপর নির্মিত একটি থার্মালি গ্রোন অক্সাইড ডাইইলেকট্রিক এবং একটি কাস্টমাইজযোগ্য থিন-ফিল্ম মেটালাইজেশন স্ট্যাক সহ, 0.50mm × 0.50mm × 0.15mm চিপে। এটি নির্ভুল RF অ্যাপ্লিকেশনের জন্য তৈরি করা হয়েছে যেখানে একটি পূর্বাভাসযোগ্য, লিনিয়ার ক্যাপাসিট্যান্স-বনাম-ভোল্টেজ প্রতিক্রিয়া এবং গ্রাহক-নির্দিষ্ট মেটালাইজেশন বা ট্রিম করা ক্যাপাসিট্যান্স মান প্রয়োজন।


মূল বৈশিষ্ট্য

  • 220pF ±10% (±5% লেজার-ট্রিমড বিকল্প) 30V DC তে 0.50 × 0.50 × 0.15mm চিপে
  • কাস্টম থিন-ফিল্ম টপ মেটালাইজেশন, 1.0µm থেকে 4.0µm পর্যন্ত Au, বন্ড রেসিপি মেলানোর জন্য
  • আল্ট্রা-লিনিয়ার C-V: 0V থেকে 30V পর্যন্ত 10ppm/V এর নিচে ভোল্টেজ কোএফিসিয়েন্ট
  • প্যারা-ইলেকট্রিক অক্সাইড ডাইইলেকট্রিক — কোনও বার্ধক্যজনিত ড্রিফট নেই এবং কোনও ফেরো-ইলেকট্রিক হিস্টেরেসিস নেই
  • ইন্ট্রিনসিক চিপ ESL 0.05nH এর নিচে; Ag-epoxy এবং AuSn ডাই অ্যাটাচের জন্য TiW-Pt-Au ব্যাকসাইড
  • অপারেটিং তাপমাত্রা -55°C থেকে +125°C; RoHS অনুবর্তী (EU 2015/863)


কাস্টম থিন-ফিল্ম এবং ট্রিম ভ্যালু বিকল্প

মেটালাইজেশন সিস্টেম এবং চূড়ান্ত ক্যাপাসিট্যান্স মান উভয়ই গ্রাহক প্রক্রিয়া ফিট করার জন্য ওয়েফার স্তরে সেট করা যেতে পারে।

  • কাস্টম থিন-ফিল্ম মেটালাইজেশন: TiW অ্যাডহেসন/ব্যারিয়ার বেস এবং গোল্ড বন্ডিং ফিনিশ পুরুত্ব দ্বারা নির্দিষ্ট করা যেতে পারে, তার বা রিবন বন্ডিংয়ের জন্য 1.0µm থেকে 4.0µm পর্যন্ত Au সহ। ব্যাকসাইডে একটি ঐচ্ছিক Pt ব্যারিয়ার সিলভার-ইপোক্সি এবং AuSn ডাই অ্যাটাচ সমর্থন করে।
  • ট্রিম ভ্যালু বিকল্প: ক্যাপাসিট্যান্স ডিস্ট্রিবিউশন টাইট করার জন্য ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণের সময় লেজার-ট্রিম করা যেতে পারে; ±5% (J) টলারেন্স স্ট্যান্ডার্ড ±10% (K) এর পাশাপাশি উপলব্ধ, এবং 10pF-1000pF উইন্ডোর মধ্যে নন-স্ট্যান্ডার্ড মানগুলি একই 0.50mm প্ল্যাটফর্মে অর্ডার করা যেতে পারে।
  • কাস্টম জ্যামিতি: স্কয়ার স্ট্যান্ডার্ড, সাথে 4:1 পর্যন্ত আয়তক্ষেত্রাকার অ্যাসপেক্ট রেশিও এবং কন্ডাক্টিভ-ইপোক্সি অ্যাসেম্বলির জন্য একটি ঐচ্ছিক বর্ডারড (মার্জিন) ইলেকট্রোড।


বৈদ্যুতিক স্পেসিফিকেশন (T = 25°C যদি না অন্যথায় উল্লেখ করা হয়)

প্যারামিটার মান শর্ত
ক্যাপাসিট্যান্স 220pF ±10% (±5% ট্রিমড বিকল্প) 1MHz, 1.0Vrms
রেটেড ডিসি ভোল্টেজ 30V ধারাবাহিক অপারেশন
ডাইইলেকট্রিক উইথস্ট্যান্ডিং ভোল্টেজ >100V DC 1 মিনিট, 25°C
C-V লিনিয়ারিটি (ভোল্টেজ কোএফিসিয়েন্ট) <10 ppm/V 0V থেকে 30V DC
ডাইইলেকট্রিক শোষণ <0.1% সাধারণ
ইন্ট্রিনসিক চিপ ESL <0.05nH এস-প্যারামিটার থেকে ডি-এমবেডেড
ডিসিপেশন ফ্যাক্টর ≤2.5% 1kHz, 1Vrms
Q ফ্যাক্টর @ 1MHz >2000 সাধারণ
Q ফ্যাক্টর @ 1GHz >300 সাধারণ
ইনসুলেশন রেজিস্ট্যান্স ≥1×104 MΩ রেটেড ভোল্টেজ ডিসি তে
লিকেজ কারেন্ট <10nA 30V DC, 25°C
TCC +35ppm/°C -55°C থেকে +125°C
ডাইইলেকট্রিক থার্মাল অক্সাইড (প্যারা-ইলেকট্রিক) —
সাবস্ট্রেট ফ্লোট-জোন Si, >1000Ω·cm —
চিপ ডাইমেনশন 0.50 × 0.50 × 0.15mm কাস্টম AR 4:1 পর্যন্ত উপলব্ধ
টপ মেটালাইজেশন TiW + Au, 1.0-4.0µm (কাস্টম) গ্রাহকের স্পেসিফিকেশন অনুযায়ী পুরুত্ব
ব্যাকসাইড মেটালাইজেশন TiW-Pt-Au, Au ≥1.0µm Pt ব্যারিয়ার, Ag-epoxy সামঞ্জস্যপূর্ণ
অপারেটিং তাপমাত্রা -55°C থেকে +125°C —
স্টোরেজ তাপমাত্রা -65°C থেকে +150°C —
RoHS অনুবর্তী EU 2015/863


সাধারণ অ্যাপ্লিকেশন

  • VCO ট্যাঙ্ক সার্কিট এবং PLL লুপ ফিল্টারগুলির জন্য স্থিতিশীল, বায়াস-স্বাধীন ক্যাপাসিট্যান্স প্রয়োজন
  • প্রিসিশন RF এবং মাইক্রোওয়েভ ম্যাচিং নেটওয়ার্ক এবং ডিসি ব্লক
  • LNA ইনপুট ম্যাচিং এবং লো-লস বাইপাস যেখানে টিউনিং স্ট্যাবিলিটি গুরুত্বপূর্ণ
  • স্যাম্পল-এন্ড-হোল্ড এবং ইন্টিগ্রেটর স্টেজগুলি কম ডাইইলেকট্রিক শোষণ থেকে উপকৃত হয়
  • স্বয়ংক্রিয় হাইব্রিড অ্যাসেম্বলির জন্য একটি অভিন্ন ফুটপ্রিন্টে মাল্টি-ভ্যালু চিপ সেট


কাস্টম থিন-ফিল্ম ট্রিম ভ্যালু MOS ক্যাপাসিটর 30V 220pF সিঙ্গেল লেয়ার চিপ আল্ট্রা-লিনিয়ার C-V প্রিসিশন RF এর জন্য

সম্পর্কিত পণ্য