تفاصيل المنتجات

Created with Pixso. المنزل Created with Pixso. منتجات Created with Pixso.
مكثفات MOS
Created with Pixso.

?

?

اسم العلامة التجارية: Hoan
رقم الموديل: HACC221S30V500
موك: 10 قطع
شروط الدفع: خطاب الاعتماد، D/A، D/P، T/T
معلومات مفصلة
مكان المنشأ:
شنشي، الصين
إصدار الشهادات:
ISO 9001:2015, RoHS
عامل التبديد:
<=2.5% عند 1 كيلو هرتز، 1 فولت آر إم إس
عازلة تحمل الجهد:
> 100 فولت تيار مستمر
الهندسة المخصصة:
مربع قياسي، مستطيل حتى 4:1
نوع التركيب:
سلك قابل للربط / مرفق بالقالب سهل الانصهار
درجة حرارة التشغيل:
-55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية
بنفايات:
متوافق (الاتحاد الأوروبي 863/2015)
إبراز:

مكثفات MOS ذات قيمة تقليص رقيقة مخصصة

,

مكثف C-V 220pF خطي للغاية

,

مكثف راديوي ذو قيمة تقليدية مخصصة

وصف المنتج

مكثف MOS بقيمة ضبط دقيقة لطبقة رقيقة HACC221S30V500 — 220pF 30V فائق الخطية C-V طبقة واحدة شريحة

ملخص الكيان.HACC221S30V500 هو مكثف MOS بطبقة واحدة بقيمة 220pF ±10% من سلسلة Hoan HACC، مصنف بجهد 30 فولت تيار مستمر. تم بناؤه على ركيزة سيليكون بمنطقة عائمة مع عازل أكسيد مُنمو حرارياً وحزمة معدنية قابلة للتخصيص بطبقة رقيقة، في شريحة بحجم 0.50 مم × 0.50 مم × 0.15 مم. وهو مخصص لتطبيقات الترددات الراديوية الدقيقة التي تتطلب استجابة خطية متوقعة للسعة مقابل الجهد وقيم معدنية أو قيم سعة مضبوطة حسب مواصفات العميل.


الميزات الرئيسية

  • 220pF ±10% (خيار ضبط بالليزر ±5%) عند 30 فولت تيار مستمر في شريحة 0.50 × 0.50 × 0.15 مم
  • طبقة معدنية علوية رقيقة مخصصة، ذهب من 1.0 ميكرومتر إلى 4.0 ميكرومتر، لمطابقة وصفة الربط
  • فائق الخطية C-V: معامل الجهد أقل من 10 جزء في المليون/فولت من 0 فولت إلى 30 فولت
  • عازل أكسيد كهروضوئي — لا يوجد انحراف في التقادم ولا يوجد تلاكؤ كهروحديد
  • ممانعة حثية داخلية للشريحة أقل من 0.05 نانوهنري؛ خلفية TiW-Pt-Au لربط الرقاقة بالإيبوكسي الفضي و AuSn
  • درجة حرارة التشغيل -55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية؛ متوافق مع RoHS (الاتحاد الأوروبي 2015/863)


خيارات الطبقة الرقيقة المخصصة وقيمة الضبط

يمكن ضبط نظام المعدن وقيمة السعة النهائية على مستوى الرقاقة لتناسب عملية العميل.

  • معدن طبقة رقيقة مخصص: يمكن تحديد قاعدة الالتصاق/الحاجز TiW وتشطيب الربط الذهبي حسب السماكة، مع ذهب من 1.0 ميكرومتر إلى 4.0 ميكرومتر لربط الأسلاك أو الأشرطة. تدعم طبقة الحاجز Pt الاختيارية في الخلفية ربط الرقاقة بالإيبوكسي الفضي و AuSn.
  • خيارات قيمة الضبط: يمكن ضبط السعة بالليزر أثناء معالجة الرقاقة لتقليل التوزيع؛ يتوفر تحمل ±5% (J) إلى جانب التحمل القياسي ±10% (K)، ويمكن طلب قيم غير قياسية ضمن نافذة 10pF-1000pF على نفس منصة 0.50 مم.
  • هندسة مخصصة: مربع قياسي، بالإضافة إلى نسب أبعاد مستطيلة تصل إلى 4:1 وقطب كهربائي اختياري ذو حدود (هامش) لتجميع الإيبوكسي الموصل.


المواصفات الكهربائية (T = 25 درجة مئوية ما لم يُذكر خلاف ذلك)

المعلمة القيمة الشرط
السعة 220pF ±10% (خيار ضبط ±5%) 1 ميجاهرتز، 1.0 فولت ذروة إلى ذروة
جهد التيار المستمر المقنن 30 فولت تشغيل مستمر
جهد عزل العازل >100 فولت تيار مستمر 1 دقيقة، 25 درجة مئوية
خطية C-V (معامل الجهد) <10 جزء في المليون/فولت 0 فولت إلى 30 فولت تيار مستمر
امتصاص العازل <0.1% نموذجي
ممانعة حثية داخلية للشريحة <0.05 نانوهنري مُزال من معلمات S
عامل التبديد ≤2.5% 1 كيلوهرتز، 1 فولت ذروة إلى ذروة
عامل Q @ 1 ميجاهرتز >2000 نموذجي
عامل Q @ 1 جيجاهرتز >300 نموذجي
مقاومة العزل ≥1×104 ميجا أوم عند جهد التيار المستمر المقنن
تيار التسرب <10 نانو أمبير 30 فولت تيار مستمر، 25 درجة مئوية
TCC +35 جزء في المليون/درجة مئوية -55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية
العازل أكسيد حراري (كهروضوئي) —
الركيزة سيليكون منطقة عائمة، >1000 أوم·سم —
أبعاد الشريحة 0.50 × 0.50 × 0.15 مم نسبة أبعاد مخصصة تصل إلى 4:1 متاحة
معدن علوي TiW + Au، 1.0-4.0 ميكرومتر (مخصص) سماكة حسب مواصفات العميل
معدن خلفي TiW-Pt-Au، Au ≥1.0 ميكرومتر حاجز Pt، متوافق مع الإيبوكسي الفضي
درجة حرارة التشغيل -55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية —
درجة حرارة التخزين -65 درجة مئوية إلى +150 درجة مئوية —
RoHS متوافق الاتحاد الأوروبي 2015/863


التطبيقات النموذجية

  • دوائر خزان VCO وفلاتر حلقة PLL التي تتطلب سعة مستقرة وغير معتمدة على الانحياز
  • شبكات مطابقة RF والميكروويف الدقيقة وكتل التيار المستمر
  • مطابقة مدخل LNA وتجاوز منخفض الفقد حيث تكون استقرار الضبط مهمًا
  • مراحل العينة والاحتفاظ والمكامل التي تستفيد من امتصاص العازل المنخفض
  • مجموعات شرائح متعددة القيم في بصمة موحدة لتجميع هجين آلي


?