| اسم العلامة التجارية: | Hoan |
| رقم الموديل: | HACC221S30V500 |
| موك: | 10 قطع |
| شروط الدفع: | خطاب الاعتماد، D/A، D/P، T/T |
ملخص الكيان.HACC221S30V500 هو مكثف MOS بطبقة واحدة بقيمة 220pF ±10% من سلسلة Hoan HACC، مصنف بجهد 30 فولت تيار مستمر. تم بناؤه على ركيزة سيليكون بمنطقة عائمة مع عازل أكسيد مُنمو حرارياً وحزمة معدنية قابلة للتخصيص بطبقة رقيقة، في شريحة بحجم 0.50 مم × 0.50 مم × 0.15 مم. وهو مخصص لتطبيقات الترددات الراديوية الدقيقة التي تتطلب استجابة خطية متوقعة للسعة مقابل الجهد وقيم معدنية أو قيم سعة مضبوطة حسب مواصفات العميل.
يمكن ضبط نظام المعدن وقيمة السعة النهائية على مستوى الرقاقة لتناسب عملية العميل.
| المعلمة | القيمة | الشرط |
| السعة | 220pF ±10% (خيار ضبط ±5%) | 1 ميجاهرتز، 1.0 فولت ذروة إلى ذروة |
| جهد التيار المستمر المقنن | 30 فولت | تشغيل مستمر |
| جهد عزل العازل | >100 فولت تيار مستمر | 1 دقيقة، 25 درجة مئوية |
| خطية C-V (معامل الجهد) | <10 جزء في المليون/فولت | 0 فولت إلى 30 فولت تيار مستمر |
| امتصاص العازل | <0.1% | نموذجي |
| ممانعة حثية داخلية للشريحة | <0.05 نانوهنري | مُزال من معلمات S |
| عامل التبديد | ≤2.5% | 1 كيلوهرتز، 1 فولت ذروة إلى ذروة |
| عامل Q @ 1 ميجاهرتز | >2000 | نموذجي |
| عامل Q @ 1 جيجاهرتز | >300 | نموذجي |
| مقاومة العزل | ≥1×104 ميجا أوم | عند جهد التيار المستمر المقنن |
| تيار التسرب | <10 نانو أمبير | 30 فولت تيار مستمر، 25 درجة مئوية |
| TCC | +35 جزء في المليون/درجة مئوية | -55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية |
| العازل | أكسيد حراري (كهروضوئي) | — |
| الركيزة | سيليكون منطقة عائمة، >1000 أوم·سم | — |
| أبعاد الشريحة | 0.50 × 0.50 × 0.15 مم | نسبة أبعاد مخصصة تصل إلى 4:1 متاحة |
| معدن علوي | TiW + Au، 1.0-4.0 ميكرومتر (مخصص) | سماكة حسب مواصفات العميل |
| معدن خلفي | TiW-Pt-Au، Au ≥1.0 ميكرومتر | حاجز Pt، متوافق مع الإيبوكسي الفضي |
| درجة حرارة التشغيل | -55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية | — |
| درجة حرارة التخزين | -65 درجة مئوية إلى +150 درجة مئوية | — |
| RoHS | متوافق | الاتحاد الأوروبي 2015/863 |
![]()