Capacitadores MOS de película delgada personalizados con valor de recorte 30V 220pF Chip de capa única Ultra-lineal C-V para RF de precisión

Capacitador MOS de película delgada personalizado con valor de recorte HACC221S30V500

Resumen de la entidad.El HACC221S30V500 es un condensador MOS de una sola capa de 220pF ± 10% de la serie Hoan HACC, con una potencia nominal de 30V DC.Está construido sobre un sustrato de silicio de zona flotante con un dieléctrico de óxido cultivado térmicamente y una pila de metalización de película fina personalizable, en un chip de 0,50 mm × 0,50 mm × 0,15 mm. Está destinado a aplicaciones de RF de precisión donde unSe requieren valores de capacidad lineal frente a la respuesta de voltaje y metalización o capacidad recortada especificados por el cliente..

Características clave

• 220pF ±10% (opción con corte láser ±5%) a 30 V de CC en un chip de 0,50 × 0,50 × 0,15 mm
• Metalización superior de película delgada personalizada, Au de 1,0 μm a 4,0 μm, para que coincida con la receta de enlace
• C-V ultralineal: coeficiente de voltaje inferior a 10ppm/V desde 0V hasta 30V
• Dielectrico paraeléctrico de óxido sin deriva de envejecimiento y sin histeresis ferroeléctrica
• ESL de chip intrínseco por debajo de 0,05nH; TiW-Pt-Au en la parte posterior para Ag-epoxi y AuSn
• Temperatura de funcionamiento de -55°C a +125°C; conforme con la Directiva RoHS (UE 2015/863)

Opciones personalizadas de película delgada y valor de recorte

El sistema de metalización y el valor de la capacitancia final se pueden ajustar al nivel de la oblea para adaptarse al proceso del cliente.

• Metalización de película delgada a medida:la base de adhesión/barrera de TiW y el acabado de unión de oro pueden especificarse por espesor, con Au de 1,0 μm a 4,0 μm para la unión de alambre o cinta.Una barrera Pt opcional en la parte trasera soporta el adhesivo de plata epoxi y AuSn.
• Opciones de valor de recorte:La capacidad puede ser recortada con láser durante el procesamiento de las obleas para apretar la distribución; se dispone de una tolerancia de ± 5% (J) junto con el estándar de ± 10% (K),y valores no estándar dentro de una ventana de 10pF-1000pF se pueden ordenar en el mismo 0Plataforma de 50 mm.
• Geometría personalizada:estándar cuadrado, además de relaciones de aspecto rectangulares de hasta 4:1 y un electrodo de borde (margen) opcional para el ensamblaje de epoxi conductor.

Especificaciones eléctricas (T = 25°C a menos que se indique)

Aplicaciones típicas

• Circuitos de depósito VCO y filtros de bucle PLL que requieren una capacidad estable e independiente de la inclinación
• Redes y bloques de coincidencia de RF y microondas de precisión
• Aparición de entrada de LNA y desvío de baja pérdida cuando la estabilidad de sintonización es importante
• Las fases de muestreo y retención y de integración que se benefician de una baja absorción dieléctrica
• Conjuntos de chips de valor múltiple en una huella uniforme para el ensamblaje híbrido automatizado