Custom Thin-Film Trim Value MOS Kondensatoren 30V 220pF Einzelschichtchip Ultralinear C-V für Präzisionsfrequenz

MOS-Kondensator HACC221S30V500 ?? 220pF 30V Ultralinear C-V Einzelschichtchip

Zusammenfassung der Entität.Der HACC221S30V500 ist ein 220pF ±10% einlagiger MOS-Kondensator der Hoan HACC-Serie, mit einer Leistung von 30 V Gleichstrom.Es basiert auf einem Float-Zone-Silizium-Substrat mit einem thermisch angebauten Oxid-Dielectric und einem anpassbaren Dünnschicht-Metallisierungstapel, in einem Chip von 0,50 mm × 0,50 mm × 0,15 mm. Es ist für Präzisions-HF-Anwendungen bestimmt, bei denen ein vorhersehbarerlineare Kapazitäts-Volt-Reaktion und kundenspezifizierte Metallisierung oder geschnittene Kapazitätswerte sind erforderlich.

Wesentliche Merkmale

• 220pF ±10% (±5% lasergeschneiderte Option) bei 30 V Gleichstrom in einem 0,50 × 0,50 × 0,15 mm-Chip
• Spezielle Dünnschicht-Obermetallisierung, Au von 1,0 μm bis 4,0 μm, um dem Bindungsrezept zu entsprechen
• Ultralineare C-V: Spannungskoeffizient unter 10ppm/V von 0V bis 30V
• Paraelektrische Oxid-Dielektri­ke ­ ohne Alterung und ohne ferroelektrische Hysterese
• Intrinsische Splitter-ESL unter 0,05nH; TiW-Pt-Au-Rückseite für Ag-Epoxy und AuSn-Die-Attach
• Betriebstemperatur von -55°C bis +125°C; RoHS-konform (EU 2015/863)

Benutzerdefinierte Thin-Film- und Trim-Wertoptionen

Das Metallisierungssystem und der endgültige Kapazitätswert können beide auf Waferebene eingestellt werden, um dem Kundenprozess zu entsprechen.

• für die Verwendung in der Herstellung von Produkten der Position 8528 [1]die TiW-Adhäsion/Hindernisbasis und die Goldverbindung können anhand der Dicke festgelegt werden, wobei die Au für Draht- oder Bandverbindungen zwischen 1,0 μm und 4,0 μm beträgt.Eine optionale Pt-Schranke auf der Rückseite unterstützt Silber-Epoxy und AuSn-Die-Attachment.
• Trim-Wert-Optionen:Die Kapazität kann während der Waferverarbeitung mit dem Laser geschnitten werden, um die Verteilung zu verschärfen. Neben der Norm ±10% (K) ist eine Toleranz von ±5% (J) verfügbar.und nichtstandardmäßige Werte innerhalb eines Fensters von 10pF-1000pF können auf derselben 0 bestellt werden.50-mm-Plattform.
• Geometrie nach Maßgabe:Quadrat-Standard, Rechteck-Seitenverhältnisse von bis zu 4:1 und eine optionale Rand-Elektrode für eine leitfähige Epoxideinrichtung.

Elektrische Spezifikationen (T = 25°C, sofern nicht angegeben)

Typische Anwendungen

• VCO-Tankkreise und PLL-Schleiffilter, die eine stabile, von der Verzerrung unabhängige Kapazität erfordern
• Präzisions-HF- und Mikrowellen-Matching-Netzwerke und Gleichstromblöcke
• LNA-Eingangsmatching und Low-Loss-Bypass, wenn die Abstimmungsstabilität wichtig ist
• Probe- und Halte- und Integratorstufen mit geringer dielektrischer Absorption
• Mehrwertige Chipsätze in einheitlicher Ausstattung für die automatisierte Hybridmontage