Custom Dunne-film Trim Waarde MOS Condensatoren 30V 220pF Enkele Laag Chip Ultra-Lineaire C-V voor Precisie RF

Custom Dunne-Film Trim Waarde MOS Condensator HACC221S30V500 — 220pF 30V Ultra-Lineaire C-V Enkellaags Chip

Entiteit samenvatting. De HACC221S30V500 is een 220pF ±10% enkellaagse MOS-condensator in de Hoan HACC-serie, met een nominale spanning van 30V DC. Hij is gebouwd op een float-zone siliciumsubstraat met een thermisch gegroeide oxide-diëlektricum en een aanpasbare dunne-film metallisatie-stack, in een chip van 0,50 mm × 0,50 mm × 0,15 mm. Hij is bedoeld voor precisie-RF-toepassingen waar een voorspelbare, lineaire capaciteits-versus-spanningsrespons en door de klant gespecificeerde metallisatie- of getrimde capaciteitswaarden vereist zijn.

Belangrijkste kenmerken

• 220pF ±10% (±5% laser-getrimde optie) bij 30V DC in een 0,50 × 0,50 × 0,15 mm chip
• Aangepaste dunne-film topmetallisatie, Au van 1,0 µm tot 4,0 µm, om aan te sluiten bij het bondrecept
• Ultra-lineaire C-V: spanningscoëfficiënt onder 10 ppm/V van 0V tot 30V
• Para-elektrisch oxide-diëlektricum — geen verouderingsdrift en geen ferro-elektrische hysteres
• Intrinsieke chip ESL onder 0,05 nH; TiW-Pt-Au achterkant voor Ag-epoxy en AuSn die attach
• Bedrijfstemperatuur -55°C tot +125°C; RoHS-conform (EU 2015/863)

Opties voor aangepaste dunne-film en trimwaarde

Het metallisatiesysteem en de uiteindelijke capaciteitswaarde kunnen beide op wafer-niveau worden ingesteld om aan te sluiten bij het klantproces.

• Aangepaste dunne-film metallisatie: de TiW-adhesie/barrièrebasis en de gouden bondingafwerking kunnen worden gespecificeerd op dikte, met Au van 1,0 µm tot 4,0 µm voor draad- of lintbonding. Een optionele Pt-barrière aan de achterkant ondersteunt zilver-epoxy en AuSn die attach.
• Opties voor trimwaarde: capaciteit kan tijdens waferverwerking met laser worden getrimd om de distributie te verkleinen; ±5% (J) tolerantie is beschikbaar naast de standaard ±10% (K), en niet-standaard waarden binnen een venster van 10pF-1000pF kunnen op hetzelfde 0,50 mm platform worden besteld.
• Aangepaste geometrie: vierkant standaard, plus rechthoekige beeldverhoudingen tot 4:1 en een optionele gebordered (marge) elektrode voor geleidende epoxyassemblage.

Elektrische specificaties (T = 25°C tenzij anders vermeld)

Typische toepassingen

• VCO-tankcircuits en PLL-lusfilters die stabiele, bias-onafhankelijke capaciteit vereisen
• Precisie RF- en microgolf-matchingnetwerken en DC-blokken
• LNA-ingangsaanpassing en bypass met laag verlies waar afstemstabiliteit belangrijk is
• Sample-and-hold en integratorfasen die profiteren van lage diëlektrische absorptie
• Multi-waarde chipsets in een uniforme footprint voor geautomatiseerde hybride assemblage