कस्टम पतली फिल्म ट्रिम वैल्यू एमओएस कैपेसिटर 30V 220pF सिंगल लेयर चिप अल्ट्रा-लाइनर सी-वी प्रेसिजन आरएफ के लिए

कस्टम थिन-फिल्म ट्रिम वैल्यू MOS कैपेसिटर HACC221S30V500 — 220pF 30V अल्ट्रा-लीनियर C-V सिंगल लेयर चिप

इकाई सारांश। HACC221S30V500 होआन HACC श्रृंखला में एक 220pF ±10% सिंगल-लेयर MOS कैपेसिटर है, जिसकी रेटिंग 30V DC है। यह फ्लोट-ज़ोन सिलिकॉन सब्सट्रेट पर एक थर्मल रूप से विकसित ऑक्साइड डाइइलेक्ट्रिक और एक अनुकूलन योग्य थिन-फिल्म मेटलाइजेशन स्टैक के साथ बनाया गया है, जो 0.50mm × 0.50mm × 0.15mm चिप में है। यह सटीक RF अनुप्रयोगों के लिए अभिप्रेत है जहाँ एक पूर्वानुमानित, रैखिक कैपेसिटेंस-बनाम-वोल्टेज प्रतिक्रिया और ग्राहक-निर्दिष्ट मेटलाइजेशन या ट्रिम की गई कैपेसिटेंस मानों की आवश्यकता होती है।

मुख्य विशेषताएं

• 0.50 × 0.50 × 0.15mm चिप में 30V DC पर 220pF ±10% (±5% लेजर-ट्रिम विकल्प)
• कस्टम थिन-फिल्म टॉप मेटलाइजेशन, 1.0µm से 4.0µm तक Au, बॉन्ड रेसिपी से मेल खाने के लिए
• अल्ट्रा-लीनियर C-V: 0V से 30V तक 10ppm/V से कम वोल्टेज गुणांक
• पैराएलेक्ट्रिक ऑक्साइड डाइइलेक्ट्रिक — कोई एजिंग ड्रिफ्ट नहीं और कोई फेरोइलेक्ट्रिक हिस्टैरिसीस नहीं
• इंट्रिन्सिक चिप ESL 0.05nH से कम; Ag-epoxy और AuSn डाई अटैच के लिए TiW-Pt-Au बैकसाइड
• ऑपरेटिंग तापमान -55°C से +125°C; RoHS अनुपालन (EU 2015/863)

कस्टम थिन-फिल्म और ट्रिम वैल्यू विकल्प

मेटलाइजेशन सिस्टम और अंतिम कैपेसिटेंस मान दोनों को ग्राहक प्रक्रिया में फिट करने के लिए वेफर स्तर पर सेट किया जा सकता है।

• कस्टम थिन-फिल्म मेटलाइजेशन: TiW आसंजन/बैरियर बेस और गोल्ड बॉन्डिंग फिनिश को मोटाई से निर्दिष्ट किया जा सकता है, जिसमें वायर या रिबन बॉन्डिंग के लिए 1.0µm से 4.0µm तक Au होता है। बैकसाइड पर एक वैकल्पिक Pt बैरियर सिल्वर-एपॉक्सी और AuSn डाई अटैच का समर्थन करता है।
• ट्रिम वैल्यू विकल्प: कैपेसिटेंस को वितरण को कसने के लिए वेफर प्रोसेसिंग के दौरान लेजर-ट्रिम किया जा सकता है; मानक ±10% (K) के साथ ±5% (J) टॉलरेंस उपलब्ध है, और 10pF-1000pF विंडो के भीतर गैर-मानक मानों को उसी 0.50mm प्लेटफॉर्म पर ऑर्डर किया जा सकता है।
• कस्टम ज्यामिति: स्क्वायर स्टैंडर्ड, साथ ही 4:1 तक आयताकार पहलू अनुपात और कंडक्टिव-एपॉक्सी असेंबली के लिए एक वैकल्पिक बॉर्डर्ड (मार्जिन) इलेक्ट्रोड।

इलेक्ट्रिकल स्पेसिफिकेशन्स (T = 25°C जब तक कि अन्यथा नोट न किया गया हो)

विशिष्ट अनुप्रयोग

• VCO टैंक सर्किट और PLL लूप फिल्टर जिन्हें स्थिर, बायस-स्वतंत्र कैपेसिटेंस की आवश्यकता होती है
• प्रेसिजन RF और माइक्रोवेव मैचिंग नेटवर्क और डीसी ब्लॉक
• LNA इनपुट मैचिंग और लो-लॉस बाईपास जहां ट्यूनिंग स्थिरता मायने रखती है
• सैंपल-एंड-होल्ड और इंटीग्रेटर स्टेज जो कम डाइइलेक्ट्रिक अवशोषण से लाभान्वित होते हैं
• स्वचालित हाइब्रिड असेंबली के लिए एक समान फुटप्रिंट में मल्टी-वैल्यू चिप सेट