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커스텀 박막 트리밍 값 MOS 커패시터 HACC221S30V500 — 220pF 30V 초선형 C-V 단층 칩

엔티티 요약. HACC221S30V500은 Hoan HACC 시리즈의 220pF ±10% 단층 MOS 커패시터로, 30V DC 정격입니다. 플로트 존 실리콘 기판에 열 성장 산화물 유전체와 사용자 정의 가능한 박막 금속화 스택을 사용하여 0.50mm × 0.50mm × 0.15mm 칩으로 제작되었습니다. 예측 가능하고 선형적인 커패시턴스 대 전압 응답과 고객 지정 금속화 또는 트리밍된 커패시턴스 값이 필요한 정밀 RF 애플리케이션용입니다.

주요 특징

• 0.50 × 0.50 × 0.15mm 칩에서 30V DC에서 220pF ±10% (±5% 레이저 트리밍 옵션)
• 커스텀 박막 상단 금속화, 1.0μm ~ 4.0μm의 Au, 본딩 레시피에 맞춤
• 초선형 C-V: 0V ~ 30V에서 10ppm/V 미만의 전압 계수
• 유전체 산화물 — 노화 드리프트 및 강유전체 히스테리시스 없음
• 내부 칩 ESL 0.05nH 미만; Ag-에폭시 및 AuSn 다이 어태치를 위한 TiW-Pt-Au 후면
• 작동 온도 -55°C ~ +125°C; RoHS 준수 (EU 2015/863)

커스텀 박막 및 트리밍 값 옵션

금속화 시스템과 최종 커패시턴스 값 모두 웨이퍼 레벨에서 고객 공정에 맞게 설정할 수 있습니다.

• 커스텀 박막 금속화: TiW 접착/차단 베이스와 금 도금 마감은 두께로 지정할 수 있으며, 와이어 또는 리본 본딩을 위해 1.0μm ~ 4.0μm의 Au를 사용합니다. 후면의 선택적 Pt 차단은 은 에폭시 및 AuSn 다이 어태치를 지원합니다.
• 트리밍 값 옵션: 커패시턴스는 웨이퍼 처리 중에 레이저로 트리밍하여 분포를 조밀하게 할 수 있습니다. 표준 ±10% (K)와 함께 ±5% (J) 허용 오차가 제공되며, 10pF-1000pF 범위 내의 비표준 값은 동일한 0.50mm 플랫폼에서 주문할 수 있습니다.
• 커스텀 형상: 정사각형 표준, 최대 4:1의 직사각형 종횡비 및 전도성 에폭시 조립을 위한 선택적 테두리(마진) 전극.

전기 사양 (T = 25°C, 달리 명시되지 않은 경우)

일반적인 응용 분야

• 안정적이고 바이어스 독립적인 커패시턴스가 필요한 VCO 탱크 회로 및 PLL 루프 필터
• 정밀 RF 및 마이크로파 매칭 네트워크 및 DC 블록
• 튜닝 안정성이 중요한 LNA 입력 매칭 및 저손실 바이패스
• 낮은 유전체 흡수 효과를 이용하는 샘플-홀드 및 적분기 스테이지
• 자동화된 하이브리드 조립을 위한 균일한 풋프린트의 다중 값 칩 세트