Tụ điện MOS màng mỏng tùy chỉnh 30V 220pF Lớp đơn Chip C-V siêu tuyến tính cho RF chính xác

Giá trị cắt lớp mỏng tùy chỉnh MOS Capacitor HACC221S30V500 220pF 30V Ultra-Linear C-V Single Layer Chip

Tóm tắt về thực thể.HACC221S30V500 là một tụ điện MOS một lớp 220pF ± 10% trong loạt Hoan HACC, được đánh giá ở 30V DC.Nó được xây dựng trên nền silicon vùng nổi với một dielectric oxit phát triển nhiệt và một bộ đống kim loại mỏng có thể tùy chỉnhNó được thiết kế cho các ứng dụng RF chính xác, nơi mộtđáp ứng điện dung tuyến tính so với điện áp và các giá trị điện dung kim loại hóa hoặc cắt giảm do khách hàng chỉ định là cần thiết.

Các đặc điểm chính

• 220pF ± 10% (± 5% tùy chọn cắt laser) ở 30V DC trong một con chip 0,50 × 0,50 × 0,15mm
• Thiết bị kim loại hóa lớp mỏng tùy chỉnh, Au từ 1,0μm đến 4,0μm để phù hợp với công thức liên kết
• C-V siêu tuyến tính: hệ số điện áp dưới 10ppm/V từ 0V đến 30V
• Chất đệm oxit paraelectric không có sự trôi chảy lão hóa và không có hysteresis ferroelectric
• Chip nội tại ESL dưới 0,05nH; TiW-Pt-Au phía sau cho Ag-epoxy và AuSn die attach
• Nhiệt độ hoạt động từ -55°C đến +125°C; phù hợp với RoHS (EU 2015/863)

Tùy chọn giá trị thin-film và trim tùy chỉnh

Hệ thống kim loại hóa và giá trị điện dung cuối cùng đều có thể được đặt ở mức wafer để phù hợp với quy trình của khách hàng.

• Thiết bị kim loại mỏng theo yêu cầu:TiW kết dính / cơ sở rào cản và kết thúc gắn vàng có thể được xác định theo độ dày, với Au từ 1,0μm đến 4,0μm cho dây hoặc băng liên kết.Một hàng rào Pt tùy chọn ở phía sau hỗ trợ bạc-epoxy và AuSn chết gắn.
• Tùy chọn giá trị cắt:Năng lượng có thể được cắt bằng laser trong quá trình xử lý wafer để thắt chặt phân phối; độ khoan dung ± 5% (J) có sẵn cùng với tiêu chuẩn ± 10% (K),và các giá trị không chuẩn trong một cửa sổ 10pF-1000pF có thể được đặt hàng trên cùng một 0Nền tảng.50mm.
• Địa hình tùy chỉnh:tiêu chuẩn hình vuông, cộng với tỷ lệ góc hình chữ nhật lên đến 4:1 và điện cực biên tùy chọn để lắp ráp epoxy dẫn điện.

Thông số kỹ thuật điện (T = 25°C trừ khi có ghi chú)

Các ứng dụng điển hình

• Các mạch bể VCO và bộ lọc vòng lặp PLL đòi hỏi dung lượng ổn định, độc lập với sự thiên vị
• Mạng kết hợp RF và vi sóng chính xác và các khối DC
• Phù hợp đầu vào LNA và bỏ qua mất mát thấp khi ổn định điều chỉnh quan trọng
• Các giai đoạn lấy mẫu và giữ và tích hợp có lợi từ sự hấp thụ dielektrik thấp
• Các bộ chip đa giá trị trong một dấu chân đồng nhất cho lắp ráp lai tự động