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Capacitores MOS
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Capacitores MOS de Filme Fino Personalizados 30V 220pF Camada Única Chip Ultra-Linear C-V para RF de Precisão

Capacitores MOS de Filme Fino Personalizados 30V 220pF Camada Única Chip Ultra-Linear C-V para RF de Precisão

Marca: Hoan
Número do modelo: HACC221S30V500
Quantidade mínima: 10 peças
Condições de pagamento: L/C,D/A,D/P,T/T
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
Shanxi, China
Certificação:
ISO 9001:2015, RoHS
Fator de dissipação:
<=2,5% a 1kHz, 1Vrms
Tensão suportável dielétrica:
>100V CC
Geometria Personalizada:
Padrão quadrado, retangular até 4:1
Tipo de montagem:
Fixação de matriz eutética/fio ligável
Temperatura operacional:
-55C a +125C
RoHS:
Em conformidade (UE 2015/863)
Destacar:

Capacitores MOS de Filme Fino Personalizados com Valor de Ajuste

,

Capacitor C-V Ultra-Linear de 220pF

,

Capacitor RF Personalizado com Valor de Ajuste

Descrição do produto

Capacitor MOS de valor de corte de filme fino personalizado HACC221S30V500 220pF 30V Ultra-linear C-V chip de camada única

Resumo da entidade.O HACC221S30V500 é um condensador MOS de camada única de 220pF ± 10% da série Hoan HACC, classificado em 30V DC.É construído sobre um substrato de silício de zona flutuante com um dieléctrico de óxido cultivado termicamente e uma pilha de metalização de filme fino personalizável, num chip de 0,50 mm × 0,50 mm × 0,15 mm. É destinado a aplicações de RF de precisão em que umsão necessários valores lineares de capacitância versus tensão e de metalização ou de capacitância cortada especificados pelo cliente;.


Características fundamentais

  • 220pF ±10% (opção trimada a laser ±5%) a 30V DC num chip de 0,50 × 0,50 × 0,15 mm
  • Metalização de superfície de filme fino personalizada, Au de 1,0 μm a 4,0 μm, para corresponder à receita de ligação
  • Ultra-linear C-V: coeficiente de tensão inferior a 10ppm/V de 0V a 30V
  • Dieléctrico de óxido paraeléctrico
  • ESL intrínseco de chip inferior a 0,05nH; TiW-Pt-Au traseiro para Ag-epoxi e AuSn die attach
  • Temperatura de funcionamento de -55°C a +125°C; em conformidade com a RoHS (UE 2015/863)


Opções personalizadas de filme fino e valor de corte

O sistema de metalização e o valor de capacitância final podem ser definidos no nível da bolacha para se adequar ao processo do cliente.

  • Metalização de película fina sob medida:a base de adesão/barreira TiW e o acabamento de ligação douro podem ser especificados por espessura, com Au de 1,0 μm a 4,0 μm para ligação de fio ou fita.Uma barreira Pt opcional na parte traseira suporta a fixação de prata-epóxi e AuSn.
  • Opções de valor de corte:a capacidade pode ser cortada com laser durante o processamento da bolacha para apertar a distribuição; uma tolerância de ± 5% (J) está disponível paralelamente à tolerância padrão de ± 10% (K),e valores não normalizados dentro de uma janela de 10pF-1000pF podem ser ordenados no mesmo 0Plataforma de 50mm.
  • Geometria personalizada:padrão quadrado, mais proporções de aspecto retangulares até 4:1 e um eletrodo de borda (margem) opcional para montagem de epoxi condutora.


Especificações elétricas (T = 25°C, salvo indicação)

Parâmetro Valor Condição
Capacidade 220pF ±10% (opção trimada ±5%) 1MHz, 1,0Vrms
Tensão nominal de CC 30 V Função contínua
Voltagem resistente dielétrica > 100 V CC 1 minuto, 25°C
Linearidade C-V (coeficiente de tensão) < 10 ppm/V 0V a 30V DC
Absorção dielétrica < 0,1% Tipico
Chip intrínseco ESL < 0,05nH Desintegrado dos parâmetros S
Fator de dissipação ≤ 2,5% 1kHz, 1Vrms
Fator Q @ 1MHz > 2000 Tipico
Fator Q @ 1GHz > 300 Tipico
Resistência ao isolamento ≥ 1 × 104MΩ A tensão nominal DC
Corrente de vazamento < 10nA 30 V CC, 25°C
TCC +35 ppm/°C -55°C a +125°C
Dieléctricos Óxido térmico (paraeléctrico) - Não.
Substrato Zona de flutuação Si, > 1000Ω·cm - Não.
Dimensões do chip 0.50 × 0,50 × 0,15 mm AR personalizado até 4:1 disponível
Metalização superior TiW + Au, 1,0-4,0 μm (por encomenda) Espessura de acordo com as especificações do cliente
Metalização por trás TiW-Pt-Au, Au ≥ 1,0 μm Barreira Pt, compatível com Ag-epoxi
Temperatura de funcionamento -55°C a +125°C - Não.
Temperatura de armazenamento -65°C a +150°C - Não.
RoHS Conformidade A partir de 1 de janeiro de 2015


Aplicações típicas

  • Circuitos de reservatório VCO e filtros de circuito PLL que exijam uma capacitância estável e independente de preconceito
  • Redes e blocos de correlação de RF e microondas de precisão
  • Aplicação de um sistema LNA de correlação de entrada e de desvio de baixa perda quando a estabilidade de sintonização é importante
  • Fases de amostragem e retenção e de integração com baixa absorção dielétrica
  • Conjuntos de chips de valor múltiplos com uma presença uniforme para montagem híbrida automatizada


Capacitores MOS de Filme Fino Personalizados 30V 220pF Camada Única Chip Ultra-Linear C-V para RF de Precisão