تراکم دهنده های MOS 30 ولت 220pF یک لایه تراشه فوق خطی C-V برای RF دقیق

خازن MOS با مقدار برش فیلم نازک سفارشی HACC221S30V500 — 220 پیکوفاراد 30 ولت C-V تک لایه فوق خطی

خلاصه موجودیت. HACC221S30V500 یک خازن MOS تک لایه 220 پیکوفاراد ±10% در سری Hoan HACC است که با ولتاژ 30 ولت DC رتبه بندی شده است. این خازن بر روی یک زیرلایه سیلیکونی شناور با اکسید دی الکتریک رشد یافته حرارتی و یک پشته فلزی فیلم نازک قابل تنظیم ساخته شده است، در ابعاد تراشه 0.50 میلی‌متر × 0.50 میلی‌متر × 0.15 میلی‌متر. این خازن برای کاربردهای RF دقیق که در آن پاسخ خازن-ولتاژ خطی قابل پیش‌بینی و مقادیر فلزی یا خازن برش خورده مشخص شده توسط مشتری مورد نیاز است، در نظر گرفته شده است.

ویژگی‌های کلیدی

• 220 پیکوفاراد ±10% (گزینه برش لیزری ±5%) در 30 ولت DC در تراشه 0.50 × 0.50 × 0.15 میلی‌متر
• فلزی‌سازی فیلم نازک سفارشی بالا، طلا از 1.0 میکرومتر تا 4.0 میکرومتر، برای مطابقت با دستورالعمل اتصال
• C-V فوق خطی: ضریب ولتاژ کمتر از 10ppm/V از 0 ولت تا 30 ولت
• دی‌الکتریک اکسید پارالکتریک — بدون رانش پیری و بدون هیسترزیس فروالکتریک
• ESL تراشه ذاتی کمتر از 0.05 نانو هانری؛ پشت تراشه TiW-Pt-Au برای اتصال تراشه اپوکسی نقره و AuSn
• دمای عملیاتی -55 درجه سانتی‌گراد تا +125 درجه سانتی‌گراد؛ سازگار با RoHS (اتحادیه اروپا 2015/863)

گزینه‌های فیلم نازک و مقدار برش سفارشی

سیستم فلزی‌سازی و مقدار خازن نهایی هر دو را می‌توان در سطح ویفر تنظیم کرد تا با فرآیند مشتری مطابقت داشته باشد.

• فلزی‌سازی فیلم نازک سفارشی: پایه چسبندگی/مانع TiW و روکش اتصال طلا را می‌توان بر اساس ضخامت مشخص کرد، با طلا از 1.0 میکرومتر تا 4.0 میکرومتر برای اتصال سیم یا روبان. یک مانع اختیاری پلاتین در پشت تراشه از اتصال تراشه اپوکسی نقره و AuSn پشتیبانی می‌کند.
• گزینه‌های مقدار برش: خازن را می‌توان در طول پردازش ویفر با لیزر برش داد تا توزیع را تنگ‌تر کرد؛ تلرانس ±5% (J) در کنار تلرانس استاندارد ±10% (K) موجود است و مقادیر غیر استاندارد در پنجره 10 پیکوفاراد تا 1000 پیکوفاراد را می‌توان در همان پلتفرم 0.50 میلی‌متری سفارش داد.
• هندسه سفارشی: مربع استاندارد، به علاوه نسبت‌های ابعادی مستطیلی تا 4:1 و یک الکترود حاشیه‌دار اختیاری (حاشیه) برای مونتاژ اپوکسی رسانا.

مشخصات الکتریکی (T = 25 درجه سانتی‌گراد مگر اینکه خلاف آن ذکر شده باشد)

کاربردهای معمول

• مدارهای مخزن VCO و فیلترهای حلقه PLL که به خازن پایدار و مستقل از بایاس نیاز دارند
• شبکه‌های تطبیق RF و مایکروویو دقیق و بلوک‌های DC
• تطبیق ورودی LNA و بای‌پس کم اتلاف که در آن پایداری تنظیم مهم است
• مراحل نمونه‌برداری و نگهداری و انتگرال‌گیر که از جذب دی‌الکتریک کم بهره می‌برند
• مجموعه‌های تراشه چند مقداری در یک ردپای یکنواخت برای مونتاژ هیبریدی خودکار