Προσαρμοσμένα στερεόπετρα MOS 30V 220pF μονόστρωμα chip Ultra-Linear C-V για ακτινοβολία ακτινοβολίας

Προσαρμοσμένη λεπτή ταινία αξία MOS Συμπιεστή HACC221S30V500 220pF 30V Ultra-Linear C-V μονοστρώματος τσιπ

Περίληψη της οντότητας.Ο HACC221S30V500 είναι ένας μονόστρωτος MOS πυκνωτής 220pF ± 10% στη σειρά Hoan HACC, με ονομαστική ισχύ 30V DC.Είναι κατασκευασμένο σε ένα υπόστρωμα πυριτίου ζώνης πλεύσης με θερμικά καλλιεργημένο διηλεκτρικό οξειδίου και προσαρμόσιμη στοίβα μεταλλικοποίησης λεπτών ταινιών, σε ένα τσιπ 0,50 mm × 0,50 mm × 0,15 mm.απαιτούνται γραμμική απόκριση χωρητικότητας έναντι τάσης και καθορισμένες από τον πελάτη τιμές μεταλλικοποίησης ή μειωμένης χωρητικότητας.

Βασικά χαρακτηριστικά

• 220pF ±10% (±5% επιλογή με laser-trimmed) σε 30V DC σε τσιπ 0,50 × 0,50 × 0,15 mm
• Προσαρμοσμένη μετάλλωση στην επιφάνεια λεπτής ταινίας, Au από 1,0 μm έως 4,0 μm, για να ταιριάζει με τη συνταγή σύνδεσης
• Υπερίγραφο C-V: συντελεστής τάσης κάτω των 10ppm/V από 0V έως 30V
• Παραηλεκτρικό διηλεκτρικό οξειδίου ∙ χωρίς γήρανση και χωρίς σιδηροηλεκτρική υστερέση
• Εσωτερικό chip ESL κάτω από 0,05nH· TiW-Pt-Au πίσω μέρος για Ag-εποξικό και AuSn die attach
• Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C έως +125°C· συμμόρφωση με το RoHS (ΕΕ 2015/863)

Προσαρμοσμένες επιλογές αξίας λεπτής ταινίας και διακόσμησης

Το σύστημα μεταλλίκευσης και η τελική τιμή χωρητικότητας μπορούν να ρυθμιστούν στο επίπεδο του πλακιδίου για να ταιριάζουν στη διαδικασία του πελάτη.

• Επεξεργασία με λεπτή ταινία:η βάση προσκόλλησης/αποστάσεως TiW και το φινίρισμα δέσμευσης χρυσού μπορούν να καθορίζονται με πάχος, με Au από 1,0 μm έως 4,0 μm για δέσμευση σύρματος ή κορδέλου.Ένα προαιρετικό φράγμα Pt στην πίσω πλευρά υποστηρίζει ασημένιο-εποξικό και AuSn die attach.
• Επιλογές αξίας τρύπησης:η χωρητικότητα μπορεί να μειωθεί με λέιζερ κατά τη διάρκεια της επεξεργασίας των πλακών για να αυξηθεί η κατανομή· διαθέσιμη ανοχή ± 5% (J) παράλληλα με την τυποποιημένη ανοχή ± 10% (K),και μη τυποποιημένες τιμές σε ένα παράθυρο 10pF-1000pF μπορούν να παραγγελθούν στο ίδιο 0Πλατφόρμα 50 χιλιοστών.
• Προσαρμοσμένη γεωμετρία:τετραγωνικό πρότυπο, συν ορθογώνια αναλογία όψεων έως 4:1 και προαιρετικό περιμετρικό ηλεκτρόδιο για αγωγό-εποξικό συναρμολόγιο.

Ηλεκτρικές προδιαγραφές (T = 25°C, εκτός εάν αναφέρεται)

Τυπικές εφαρμογές

• Συνοριακά δεξαμενών VCO και φίλτρα κυκλώματος PLL που απαιτούν σταθερή χωρητικότητα ανεξάρτητη από την προκατάληψη
• Δίκτυα αντιστοίχισης ραδιοκυμάτων και μικροκυμάτων ακριβείας και μπλοκ συνεχούς ρεύματος
• Αντιστοίχιση εισόδου LNA και παράκαμψη χαμηλής απώλειας όπου η σταθερότητα της ρύθμισης είναι σημαντική
• Τα στάδια δειγματοληψίας και συγκράτησης και τα στάδια ολοκλήρωσης που επωφελούνται από χαμηλή διηλεκτρική απορρόφηση
• Συγκροτήματα τσιπ πολλαπλών αξιών με ομοιόμορφο αποτύπωμα για αυτοματοποιημένη υβριδική συναρμολόγηση