Специальные тонкопленочные конденсаторы MOS 30V 220pF однослойный чип Ультралинейный C-V для точного радиочастотного излучения

Специальный тонкопленочный конденсатор MOS HACC221S30V500 220pF 30V Ультралинейный однослойный C-V чип

Резюме организации.HACC221S30V500 представляет собой однослойный конденсатор MOS 220pF ± 10% в серии Hoan HACC, имеющий номинальную напряженность 30 В постоянного тока.Он построен на плавучей зоне кремниевого субстрата с термически выращенным диэлектриком оксида и настраиваемой тонкопленочной металлизацииОн предназначен для высокоточных радиочастотных приложений, где предсказуемыйтребуется линейная реакция емкости на напряжение и металлизация или уменьшенные значения емкости, указанные заказчиком..

Ключевые особенности

• 220pF ±10% (±5% опция с лазерной резьбой) при 30В постоянном током в чипе 0,50 × 0,50 × 0,15 мм
• Металлизация тонкопленочной поверхности по заказу, Au от 1,0 мкм до 4,0 мкм, чтобы соответствовать рецепту связывания
• Ультралинейный C-V: коэффициент напряжения ниже 10ppm/V от 0V до 30V
• Параэлектрический диэлектрик оксида без дрейфа старения и без ферроэлектрического гистереза
• Внутренний чип ESL ниже 0,05nH; задняя сторона TiW-Pt-Au для Ag-epoxy и AuSn die attach
• Рабочая температура от -55°C до +125°C; соответствует требованиям RoHS (ЕС 2015/863)

Настраиваемые опции тонкой пленки и значения отделки

Система металлизации и конечное значение емкости могут быть установлены на уровне пластины, чтобы соответствовать процессу клиента.

• Металлизация тонкой пленкой по заказу:Прицепная/барьерная основание TiW и золотая отделка могут быть определены по толщине, с Au от 1,0μm до 4,0μm для привязки проволоки или ленты.Опциональный Пт-барьер на задней стороне поддерживает серебро-эпоксид и AuSn маркировки.
• Варианты стоимости подстрижки:В процессе обработки пластины емкость может быть подрезана лазером для более тесного распределения; допускается допустимое допустимое допустимое допустимое допустимое ± 5% (J) наряду со стандартным ± 10% (K),и нестандартные значения в окне 10pF-1000pF могут быть заказаны на том же 0Платформа калибра 50 мм.
• Специальная геометрия:квадратный стандарт, плюс прямоугольное соотношение сторон до 4: 1 и дополнительный граничный электрод для проводящей эпоксидной сборки.

Электрические характеристики (T = 25°C, если не указано)

Типичные применения

• Схемы резервуаров VCO и фильтры петли PLL, требующие стабильной, независимой от предвзятости емкости
• Точные сети сопоставления радиочастот и микроволн и блоки постоянного тока
• Сопоставление ввода LNA и обход с низкой потерей, когда важна стабильность настройки
• Стадии отбора проб и удержания и интеграторные стадии с низкой диэлектрической абсорбцией
• Комплекты чипов с несколькими функциями в едином объеме для автоматизированной гибридной сборки