ชิปชั้นเดียว Ultra-Linear C-V สําหรับ RF ความแม่นยํา

คอนเดสซิเตอร์ MOS ค่าตัดหนังบางแบบกําหนดเอง HACC221S30V500 220pF 30V ชิปชั้นเดียว C-V Ultra-Linear

สรุปองค์กรHACC221S30V500 เป็นเครื่องปรับ MOS แบบชั้นเดียว 220pF ± 10% ในซีรีส์ Hoan HACC ที่มีค่า 30V DCมันถูกสร้างขึ้นบนสับสราตซิลิคอนโซนพลอยด้วยดีเอเล็คทริกอ๊อกไซด์ที่เติบโตด้วยอุณหภูมิ และค้อนโลหะแผ่นบางที่สามารถปรับแต่งได้, ในชิป 0.50 มิลลิเมตร × 0.50 มิลลิเมตร × 0.15 มิลลิเมตรต้องการความตอบสนองต่อความแรงต่อความจุเชิงเส้นและค่าการผสมผสานโลหะหรือการตัดความจุที่กําหนดโดยลูกค้า.

ลักษณะสําคัญ

• 220pF ±10% (±5% เลเซอร์-trimmed ทางเลือก) ใน 30V DC ในชิป 0.50 × 0.50 × 0.15mm
• การทําโลหะบนผนังบางแบบกําหนดเอง Au จาก 1.0μm ถึง 4.0μm เพื่อตรงกับสูตรพันธนาการ
• Ultra-linear C-V: พันธมิตรความกระตุ้นต่ํากว่า 10ppm/V จาก 0V ถึง 30V
• อะไหล่ดีเอเล็คทริกของออกไซด์แบบปาราอิเล็กทริกส์ ไม่มีการเคลื่อนไหวของการแก่ตัวและไม่มีการไฮสเตรีซไฟฟ้า
• ชิปภายใน ESL ต่ํากว่า 0.05nH; TiW-Pt-Au ด้านหลังสําหรับ Ag-epoxy และ AuSn die attach
• อุณหภูมิการทํางาน -55°C ถึง +125°C; สอดคล้องกับ RoHS (EU 2015/863)

ตัวเลือกค่าหนังบางและการตัดแต่งตามสั่ง

ระบบโลหะและมูลค่าความจุสุดท้ายสามารถตั้งค่าได้ทั้งในระดับวอฟเฟอร์เพื่อให้เหมาะกับกระบวนการของลูกค้า

• โลหะผสมบางตามสั่ง:พื้นฐานการติดต่อ/อุปสรรค TiW และปลายการผูกทองสามารถถูกกําหนดตามความหนา โดย Au ระหว่าง 1.0μm และ 4.0μm สําหรับการผูกสายหรือเทปป้องกัน Pt optional บนด้านหลังสนับสนุน Epoxy เงินและ AuSn ติด.
• ตัวเลือกการตัดค่า:ความจุสามารถถูกตัดด้วยเลเซอร์ระหว่างการแปรรูปแผ่นเพื่อกระชับการกระจายกระจาย; ความละเอียด ± 5% (J) มีให้พร้อมกับมาตรฐาน ± 10% (K)และค่าที่ไม่มาตรฐานภายในหน้าต่าง 10pF-1000pF สามารถสั่งได้บน 0 เดียวระเบียง 50 มิลลิเมตร
• กณิตศาสตร์ที่กําหนดเองสี่เหลี่ยมมาตรฐาน บวกสัดส่วนด้านสี่เหลี่ยมสูงถึง 4:1 และอิเล็กทรอนด์ขอบ (ขอบ) เป็นตัวเลือกสําหรับการประกอบ epoxy conductive

รายละเอียดไฟฟ้า (T = 25°C เว้นแต่ระบุไว้)

การใช้งานทั่วไป

• เครื่องวงจรถัง VCO และเครื่องกรองวงจร PLL ที่ต้องการความจุที่มั่นคงและอิสระจากการเสี่ยง
• เครือข่าย RF และไมโครเวฟที่ตรงกันอย่างแม่นยํา และบล็อก DC
• การสอดคล้องการเข้า LNA และการเลื่อนความสูญเสียต่ํา เมื่อความมั่นคงในการปรับเสียงมีความสําคัญ
• ขั้นตอนการเก็บตัวอย่างและการบูรณาการที่มีประโยชน์จากการดูดซึมไฟฟ้าแบบดียิเลคทริกต่ํา
• ชิปชุดหลายค่าในพื้นที่เดียวกันสําหรับการประกอบแบบไฮบริดอัตโนมัติ