Détails des produits

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Condensateurs MOS
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Capacitors MOS à couche mince personnalisés 30V 220pF puce à couche unique ultra-linéaire C-V pour RF de précision

Capacitors MOS à couche mince personnalisés 30V 220pF puce à couche unique ultra-linéaire C-V pour RF de précision

Nom De La Marque: Hoan
Numéro De Modèle: HACC221S30V500
Quantité Minimale De Commande: 10 pièces
Conditions De Paiement: LC, D/A, D/P, T/T
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Shaanxi, Chine
Certification:
ISO 9001:2015, RoHS
Facteur de dissipation:
<=2,5 % à 1 kHz, 1 Vrms
Tension de tenue diélectrique:
>100 V CC
Géométrie personnalisée:
Carré standard, rectangulaire jusqu'à 4:1
Type de montage:
Fixation de matrice à liaison filaire/eutectique
Température de fonctionnement:
-55C à +125C
RoHS:
Conforme (UE 2015/863)
Mettre en évidence:

Condensateurs MOS à film mince à valeur de réglage personnalisée

,

Condensateur ultra-linéaire C-V 220pF

,

Condensateur RF à valeur de réglage personnalisée

Description de produit

Condensateur MOS à film mince personnalisable HACC221S30V500 — 220pF 30V C-V ultra-linéaire monocouche

Résumé de l'entité. Le HACC221S30V500 est un condensateur MOS monocouche de 220pF ±10% de la série Hoan HACC, nominal à 30V DC. Il est construit sur un substrat de silicium float-zone avec un diélectrique d'oxyde thermiquement cultivé et une pile de métallisation à film mince personnalisable, dans une puce de 0,50 mm × 0,50 mm × 0,15 mm. Il est destiné aux applications RF de précision où une réponse capacitance-tension prévisible et linéaire, ainsi que des valeurs de métallisation ou de capacitance ajustées spécifiées par le client, sont requises.


Caractéristiques principales

  • 220pF ±10% (±5% option ajustée au laser) à 30V DC dans une puce de 0,50 × 0,50 × 0,15 mm
  • Métallisation supérieure à film mince personnalisée, Au de 1,0 µm à 4,0 µm, pour correspondre à la recette de soudure
  • C-V ultra-linéaire : coefficient de tension inférieur à 10 ppm/V de 0V à 30V
  • Diélectrique d'oxyde paraélectrique — pas de dérive due au vieillissement ni d'hystérésis ferroélectrique
  • ESL de puce intrinsèque inférieure à 0,05 nH ; face arrière TiW-Pt-Au pour la fixation de puce par époxy argenté et AuSn
  • Température de fonctionnement -55°C à +125°C ; conforme RoHS (UE 2015/863)


Options de film mince et de valeur d'ajustement personnalisées

Le système de métallisation et la valeur de capacitance finale peuvent tous deux être définis au niveau du wafer pour s'adapter au processus client.

  • Métallisation à film mince personnalisée : la base d'adhérence/barrière TiW et la finition de soudure en or peuvent être spécifiées par épaisseur, avec Au de 1,0 µm à 4,0 µm pour la soudure par fil ou ruban. Une barrière Pt optionnelle à l'arrière prend en charge la fixation de puce par époxy argenté et AuSn.
  • Options de valeur d'ajustement : la capacitance peut être ajustée au laser pendant le traitement du wafer pour resserrer la distribution ; une tolérance de ±5% (J) est disponible en plus du ±10% (K) standard, et des valeurs non standard dans une fenêtre de 10pF-1000pF peuvent être commandées sur la même plateforme de 0,50 mm.
  • Géométrie personnalisée : standard carré, plus des rapports d'aspect rectangulaires jusqu'à 4:1 et une électrode bordée (marge) optionnelle pour l'assemblage par époxy conducteur.


Spécifications électriques (T = 25°C sauf indication contraire)

Paramètre Valeur Condition
Capacité 220pF ±10% (option ajustée ±5%) 1MHz, 1.0Vrms
Tension DC nominale 30V Fonctionnement continu
Tension de tenue diélectrique >100V DC 1 minute, 25°C
Linéarité C-V (Coefficient de tension) <10 ppm/V 0V à 30V DC
Absorption diélectrique <0.1% Typique
ESL de puce intrinsèque <0.05nH Dé-embedded des paramètres S
Facteur de dissipation ≤2.5% 1kHz, 1Vrms
Facteur Q @ 1MHz >2000 Typique
Facteur Q @ 1GHz >300 Typique
Résistance d'isolement ≥1×104 MΩ À tension DC nominale
Courant de fuite <10nA 30V DC, 25°C
TCC +35ppm/°C -55°C à +125°C
Diélectrique Oxyde thermique (paraelectrique) —
Substrat Si float-zone, >1000Ω·cm —
Dimensions de la puce 0.50 × 0.50 × 0.15mm AR personnalisé jusqu'à 4:1 disponible
Métallisation supérieure TiW + Au, 1.0-4.0µm (personnalisé) Épaisseur selon spécifications client
Métallisation arrière TiW-Pt-Au, Au ≥1.0µm Barrière Pt, compatible époxy argenté
Température de fonctionnement -55°C à +125°C —
Température de stockage -65°C à +150°C —
RoHS Conforme UE 2015/863


Applications typiques

  • Circuits de réservoir VCO et filtres de boucle PLL nécessitant une capacitance stable et indépendante de la polarisation
  • Réseaux d'adaptation RF et micro-ondes de précision et blocs DC
  • Adaptation d'entrée LNA et dérivation à faible perte où la stabilité de réglage est importante
  • Échelons d'échantillonnage et de maintien et intégrateurs bénéficiant d'une faible absorption diélectrique
  • Ensembles de puces multi-valeurs dans un format uniforme pour l'assemblage hybride automatisé


Capacitors MOS à couche mince personnalisés 30V 220pF puce à couche unique ultra-linéaire C-V pour RF de précision