HongAn Microwave Co., Ltd.
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| ブランド名: | Hoan |
| モデル番号: | HNM221S30V500 |
| MOQ: | 10個 |
| 支払い条件: | T/T、L/C、D/A、D/P |
概要: HNM221S30V500 は、フローティングゾーンシリコン上に熱酸化SiO&sub2;誘電体とオールゴールド（TiW-Au）電極システムで構築された、定格220 pF / 30 V DCのシングルレイヤーMOS（金属酸化膜半導体）チップコンデンサです。非磁性、温度安定性に優れ、0.05 nH未満の固有インダクタンスを提供するため、磁気干渉、ドリフト、ESLが重要な広帯域RFバイパスおよびデカップリング用途向けのシングルレイヤーMOSコンデンサオプションとなります。静電容量値、チップ形状、金属化はカスタマイズ可能です。
| パラメータ | 値 | テスト条件 |
| 静電容量 | 220 pF ±10% | 1 MHz、1.0 Vrms |
| 許容差オプション | ±10% (K)、 ±5% (J) | — |
| 定格DC電圧 | 30 V | 連続 |
| 絶縁破壊電圧 | >100 V DC | 1 分、25 °C |
| チップ固有ESL | <0.05 nH | Sパラメータからデエンベデッド |
| Qファクタ @ 1 MHz / 1 GHz | >2000 / >200 | 代表値 |
| ESR @ 1 GHz | <0.1 Ω | 代表値 |
| TCC | +35 ppm/°C | −55 °C～+125 °C |
| DCバイアス係数 | <10 ppm/V | 0 V～定格電圧 |
| 漏洩電流 | <10 nA | 30 V DC、25 °C |
| 誘電体/基板 | 熱酸化SiO&sub2; 300 nm / フローティングゾーンSi >1000 Ω·cm | — |
| 動作/保管 | −55～+125 °C / −65～+150 °C | — |
| RoHS | 準拠 | EU 2015/863 |
