Capacitadores MOS no magnéticos 220 pF 30V Chip de capa única para desacoplamiento de circunvalación RF de banda ancha

Capacitador MOS no magnético 220 pF 30V Chip de capa única para el bypass y desacoplamiento de banda ancha RF

Resumen:ElHNM221S30V500es un condensador de chip MOS (óxido metálico-semiconductor) de una sola capa con una potencia nominal de 220 pF / 30 V DC, construido en silicio de zona flotante con un dieléctrico térmico SiO&sub2; y un sistema de electrodos totalmente de oro (TiW-Au).No es ferromagnético, estable a temperatura y ofrece una inductancia intrínseca inferior a 0,05 nH, lo que lo convierte en una opción de condensador MOS de una sola capa para el bypass y desacoplamiento de RF de banda ancha donde la interferencia magnética, la deriva, lay materia de ESLEl valor de la capacitancia, la geometría del chip y la metalización son personalizables.

Especificaciones clave a simple vista

• Capacidad: 220 pF ±10% (opciones de tolerancia ±5%)
• Tensión nominal: 30 V CC, fuerza dieléctrica > 100 V CC
• Las emisiones de gases de efecto invernadero de las instalaciones de combustión interna de las instalaciones de combustión interna de las instalaciones de combustión interna de las instalaciones de combustión interna de las instalaciones de combustión interna de las instalaciones de combustión interna de las instalaciones de combustión interna de las instalaciones de combustión interna de las instalaciones de combustión interna de las instalaciones de combustión interna de las instalaciones de combustión interna.
• Coeficiente de temperatura: +35 ppm/°C, desde −55 °C hasta +125 °C
• Contenido magnético: nulo (sin níquel, hierro o cobalto; electrodos de oro únicamente)
• Humedad: MSL 1; ESD clase 0 (HBM)
• Tamaño del chip: 0,50 × 0,50 × 0,15 mm; alambre de unión / pieza eutéctica

Especificaciones eléctricas completas (T = 25 °C, a menos que se indique)

Aplicaciones típicas

• Resonancia magnética de recepción de electrónica de bobina y magnetómetro que requieren un componente no ferromagnético
• Desacoplamiento y desacoplamiento de alimentación de banda ancha en amplificadores, mezcladores y transceptores
• Bloqueo de CC e inyección de sesgo en redes de coincidencia
• Conversores de comunicación por satélite hacia arriba/hacia abajo, terminales delanteros de las estaciones base 5G
• Instrumentos de ensayo y medición y equipos de laboratorio de RF