مكثفات MOS غير مغناطيسية 220 pF 30V رقاقة طبقة واحدة للفصل اللاسلكي اللاسلكي اللاسلكي

مكثف MOS غير مغناطيسي 220 pF 30V رقاقة طبقة واحدة لتحايل RF النطاق العريض وتفكيكها

ملخص:الـHNM221S30V500هو مكثف رقاقة MOS (أكسيد المعدن-أو نصف الموصلات) من طبقة واحدة بمعدل 220 pF / 30 V DC ، مبني على السيليكون في المنطقة العائمة مع SiO&sub2 الحراري ؛ الديالكتروني ونظام الكهربائيات الذهبية بالكامل (TiW-Au).إنه غير مغناطيسي، مستقر في درجة الحرارة ، ويوفر الحثية الجوهرية أقل من 0.05 نهي ، مما يجعله خيار مكثف MOS من طبقة واحدة لتجاوز RF النطاق العريض والفصل حيث التداخل المغناطيسي ، والانجراف ،ومادة ESLقيمة السعة، هندسة الشريحة والمعادن قابلة للتخصيص.

المواصفات الرئيسية في لمحة

• سعة: 220 pF ± 10% (خيارات التسامح ± 5٪)
• الجهد الاسمي: 30 فولت DC، قوة كهربائية معطلة > 100 فولت DC
• ESL الشريحة الداخلية: <0.05 nH (مسار التيار الرأسي من طبقة واحدة)
• معامل الحرارة: +35 ppm/°C، من -55 °C إلى +125 °C
• المحتوى المغناطيسي: لا يوجد (لا يوجد النيكل أو الحديد أو الكوبالت؛ الأقطاب الكهربائية الذهبية فقط)
• الرطوبة: MSL 1 ، ESD class 0 (HBM) ، إدارة ESD الآمنة القياسية
• حجم الشريحة: 0.50 × 0.50 × 0.15 ملم ؛ سلك القيود / الوتيكتيك المقطوعة

المواصفات الكهربائية الكاملة (T = 25 درجة مئوية ما لم يذكر)

تطبيقات نموذجية

• التصوير بالرنين المغناطيسي يستقبل الكترونيات الملفوفة ومقاسات المغناطيس التي تحتاج إلى مكون غير مغناطيسي
• تعويضات الاتصالات اللاسلكية اللاسلكية الواسعة النطاق والانفصال عن التزويد في المكبرات والمخلطات والمركبات
• حجب التيار المباشر وإدخال التحيز في الشبكات المتطابقة
• محولات الاتصالات الفضائية للأعلى إلى أسفل، محطات قاعدة 5G
• معدات الاختبار والقياس ومعدات المختبرات اللاسلكية