HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| ব্র্যান্ডের নাম: | Hoan |
| মডেল নম্বর: | HNM221S30V500 |
| MOQ: | 10 টুকরা |
| পেমেন্ট শর্তাবলী: | T/T, L/C, D/A, D/P |
সারসংক্ষেপ: HNM221S30V500 একটি একক-স্তর এমওএস (ধাতু-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর) চিপ ক্যাপাসিটর যা ২২0 pF / ৩০ V DC রেটযুক্ত, ফ্লোট-জোন সিলিকনের উপর নির্মিত একটি থার্মাল SiO₂ ডাইইলেকট্রিক এবং একটি সম্পূর্ণ-সোনা (TiW-Au) ইলেকট্রোড সিস্টেম সহ। এটি নন-ফেরোম্যাগনেটিক, তাপমাত্রা-স্থিতিশীল এবং ০.০৫ nH এর নিচে ইন্ট্রিনসিক ইন্ডাকট্যান্স সরবরাহ করে, যা এটিকে ব্রডব্যান্ড আরএফ বাইপাসিং এবং ডিকাপলিংয়ের জন্য একটি একক-স্তর এমওএস ক্যাপাসিটর বিকল্প করে তোলে যেখানে চৌম্বকীয় হস্তক্ষেপ, ড্রিফট এবং ইএসএল গুরুত্বপূর্ণ। ক্যাপাসিট্যান্স মান, চিপ জ্যামিতি এবং মেটালাইজেশন কাস্টমাইজযোগ্য।
| প্যারামিটার | মান | পরীক্ষার শর্ত |
| ক্যাপাসিট্যান্স | ২২0 pF ±১০% | ১ MHz, ১.০ Vrms |
| টলারেন্স বিকল্প | ±১০% (K), ±৫% (J) | — |
| রেটেড ডিসি ভোল্টেজ | ৩০ V | ধারাবাহিক |
| ডাইইলেকট্রিক শক্তি | >১০০ V DC | ১ মিনিট, ২৫ °C |
| ইন্ট্রিনসিক চিপ ESL | <০.০৫ nH | এস-প্যারামিটার থেকে ডি-এমবেডেড |
| Q ফ্যাক্টর @ ১ MHz / ১ GHz | >২০০০ / >২০০ | সাধারণ |
| ESR @ ১ GHz | <০.১ Ω | সাধারণ |
| TCC | +৩৫ ppm/°C | −৫৫ °C থেকে +১২৫ °C |
| ডিসি বায়াস সহগ | <১০ ppm/V | ০ V থেকে রেটেড |
| লিকিং কারেন্ট | <১০ nA | ৩০ V DC, ২৫ °C |
| ডাইইলেকট্রিক / সাবস্ট্রেট | থার্মাল SiO₂ ৩০০ nm / ফ্লোট-জোন Si >১০০০ Ω·cm | — |
| অপারেটিং / স্টোরেজ | −৫৫ থেকে +১২৫ °C / −৬৫ থেকে +১৫০ °C | — |
| RoHS | সম্মত | EU ২০১৫/৮৬৩ |
