Các tụ điện MOS không từ tính 220 pF 30V Chip lớp đơn cho giải ly băng thông rộng RF

Máy nén MOS không từ tính 220 pF 30V Chip lớp đơn cho băng thông rộng RF Bypassing & Decoupling

Tóm lại:CácHNM221S30V500là một bộ tụ chip MOS (kim loại oxit bán dẫn) một lớp có giá trị 220 pF / 30 V DC, được xây dựng trên silicon khu vực nổi với SiO&sub2; nhiệt và hệ thống điện cực toàn vàng (TiW-Au).Nó không có sắt từ tính, ổn định nhiệt độ và cung cấp cảm ứng nội tại dưới 0,05 nH, làm cho nó trở thành một lựa chọn tụ MOS một lớp để bỏ qua và tách RF băng thông rộng khi nhiễu từ tính, trôi,và vấn đề ESLGiá trị điện dung, hình học chip và kim loại hóa có thể tùy chỉnh.

Các thông số kỹ thuật chính trong một cái nhìn

• Capacitance: 220 pF ±10% (các tùy chọn dung sai ±5%)
• Điện áp định số: 30 V DC, cường độ dielectric > 100 V DC
• ESL chip nội tại: <0,05 nH (con đường dòng thẳng đứng một lớp)
• Tỷ lệ nhiệt độ: +35 ppm/°C, -55 °C đến +125 °C
• Chất từ tính: không có (không có niken, sắt hoặc coban; chỉ có điện cực vàng)
• Độ ẩm: MSL 1; ESD lớp 0 (HBM)
• Kích thước chip: 0,50 × 0,50 × 0,15 mm; dây liên kết / gắn die eutectic

Thông số kỹ thuật điện đầy đủ (T = 25 °C trừ khi được ghi nhận)

Các ứng dụng điển hình

• MRI nhận cuộn điện tử và mặt trước của máy đo từ tính cần một thành phần phi sắt từ
• Bước bỏ RF băng thông rộng và tách nguồn trong các bộ khuếch đại, máy trộn và máy thu
• Đánh chặn DC và tiêm thiên vị trong các mạng phù hợp
• Máy chuyển đổi truyền thông vệ tinh lên / xuống, đầu cuối trạm gốc 5G
• Thiết bị thử nghiệm và đo lường và thiết bị phòng thí nghiệm RF