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광대역 RF 바이패스 디커플링용 비자성 MOS 커패시터 220 pF 30V 단층 칩

Name: 광대역 RF 바이패스 디커플링용 비자성 MOS 커패시터 220 pF 30V 단층 칩
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HNM221S30V500
Price: 협상 가능 USD
Availability: InStock

브랜드 이름:	Hoan
모델 번호:	HNM221S30V500
MOQ:	10개
지불 조건:	T/T,L/C,D/A,D/P

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

중국 산시성

인증:

ISO 9001:2015, RoHS

ESD 클래스:

클래스 0(HBM, JESD22-A114)

칩 크기:

0.50×0.50×0.15mm

작동 온도:

-55°C ~ +125°C

보관 온도:

+150' Ｃ에 대한 -65' Ｃ

RoHS 규제:

준수(EU 2015/863)

장착 유형:

와이어 본딩 가능/공융 다이 부착

맞춤화:

요청 시 정전 용량 값, 칩 형상, 금속화 및 패키징

강조하다:

비마그네틱 MOS 콘덴시터 220 pF

30V 단층 칩 콘덴시터

광대역 RF 우회 콘덴시터

제품 설명

비자성 MOS 커패시터 220 pF 30V 단일층 칩, 광대역 RF 바이패스 및 디커플링용

요약: HNM221S30V500은 플로트 존 실리콘 기반에 열 산화 실리콘(SiO₂ ) 유전체와 전체 금(TiW-Au) 전극 시스템으로 제작된 단일층 MOS(금속-산화물-반도체) 칩 커패시터로, 220 pF / 30 V DC 정격입니다. 비자성, 온도 안정성이 뛰어나며 0.05 nH 미만의 고유 인덕턴스를 제공하여 자기 간섭, 드리프트 및 ESL이 중요한 광대역 RF 바이패스 및 디커플링을 위한 단일층 MOS 커패시터 옵션입니다. 커패시턴스 값, 칩 형상 및 금속화는 맞춤 설정 가능합니다.

주요 사양 요약

정전 용량: 220 pF ±10% (허용 오차 옵션 ±5%)
정격 전압: 30 V DC, 절연 강도 >100 V DC
고유 칩 ESL: <0.05 nH (단일층 수직 전류 경로)
온도 계수: +35 ppm/°C, -55 °C ~ +125 °C
자기 함량: 없음 (니켈, 철 또는 코발트 없음; 금 전극만 사용)
습도: MSL 1; ESD 등급 0 (HBM) — 표준 ESD 안전 취급
칩 크기: 0.50 × 0.50 × 0.15 mm; 와이어 본딩 가능 / 공융 다이 어태치

전체 전기 사양 (T = 25 °C, 별도 명시되지 않은 경우)

매개변수	값	테스트 조건
정전 용량	220 pF ±10%	1 MHz, 1.0 Vrms
허용 오차 옵션	±10% (K), ±5% (J)	—
정격 DC 전압	30 V	연속
절연 강도	>100 V DC	1분, 25 °C
고유 칩 ESL	<0.05 nH	S-파라미터에서 디임베딩됨
Q 계수 @ 1 MHz / 1 GHz	>2000 / >200	일반
ESR @ 1 GHz	<0.1 Ω	일반
TCC	+35 ppm/°C	−55 °C ~ +125 °C
DC 바이어스 계수	<10 ppm/V	0 V ~ 정격
누설 전류	<10 nA	30 V DC, 25 °C
유전체 / 기판	열 산화 실리콘(SiO₂) 300 nm / 플로트 존 Si >1000 Ω·cm	—
작동 / 보관	−55 ~ +125 °C / −65 ~ +150 °C	—
RoHS	준수	EU 2015/863

일반적인 응용 분야

비자성 부품이 필요한 MRI 수신 코일 전자 장치 및 자력계 프런트 엔드
증폭기, 믹서 및 트랜시버의 광대역 RF 바이패스 및 전원 디커플링
매칭 네트워크의 DC 차단 및 바이어스 주입
위성 통신 업/다운 컨버터, 5G 기지국 프런트 엔드
테스트 및 측정 장비 및 RF 실험실 장비

광대역 RF 바이패스 디커플링용 비자성 MOS 커패시터 220 pF 30V 단층 칩

태그:

원추형 인덕터

광대역 인덕터

에어 코어 인덕터

공기 코일 인덕터

MOS 콘덴시터