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Nicht-magnetische MOS-Kondensatoren 220 pF 30V Einzelschicht-Chip für Breitband-HF-Bypass-Entkopplung

Name: Nicht-magnetische MOS-Kondensatoren 220 pF 30V Einzelschicht-Chip für Breitband-HF-Bypass-Entkopplung
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HNM221S30V500
Price: Verhandelbar USD
Availability: InStock

Markenname:	Hoan
Modellnummer:	HNM221S30V500
Mindestbestellmenge:	10 Stück
Zahlungsbedingungen:	T/T,L/C,D/A,D/P

Detailinformationen

Produkt-Beschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

Shaanxi, China

Zertifizierung:

ISO 9001:2015, RoHS

ESD-Klasse:

Klasse 0 (HBM, JESD22-A114)

Chipabmessungen:

0,50 × 0,50 × 0,15 mm

Betriebstemperatur:

-55°C bis +125°C

Lagertemperatur:

-65°C zu +150°C

RoHS:

Konform (EU 2015/863)

Montageart:

Drahtbondbare/eutektische Die-Befestigung

Anpassung:

Kapazitätswert, Chipgeometrie, Metallisierung und Verpackung auf Anfrage

Hervorheben:

Nichtmagnetischer MOS-Kondensator 220 pF

30 V Einlagenschipkondensator

Breitband-RF-Umgehungskondensator

Produkt-Beschreibung

Nichtmagnetischer MOS-Kondensator 220 pF 30V Einzelschichtchip für Breitband-RF-Bypassing und -Entkopplung

Zusammenfassung:DieHNM221S30V500ist ein einlagiger MOS-Chip-Kondensator (Metall-Oxid-Halbleiter) mit einer Leistung von 220 pF / 30 V DC, der auf Float-Zone-Silizium mit einem thermischen SiO&sub2;-Dielectric und einem rein-Gold- (TiW-Au) -Elektroden-System aufgebaut ist.Nicht ferromagnetisch, temperaturstabil und bietet eine intrinsische Induktivität unter 0,05 nH, was ihn zu einer einlagigen MOS-Kondensatoroption für Breitband-HF-Umgehung und -entkopplung macht, wo magnetische Interferenzen, Drift,und ESL-MaterieDie Kapazität, die Geometrie des Chips und die Metallisierung können angepasst werden.

Die wichtigsten Spezifikationen auf einen Blick

Kapazität: 220 pF ±10% (Toleranzmöglichkeiten ±5%)
Nennspannung: 30 V Gleichspannung, dielektrische Spannung > 100 V Gleichspannung
Innerer Chip ESL: < 0,05 nH (einlagiger vertikaler Stromverlauf)
Temperaturkoeffizient: +35 ppm/°C, von −55 °C bis +125 °C
Magnetische Stoffe: keine (nicht Nickel, Eisen oder Kobalt; ausschließlich mit Gold versehene Elektroden)
Feuchte: MSL 1; ESD-Klasse 0 (HBM)
Chipgröße: 0,50 × 0,50 × 0,15 mm; drahtgebundene / eutexische Verstärkung

Vollständige elektrische Spezifikationen (T = 25 °C, sofern nicht angegeben)

Parameter	Wert	Prüfungszustand
Kapazität	220 pF ± 10%	1 MHz, 1,0 Vrms
Toleranzmöglichkeiten	±10% (K), ±5% (J)	- Ich weiß.
Nennspannung Gleichstrom	30 V	Kontinuierlich
Dielektrische Festigkeit	> 100 V Gleichstrom	1 Minute, 25 °C
Intrinsischer Chip ESL	< 0,05 nH	Von S-Parametern entfernt
Q-Faktor @ 1 MHz / 1 GHz	>2000 / >200	Typisch
ESR @ 1 GHz	< 0,1 Ω	Typisch
TCC	+35 ppm/°C	-55 °C bis +125 °C
Gleichstromverzerrungskoeffizient	< 10 ppm/V	0 V bis Nennwert
Leckstrom	< 10 nA	30 V Gleichstrom bei 25 °C
Dielektrisch / Substrat	Wärme SiO&sub2; 300 nm/Float-Zone Si > 1000 Ω·cm	- Ich weiß.
Betrieb / Lagerung	-55 bis +125 °C / -65 bis +150 °C	- Ich weiß.
RoHS	Konformität	EU 2015/863

Typische Anwendungen

MRT-Empfangsspulen-Elektronik und Magnetometer-Frontends, die eine nicht-ferromagnetische Komponente benötigen
Breitband-HF-Bypass und Versorgungsentkopplung in Verstärkern, Mischern und Transceivern
Gleichstromblockierung und Bias-Injektion in passenden Netzen
Satellitenkommunikations-Up/Down-Wandler, 5G-Basisstationen
Prüf- und Messgeräte und HF-Laborausrüstung

Nicht-magnetische MOS-Kondensatoren 220 pF 30V Einzelschicht-Chip für Breitband-HF-Bypass-Entkopplung

Umbauten:

Konischer Induktor

Breitband-Induktoren

Luft-Kern-Induktor

Luftspulen-Induktor

MOS Kondensatoren