details van de producten

Huis Producten

Niet-magnetische MOS-condensatoren 220 pF 30V enkellaags chip voor breedband RF-bypassontkoppeling

Name: Niet-magnetische MOS-condensatoren 220 pF 30V enkellaags chip voor breedband RF-bypassontkoppeling
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HNM221S30V500
Price: Bespreekbaar USD
Availability: InStock

Merknaam:	Hoan
Modelnummer:	HNM221S30V500
MOQ:	10 stuks
Betalingsvoorwaarden:	T/T,L/C,D/A,D/P

Gedetailleerde informatie

Productomschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

Shaanxi, China

Certificering:

ISO 9001:2015, RoHS

ESD-klasse:

Klasse 0 (HBM, JESD22-A114)

Chipafmetingen:

0,50 × 0,50 × 0,15 mm

Bedrijfstemperatuur:

-55°C tot +125°C

Opslagtemperatuur:

-65°C aan +150°C

RoHS:

Conform (EU 2015/863)

Montagetype:

Met draad te verbinden/eutectische matrijsbevestiging

Maatwerk:

Capaciteitswaarde, spaangeometrie, metallisatie en verpakking op aanvraag

Markeren:

Niet-magnetische MOS-condensator 220 pF

30 V enkellagig chipcapacitor

Breedband RF bypassingcapacitor

Productomschrijving

Niet-magnetische MOS-capacitor 220 pF 30V enkellagige chip voor breedband RF-bypassing en -ontkoppeling

SamenvattingDeHNM221S30V500is een enkellagige MOS-chipcapacitor (metal-oxide-halfgeleider) met een nominale 220 pF / 30 V DC, gebouwd op float-zone silicium met een thermische SiO&sub2; dielektrische en een geheel goud (TiW-Au) elektrode systeem.Het is niet-ferromagnetisch, temperatuurstabiel en biedt intrinsieke inductance onder 0,05 nH, waardoor het een enkellagige MOS-capacitoroptie is voor breedband RF-bypassing en ontkoppeling waar magnetische interferentie, drift,en ESL-materiaalDe capaciteitswaarde, de chipgeometrie en de metallisatie zijn aanpasbaar.

Belangrijkste specificaties in een oogopslag

Capaciteit: 220 pF ±10% (tolerantiemogelijkheden ±5%)
Nominale spanning: 30 V gelijkstroom, dielectrische sterkte > 100 V gelijkstroom
Intrinsieke chip ESL: < 0,05 nH (verticale stroombaan met één laag)
Temperatuurcoëfficiënt: +35 ppm/°C, -55 °C tot +125 °C
Magnetische inhoud: geen (geen nikkel, ijzer of kobalt; enkel goud-elektroden)
Vochtgehalte: MSL 1; ESD-klasse 0 (HBM)
Chipgrootte: 0,50 × 0,50 × 0,15 mm; draadbindend / eutectic die attach

Volledige elektrische specificaties (T = 25 °C, tenzij vermeld)

Parameter	Waarde	Testconditie
Capaciteit	220 pF ±10%	1 MHz, 1,0 Vrms
Opties voor tolerantie	±10% (K), ±5% (J)	—
Nominale gelijkstroomspanning	30 V	Continu
Dielectrische sterkte	> 100 V gelijkstroom	1 minuut, 25 °C
Intrinsieke chip ESL	< 0,05 nH	De S-parameters zijn losgemaakt.
Q-factor @ 1 MHz / 1 GHz	> 2000 / > 200	Typisch
ESR @ 1 GHz	< 0,1 Ω	Typisch
TCC	+35 ppm/°C	-55 °C tot +125 °C
DC-biascoëfficiënt	< 10 ppm/V	0 V naar nominale
Leekstroom	< 10 nA	30 V gelijkstroom, 25 °C
Dielectricum/substraat	Thermische SiO&sub2; 300 nm / zwevende zone Si > 1000 Ω·cm	—
Bewerking / opslag	-55 tot +125 °C / -65 tot +150 °C	—
RoHS	Voldoende	EU 2015/863

Typische toepassingen

MRI ontvangs spoel elektronica en magnetometer front-ends die een niet-ferromagnetische component
Breedband RF-bypass en ontkoppeling van de voeding in versterkers, mixers en transceivers
DC-blokkering en bias-injectie in matchingnetwerken
Verwerkingsapparatuur voor het op- en afvoeren van satellietcommunicatie, 5G-basisstation front-ends
Test- en meetinstrumenten en RF-laboratoriumapparatuur

Niet-magnetische MOS-condensatoren 220 pF 30V enkellaags chip voor breedband RF-bypassontkoppeling

Markeringen:

Conische spoel

Breedbandspoelen

De Inductor van de luchtkern

Air Coil Inductor

MOS-condensatoren