गैर चुंबकीय एमओएस संधारित्र 220 पीएफ 30 वी एकल परत चिप ब्रॉडबैंड आरएफ बायपासिंग डिकॉप्लिंग के लिए

ब्रॉडबैंड आरएफ बायपासिंग और डिकोपलिंग के लिए गैर चुंबकीय एमओएस कंडेसिटर 220 पीएफ 30 वी सिंगल लेयर चिप

सारांश:दHNM221S30V500एक एकल-परत MOS (धातु-ऑक्साइड-अर्धचालक) चिप कैपेसिटर 220 पीएफ / 30 वी डीसी रेटेड, एक थर्मल SiO&sub2; डाईलेक्ट्रिक और एक पूरी तरह से सोने (TiW-Au) इलेक्ट्रोड प्रणाली के साथ फ्लोट-ज़ोन सिलिकॉन पर बनाया गया है।यह गैर-फेरोमैग्नेटिक है, तापमान-स्थिर है और 0.05 एनएच से कम अंतर्निहित प्रेरण क्षमता प्रदान करता है, जिससे यह ब्रॉडबैंड आरएफ बायपासिंग और डिकोलिंग के लिए एक एकल-परत एमओएस कैपेसिटर विकल्प है जहां चुंबकीय हस्तक्षेप, बहाव,और ईएसएल विषयक्षमता मूल्य, चिप ज्यामिति और धातुकरण अनुकूलन योग्य हैं।

एक नज़र में मुख्य विनिर्देश

• क्षमताः 220 पीएफ ±10% (सहिष्णुता विकल्प ±5%)
• नामित वोल्टेजः 30 वी डीसी, डायलेक्ट्रिक शक्ति > 100 वी डीसी
• आंतरिक चिप ESL: <0.05 nH (एक परत ऊर्ध्वाधर धारा पथ)
• तापमान गुणांकः +35 ppm/°C, -55 °C से +125 °C
• चुंबकीय सामग्री: कोई नहीं (निकल, लोहा या कोबाल्ट नहीं; केवल सोने के इलेक्ट्रोड)
• आर्द्रताः MSL 1; ESD वर्ग 0 (HBM)
• चिप का आकारः 0.50 × 0.50 × 0.15 मिमी; तार बंधन योग्य / यूटेक्टिक डाई संलग्न

पूर्ण विद्युत विनिर्देश (T = 25 °C जब तक कि उल्लेख न किया गया हो)

विशिष्ट अनुप्रयोग

• एमआरआई रिसीव कॉइल इलेक्ट्रॉनिक्स और मैग्नेटोमीटर फ्रंट-एंड को गैर-फेरोमैग्नेटिक घटक की आवश्यकता होती है
• ब्रॉडबैंड आरएफ बायपास और एम्पलीफायरों, मिक्सरों और ट्रांससीवरों में सप्लाई डिकोप्लिंग
• मेल खाने वाले नेटवर्क में सीसी ब्लॉक और बायस इंजेक्शन
• उपग्रह संचार ऊपर/नीचे कनवर्टर, 5जी बेस स्टेशन फ्रंट-एंड
• परीक्षण और माप उपकरण और आरएफ प्रयोगशाला उपकरण