ตัวเก็บประจุ MOS แบบไม่แม่เหล็ก 220 pF 30V ชิปชั้นเดียวสำหรับการบายพาส RF แบบบรอดแบนด์ การดีคัปปลิ้ง

ตัวเก็บประจุ MOS แบบไม่เป็นแม่เหล็ก 220 pF 30V แบบชั้นเดียวสำหรับบายพาสและดีคัปปลิ้ง RF แบนด์วิดท์

สรุป: HNM221S30V500 เป็นตัวเก็บประจุแบบชิป MOS (metal-oxide-semiconductor) ชั้นเดียวที่ให้ค่า 220 pF / 30 V DC สร้างขึ้นบนซิลิคอนแบบ float-zone พร้อมฉนวน SiO&sub2; ที่เกิดจากความร้อน และระบบขั้วไฟฟ้าทองคำทั้งหมด (TiW-Au) ไม่เป็นแม่เหล็ก มีเสถียรภาพต่ออุณหภูมิ และมีค่าความเหนี่ยวนำภายในต่ำกว่า 0.05 nH ทำให้เป็นตัวเลือกตัวเก็บประจุ MOS แบบชั้นเดียวสำหรับบายพาสและดีคัปปลิ้ง RF แบนด์วิดท์ที่ต้องการลดการรบกวนจากสนามแม่เหล็ก การเปลี่ยนแปลงค่า และ ESL ค่าความจุ รูปทรงชิป และการเคลือบโลหะสามารถปรับแต่งได้

ข้อมูลจำเพาะหลักโดยสรุป

• ความจุ: 220 pF ±10% (ตัวเลือกความคลาดเคลื่อน ±5%)
• แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 30 V DC, ความแข็งแรงของฉนวน >100 V DC
• ESL ของชิปภายใน: <0.05 nH (เส้นทางการไหลของกระแสแนวตั้งชั้นเดียว)
• สัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: +35 ppm/°C, −55 °C ถึง +125 °C
• ปริมาณแม่เหล็ก: ไม่มี (ไม่มีนิกเกิล เหล็ก หรือโคบอลต์; ขั้วไฟฟ้าทองคำเท่านั้น)
• ความชื้น: MSL 1; ESD class 0 (HBM) — การจัดการแบบ ESD-ปลอดภัยมาตรฐาน
• ขนาดชิป: 0.50 × 0.50 × 0.15 mm; สามารถเชื่อมต่อด้วยลวด / การยึดติดแบบ eutectic

ข้อมูลจำเพาะทางไฟฟ้าฉบับเต็ม (T = 25 °C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

การใช้งานทั่วไป

• อิเล็กทรอนิกส์คอยล์รับสัญญาณ MRI และส่วนหน้าของแมกนีโตมิเตอร์ที่ต้องการส่วนประกอบที่ไม่เป็นแม่เหล็ก
• การบายพาส RF แบนด์วิดท์และการดีคัปปลิ้งแหล่งจ่ายไฟในแอมพลิฟายเออร์ มิกเซอร์ และทรานซีฟเวอร์
• การบล็อก DC และการฉีดไบแอสในเครือข่ายการจับคู่
• ตัวแปลงขึ้น/ลงการสื่อสารผ่านดาวเทียม ส่วนหน้าของสถานีฐาน 5G
• เครื่องมือวัดและทดสอบ และอุปกรณ์ห้องปฏิบัติการ RF