خازن‌های MOS غیرمغناطیسی ۲۲۰ پیکوفاراد ۳۰ ولت تک لایه تراشه‌ای برای بای‌پس و جداسازی RF پهن‌باند

تراشه تک لایه ای غیر مغناطیسی MOS Capacitor 220 pF 30V برای دور زدن و جدا کردن RF پهن باند

خلاصه:درHNM221S30V500یک خازن تراشه ی تک لایه ای MOS (معدنی اکسید نیمه هادی) با قدرت 220 pF / 30 V DC است که بر روی سیلیکون منطقه شناور با یک دی الکتریک SiO&sub2 حرارتی و یک سیستم الکترود تمام طلا (TiW-Au) ساخته شده است.غیر آهن مغناطیسی است، دمای پایدار و ارائه می دهد استحکامی ذاتی کمتر از 0.05 nH، آن را به یک گزینه خازن MOS تک لایه برای دور زدن و جدا کردن RF پهن باند که در آن تداخل مغناطیسی، حرکت،و موضوع ESLارزش ظرفیت، هندسه تراشه و فلز سازی قابل تنظیم است.

مشخصات کلیدی در یک نگاه

• ظرفیت: 220 pF ± 10% (انتخابات تحمل ± 5٪)
• ولتاژ نامی: 30 V DC، قدرت دی الکتریک > 100 V DC
• ESL درونی تراشه: <0.05 nH (مسیر جریان عمودی تک لایه ای)
• ضریب دمایی: +35 ppm/°C، -55 °C تا +125 °C
• محتوای مغناطیسی: هیچ (بدون نیکل، آهن یا کوبالت؛ الکترودهای فقط طلا)
• رطوبت: MSL 1؛ کلاس ESD 0 (HBM)
• اندازه تراشه: 0.50 × 0.50 × 0.15 میلی متر؛ اتصال سیم قابل اتصال

مشخصات الکتریکی کامل (T = 25 °C مگر اینکه ذکر شده باشد)

کاربردهای معمول

• MRI دریافت الکترونیک کویل و مغناطیس سنج جلوی پایان نیاز به یک جزء غیر آهن مغناطیسی
• بایپاس رادیویی پهن باند و جداسازی منبع در تقویت کننده ها، مخلوط کننده ها و گیرنده ها
• مسدود کردن DC و تزریق انحراف در شبکه های تطبیقی
• کنورترهای بالا و پایین ارتباطات ماهواره ای، ایستگاه های پایه 5G
• تجهیزات آزمایش و اندازه گیری و تجهیزات آزمایشگاهی RF