Kondensator MOS Non-Magnetic 220 pF 30V Single Layer Chip untuk Broadband RF Bypassing Decoupling

Kapasitor MOS Non-Magnetik 220 pF 30V Lapisan Tunggal Chip untuk Bypassing & Decoupling RF Broadband

Ringkasan: HNM221S30V500 adalah kapasitor chip MOS (metal-oxide-semiconductor) lapisan tunggal dengan rating 220 pF / 30 V DC, dibangun di atas silikon float-zone dengan dielektrik SiO&sub2; termal dan sistem elektroda serba emas (TiW-Au). Kapasitor ini non-feromagnetik, stabil terhadap suhu, dan menawarkan induktansi intrinsik di bawah 0,05 nH, menjadikannya pilihan kapasitor MOS lapisan tunggal untuk bypassing dan decoupling RF broadband di mana interferensi magnetik, drift, dan ESL menjadi perhatian. Nilai kapasitansi, geometri chip, dan metalisasi dapat disesuaikan.

Spesifikasi Utama Sekilas

• Kapasitansi: 220 pF ±10% (opsi toleransi ±5%)
• Tegangan terukur: 30 V DC, kekuatan dielektrik >100 V DC
• ESL chip intrinsik: <0,05 nH (jalur arus vertikal lapisan tunggal)
• Koefisien suhu: +35 ppm/°C, −55 °C hingga +125 °C
• Kandungan magnetik: tidak ada (tidak ada nikel, besi, atau kobalt; elektroda hanya emas)
• Kelembaban: MSL 1; kelas ESD 0 (HBM) — penanganan standar aman ESD
• Ukuran chip: 0,50 × 0,50 × 0,15 mm; dapat diikat kawat / sambungan die eutektik

Spesifikasi Listrik Lengkap (T = 25 °C kecuali dicatat)

Aplikasi Khas

• Elektronik koil penerima MRI dan front-end magnetometer yang membutuhkan komponen non-feromagnetik
• Bypass RF broadband dan decoupling suplai pada amplifier, mixer, dan transceiver
• Pemblokiran DC dan injeksi bias pada jaringan pencocokan
• Konverter up/down komunikasi satelit, front-end stasiun pangkalan 5G
• Instrumentasi uji dan pengukuran serta peralatan laboratorium RF