Manyetik Olmayan MOS Kapasitörler 220 pF 30V Tek Katmanlı Çip Geniş Bant RF Baypas Decoupling için

Manyetik Olmayan MOS Kapasitör 220 pF 30V Tek Katmanlı Çip, Geniş Bant RF Baypas ve Ayrıştırma İçin

Özet: HNM221S30V500 , 220 pF / 30 V DC değerinde, float-zone silikon üzerine termal SiO2 dielektrik ve tamamen altın (TiW-Au) elektrot sistemi ile üretilmiş tek katmanlı bir MOS (metal-oksit-yarı iletken) çip kapasitördür. Manyetik olmayan, sıcaklığa dayanıklı ve 0.05 nH'nin altında öz indüktans sunar, bu da onu manyetik parazit, sapma ve ESL'nin önemli olduğu geniş bant RF baypas ve ayrıştırma için tek katmanlı bir MOS kapasitör seçeneği haline getirir. Kapasitans değeri, çip geometrisi ve metalizasyon özelleştirilebilir.

Bir Bakışta Anahtar Özellikler

• Kapasitans: 220 pF ±%10 (%5 tolerans seçenekleri)
• Anma gerilimi: 30 V DC, dielektrik dayanımı >100 V DC
• Öz çip ESL: <0.05 nH (tek katmanlı dikey akım yolu)
• Sıcaklık katsayısı: +35 ppm/°C, -55 °C ila +125 °C
• Manyetik içerik: yok (nikel, demir veya kobalt yok; sadece altın elektrotlar)
• Nem: MSL 1; ESD sınıfı 0 (HBM) — standart ESD korumalı kullanım
• Çip boyutu: 0.50 × 0.50 × 0.15 mm; tel lehimlenebilir / ötektik lehim bağlantısı

Tam Elektriksel Özellikler (T = 25 °C, aksi belirtilmedikçe)

Tipik Uygulamalar

• Manyetik olmayan bir bileşen gerektiren MRG alıcı bobini elektroniği ve manyetometre ön uçları
• Amplifikatörler, karıştırıcılar ve alıcı-vericilerde geniş bant RF baypas ve güç kaynağı ayrıştırması
• Eşleştirme ağlarında DC engelleme ve sapma enjeksiyonu
• Uydu iletişimi yukarı/aşağı dönüştürücüler, 5G baz istasyonu ön uçları
• Test ve ölçüm cihazları ve RF laboratuvar ekipmanları