Capacitors MOS non magnétiques 220 pF 30V puce à couche unique pour découplage de contournement RF à large bande

Condensateur MOS Non Magnétique 220 pF 30V Monocouche pour Découplage et Bypass RF Large Bande

Résumé: Le HNM221S30V500 est un condensateur MOS (métal-oxyde-semiconducteur) monocouche de 220 pF / 30 V DC, construit sur du silicium float-zone avec un diélectrique SiO&sub2; thermique et un système d'électrodes entièrement en or (TiW-Au). Il est non ferromagnétique, stable en température et offre une inductance intrinsèque inférieure à 0,05 nH, ce qui en fait une option de condensateur MOS monocouche pour le bypass et le découplage RF large bande où les interférences magnétiques, la dérive et l'ESL sont importantes. La valeur de capacitance, la géométrie de la puce et la métallisation sont personnalisables.

Spécifications clés en un coup d'œil

• Capacité : 220 pF ±10% (options de tolérance ±5%)
• Tension nominale : 30 V DC, rigidité diélectrique >100 V DC
• ESL intrinsèque de la puce : <0,05 nH (chemin de courant vertical monocouche)
• Coefficient de température : +35 ppm/°C, −55 °C à +125 °C
• Teneur magnétique : aucune (pas de nickel, de fer ou de cobalt ; électrodes en or uniquement)
• Humidité : MSL 1 ; classe ESD 0 (HBM) — manipulation standard antistatique
• Taille de la puce : 0,50 × 0,50 × 0,15 mm ; soudable par fil / montage de puce eutectique

Spécifications électriques complètes (T = 25 °C sauf indication contraire)

Applications typiques

• Électronique de bobine de réception IRM et frontaux de magnétomètres nécessitant un composant non ferromagnétique
• Découplage et bypass RF large bande dans les amplificateurs, mélangeurs et émetteurs-récepteurs
• Blocage DC et injection de polarisation dans les réseaux d'adaptation
• Convertisseurs montant/descendant de communication par satellite, frontaux de stations de base 5G
• Instrumentation de test et de mesure et équipement de laboratoire RF