Capacitori MOS non magnetici 220 pF 30V chip a singolo strato per decoppiamento di bypass RF a banda larga

Capacitore MOS non magnetico 220 pF 30V chip a singolo strato per bypass e decoppiamento RF a banda larga

Riassunto:IlHNM221S30V500è un condensatore a chip MOS (metallo-ossido-semiconduttore) a strato singolo con potenza nominale di 220 pF / 30 V DC, costruito su silicio a zona galleggiante con un dielettrico termico SiO&sub2; e un sistema di elettrodi completamente in oro (TiW-Au).Non è ferromagnetica, stabile a temperatura e offre un'induttanza intrinseca inferiore a 0,05 nH, rendendolo un'opzione di condensatore MOS a strato singolo per il bypass e il disaccoppiamento RF a banda larga in cui le interferenze magnetiche, la deriva,e materia ESLIl valore di capacità, la geometria del chip e la metallizzazione sono personalizzabili.

Specificità chiave in sintesi

• Capacità: 220 pF ±10% (opzioni di tolleranza ±5%)
• tensione nominale: 30 V di corrente continua, resistenza dielettrica > 100 V di corrente continua
• ESL del chip intrinseco: < 0,05 nH (via di corrente verticale a uno strato)
• Coefficiente di temperatura: +35 ppm/°C, da -55 °C a +125 °C
• Contenuto magnetico: nullo (senza nichel, ferro o cobalto; elettrodi costituiti esclusivamente da oro)
• Umidità: MSL 1; classe 0 ESD (HBM)
• Dimensioni del chip: 0,50 × 0,50 × 0,15 mm; attacco a striscia eutectico

Specifiche elettriche complete (T = 25 °C, salvo indicazione)

Applicazioni tipiche

• MRI ricevere elettronica bobina e magnetometro front-end che richiedono un componente non ferromagnetica
• Bypass RF a banda larga e disaggregazione dell'alimentazione in amplificatori, mixer e ricevitori
• Blocco della corrente continua e iniettazione di bias nelle reti di abbinamento
• Convertitori di comunicazione satellitare su/giù, front-end della stazione base 5G
• Strumentazione di prova e misura e apparecchiature di laboratorio RF