?

Немагнитный конденсатор MOS 220 pF 30V однослойный чип для обхода и декоплинга широкополосных радиочастот

Резюме:ВHNM221S30V500представляет собой однослойный MOS (металлооксид-полупроводник) чип-конденсатор с номинальной частотой 220 pF / 30 V DC, построенный на кремниевой зоне плавающей зоны с тепловым диэлектриком SiO&sub2; и полностью золотой (TiW-Au) электродной системой.Он неферромагнитный, стабильный при температуре и предлагающий внутреннюю индуктивность ниже 0,05 н.ч., что делает его однослойным конденсатором MOS для обхода и разъединения широкополосных радиочастотных сигналов, где магнитные помехи, дрейф,и ESL материиЗначение емкости, геометрия чипа и металлизация могут быть настроены.

Ключевые характеристики на первый взгляд

• Конденсация: 220 pF ±10% (варианты допуска ±5%)
• Номинальное напряжение: 30 В постоянного тока, диэлектрическая прочность > 100 В постоянного тока
• Внутренний чип ESL: < 0,05 nH (однослойный вертикальный путь тока)
• Температурный коэффициент: +35 ppm/°C, от −55 °C до +125 °C
• Магнитное содержание: нет (без никеля, железа или кобальта; электроды только из золота)
• Влажность: MSL 1; класс 0 ESD (HBM)
• Размер микросхемы: 0,50 × 0,50 × 0,15 мм; проволока подключаемая к проволоке / эутектическая установка

Полная электрическая спецификация (T = 25 °C, если не указано)

Типичные применения

• МРТ принимают электронные катушки и магнитометры, требующие неферромагнитного компонента
• Широкополосный радиочастотный обход и разъединение питания в усилителях, миксерах и приемопередатчиках
• Блокировка постоянного тока и инъекция смещения в сопоставляющих сетях
• Конверторы спутниковой связи вверх/вниз, фронт-энды базовой станции 5G
• Испытательное и измерительное оборудование и радиочастотное лабораторное оборудование