Μη μαγνητικοί πυκνωτές MOS 220 pF 30V μονής στρώσης τσιπ για ευρυζωνική παράκαμψη RF αποσύζευξης

Μη μαγνητικός πυκνωτής MOS 220 pF 30V Μονοστρωματικός Chip για Ευρυζωνική RF Παράκαμψη & Αποσύζευξη

Σύνοψη: Ο HNM221S30V500 είναι ένας μονοστρωματικός πυκνωτής MOS (metal-oxide-semiconductor) chip ονομαστικής τιμής 220 pF / 30 V DC, κατασκευασμένος σε πυρίτιο float-zone με διηλεκτρικό θερμικό SiO&sub2; και σύστημα ηλεκτροδίων από χρυσό (TiW-Au). Είναι μη-σιδηρομαγνητικός, σταθερός ως προς τη θερμοκρασία και προσφέρει εγγενή αυτεπαγωγή κάτω από 0.05 nH, καθιστώντας τον μια μονοστρωματική επιλογή πυκνωτή MOS για ευρυζωνική RF παράκαμψη και αποσύζευξη όπου η μαγνητική παρεμβολή, η μετατόπιση και η ESL έχουν σημασία. Η τιμή χωρητικότητας, η γεωμετρία του chip και η μεταλλοποίηση είναι προσαρμόσιμες.

Βασικές Προδιαγραφές με μια Ματιά

• Χωρητικότητα: 220 pF ±10% (επιλογές ανοχής ±5%)
• Ονομαστική τάση: 30 V DC, διηλεκτρική αντοχή >100 V DC
• Εγγενής ESL chip: <0.05 nH (μονοστρωματική κάθετη διαδρομή ρεύματος)
• Θερμοκρασιακός συντελεστής: +35 ppm/°C, −55 °C έως +125 °C
• Μαγνητικό περιεχόμενο: κανένα (χωρίς νικέλιο, σίδηρο ή κοβάλτιο· ηλεκτρόδια μόνο από χρυσό)
• Υγρασία: MSL 1· κλάση ESD 0 (HBM) — τυπικός χειρισμός ασφαλής για ESD
• Μέγεθος chip: 0.50 × 0.50 × 0.15 mm· συγκολλήσιμο με σύρμα / ευτηκτική προσάρτηση die

Πλήρεις Ηλεκτρικές Προδιαγραφές (T = 25 °C εκτός αν σημειώνεται)

Τυπικές Εφαρμογές

• Ηλεκτρονικά πηνίου λήψης MRI και μπροστινά στάδια μαγνητομέτρων που απαιτούν μη-σιδηρομαγνητικό εξάρτημα
• Ευρυζωνική RF παράκαμψη και αποσύζευξη τροφοδοσίας σε ενισχυτές, μίκτες και πομποδέκτες
• DC μπλοκάρισμα και έγχυση πόλωσης σε δίκτυα αντιστοίχισης
• Μετατροπείς ανόδου/καθόδου δορυφορικών επικοινωνιών, μπροστινά στάδια σταθμών βάσης 5G
• Όργανα δοκιμών και μετρήσεων και εξοπλισμός εργαστηρίου RF