szczegółowe informacje o produktach

Do domu Produkty

Niemagnetyczne kondensatory MOS 220 pF 30V jednowarstwowy chip do szerokopasmowego odłączania RF bypassing

Name: Niemagnetyczne kondensatory MOS 220 pF 30V jednowarstwowy chip do szerokopasmowego odłączania RF bypassing
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HNM221S30V500
Price: Zbywalny USD
Availability: InStock

Nazwa marki:	Hoan
Numer modelu:	HNM221S30V500
MOQ:	10 sztuk
Warunki płatności:	T/T, L/C, D/A, D/P

Informacje szczegółowe

Opis produktu

Informacje szczegółowe

Miejsce pochodzenia:

Shaanxi, Chiny

Orzecznictwo:

ISO 9001:2015, RoHS

Klasa ESD:

Klasa 0 (HBM, JESD22-A114)

Wymiary chipa:

0,50 × 0,50 × 0,15 mm

Temperatura pracy:

-55°C do +125°C

Temperatura przechowywania:

-65°C do +150°C

RoHS:

Zgodny (UE 2015/863)

Typ mocowania:

Mocowanie drutu / matrycy eutektycznej

Personalizacja:

Wartość pojemności, geometria chipa, metalizacja i opakowanie na zamówienie

Podkreślić:

Niemagnetyczny kondensator MOS 220 pF

Jednowarstwowy kondensator chipowy 30V

Kondensator odsprzęgający szerokopasmowy RF

Opis produktu

Niemagnetyczny kondensator MOS 220 pF 30V Jednowarstwowy chip do szerokopasmowego filtrowania i odsprzęgania RF

Podsumowanie: HNM221S30V500 to jednowarstwowy kondensator chipowy MOS (metal-oxide-semiconductor) o znamionowej pojemności 220 pF / 30 V DC, wykonany na krzemie typu float-zone z dielektrykiem termicznym SiO&sub2; i w pełni złotym (TiW-Au) systemem elektrod. Jest niemagnetyczny, stabilny temperaturowo i oferuje indukcyjność własną poniżej 0,05 nH, co czyni go jednowarstwowym kondensatorem MOS do szerokopasmowego filtrowania i odsprzęgania RF, gdzie zakłócenia magnetyczne, dryft i ESL mają znaczenie. Wartość pojemności, geometria chipa i metalizacja są konfigurowalne.

Kluczowe specyfikacje w skrócie

Pojemność: 220 pF ±10% (opcje tolerancji ±5%)
Napięcie znamionowe: 30 V DC, wytrzymałość dielektryczna >100 V DC
Indukcyjność własna chipa ESL: <0,05 nH (jednowarstwowa ścieżka prądu pionowego)
Współczynnik temperaturowy: +35 ppm/°C, −55 °C do +125 °C
Zawartość magnetyczna: brak (bez niklu, żelaza lub kobaltu; elektrody tylko ze złota)
Wilgotność: MSL 1; klasa ESD 0 (HBM) — standardowa obsługa bezpieczna dla ESD
Rozmiar chipa: 0,50 × 0,50 × 0,15 mm; możliwość połączenia drutem / eutektyczne mocowanie matrycy

Pełne specyfikacje elektryczne (T = 25 °C, chyba że zaznaczono inaczej)

Parametr	Wartość	Warunek testowy
Pojemność	220 pF ±10%	1 MHz, 1,0 Vrms
Opcje tolerancji	±10% (K), ±5% (J)	—
Znamionowe napięcie DC	30 V	Ciągłe
Wytrzymałość dielektryczna	>100 V DC	1 min, 25 °C
Indukcyjność własna chipa ESL	<0,05 nH	Wyodrębnione z parametrów S
Współczynnik Q @ 1 MHz / 1 GHz	>2000 / >200	Typowy
ESR @ 1 GHz	<0,1 Ω	Typowy
TCC	+35 ppm/°C	−55 °C do +125 °C
Współczynnik napięcia DC	<10 ppm/V	0 V do znamionowego
Prąd upływu	<10 nA	30 V DC, 25 °C
Dielektryk / podłoże	Termiczne SiO&sub2; 300 nm / krzem typu float-zone >1000 Ω·cm	—
Praca / przechowywanie	−55 do +125 °C / −65 do +150 °C	—
RoHS	Zgodny	EU 2015/863

Typowe zastosowania

Elektronika cewek odbiorczych MRI i przedwzmacniaczy magnetometrów wymagających komponentu niemagnetycznego
Szerokopasmowe filtrowanie RF i odsprzęganie zasilania we wzmacniaczach, mikserach i transceiverach
Blokowanie DC i wstrzykiwanie polaryzacji w sieciach dopasowania
Konwertery satelitarne w górę/w dół, przedwzmacniacze stacji bazowych 5G
Przyrządy pomiarowe i sprzęt laboratoryjny RF

Niemagnetyczne kondensatory MOS 220 pF 30V jednowarstwowy chip do szerokopasmowego odłączania RF bypassing

Znaków:

Wytrzymałe kondensatory MOS o wysokim napięciu przebicia, miniaturowe, o niskim prądzie upływu, 50V, z możliwością połączenia drutowego SLC

Najlepszą cenę

Induktor stożkowy

Induktory szerokopasmowe

Cewka powietrzna

cewka powietrzna

Kondensatory MOS