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Capacitores MOS Não Magnéticos 220 pF 30V Camada Única Chip para Derivação RF de Banda Larga Desacoplamento

Name: Capacitores MOS Não Magnéticos 220 pF 30V Camada Única Chip para Derivação RF de Banda Larga Desacoplamento
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HNM221S30V500
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	Hoan
Número do modelo:	HNM221S30V500
Quantidade mínima:	10 peças
Condições de pagamento:	T/T,L/C,D/A,D/P

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

Shanxi, China

Certificação:

ISO 9001:2015, RoHS

Classe ESD:

Classe 0 (HBM, JESD22-A114)

Dimensões do chip:

0,50 × 0,50 × 0,15 mm

Temperatura operacional:

-55°C a +125°C

Temperatura de armazenamento:

-65°C a +150°C

RoHS:

Em conformidade (UE 2015/863)

Tipo de montagem:

Fixação de matriz eutética/fio ligável

Personalização:

Valor de capacitância, geometria do chip, metalização e embalagem sob consulta

Destacar:

Capacitor MOS não magnético 220 pF

Capacitor de chip de camada única de 30 V

Capacitor de desvio de banda larga RF

Descrição do produto

Capacitor MOS Não Magnético 220 pF 30V Camada Única Chip para Derivação e Desacoplamento RF de Banda Larga

Resumo: O HNM221S30V500 é um capacitor chip MOS (metal-óxido-semicondutor) de camada única com classificação de 220 pF / 30 V DC, construído em silício float-zone com um dielétrico de SiO&sub2; térmico e um sistema de eletrodos totalmente em ouro (TiW-Au). É não ferromagnético, estável à temperatura e oferece indutância intrínseca abaixo de 0,05 nH, tornando-o uma opção de capacitor MOS de camada única para derivação e desacoplamento RF de banda larga onde interferência magnética, desvio e ESL são importantes. O valor da capacitância, a geometria do chip e a metalização são personalizáveis.

Especificações Chave em Resumo

Capacitância: 220 pF ±10% (opções de tolerância ±5%)
Tensão nominal: 30 V DC, rigidez dielétrica >100 V DC
ESL intrínseca do chip: <0,05 nH (caminho de corrente vertical de camada única)
Coeficiente de temperatura: +35 ppm/°C, −55 °C a +125 °C
Conteúdo magnético: nenhum (sem níquel, ferro ou cobalto; eletrodos apenas de ouro)
Umidade: MSL 1; classe ESD 0 (HBM) — manuseio padrão seguro para ESD
Tamanho do chip: 0,50 × 0,50 × 0,15 mm; soldável por fio / fixação eutética de die

Especificações Elétricas Completas (T = 25 °C, a menos que observado)

Parâmetro	Valor	Condição de Teste
Capacitância	220 pF ±10%	1 MHz, 1,0 Vrms
Opções de tolerância	±10% (K), ±5% (J)	—
Tensão DC nominal	30 V	Contínuo
Rigidez dielétrica	>100 V DC	1 min, 25 °C
ESL intrínseca do chip	<0,05 nH	Desembutida de parâmetros S
Fator Q @ 1 MHz / 1 GHz	>2000 / >200	Típico
ESR @ 1 GHz	<0,1 Ω	Típico
TCC	+35 ppm/°C	−55 °C a +125 °C
Coeficiente de polarização DC	<10 ppm/V	0 V a nominal
Corrente de fuga	<10 nA	30 V DC, 25 °C
Dielétrico / substrato	SiO&sub2; térmico 300 nm / Si float-zone >1000 Ω·cm	—
Operação / armazenamento	−55 a +125 °C / −65 a +150 °C	—
RoHS	Em conformidade	EU 2015/863

Aplicações Típicas

Eletrônica de bobina receptora de MRI e front-ends de magnetômetro que necessitam de um componente não ferromagnético
Derivação RF de banda larga e desacoplamento de alimentação em amplificadores, misturadores e transceptores
Bloqueio DC e injeção de polarização em redes de casamento
Conversores up/down de comunicação via satélite, front-ends de estação base 5G
Instrumentação de teste e medição e equipamentos de laboratório de RF

Capacitores MOS Não Magnéticos 220 pF 30V Camada Única Chip para Derivação RF de Banda Larga Desacoplamento

Etiquetas:

Indutor Cônico

Indutores de banda larga

Indutor do núcleo do ar

Indutor de bobina de ar

Capacitores MOS