HACC222S100V1200 高速放電 2200 pF MOS コンデンサ、パルス電源ドライバ用高パルス電流チップ

要約: Hoan HACC222S100V1200 は、2200 pF ±10%、100 V DC の単層 MOS コンデンサで、ワイヤボンディング可能なダイとして供給され、サイズは 1.20 × 1.20 × 0.20 mm です。高速放電用途向けに設計されており、ピークパルス電流は 40 A 以上 (10 μs、非反復)、放電スルーレートは 500 V/μs 以上、ESR は 1 MHz で 5 mOhm 未満、固有 ESL は 0.05 nH 未満です。電極は対称で無極性であり、Q 値は 10 GHz で 20 以上を維持するため、同じ部品をパルス経路と RF バイアスネットワークの両方に使用できます。静電容量、定格電圧、ダイ形状、金属化はカスタマイズ可能です。

この製品は何ですか？

これは単層 MOS コンデンサで、SLC (単層コンデンサ)、ワイヤボンディング可能なチップコンデンサ、または MOS パルスコンデンサとも呼ばれます。高抵抗率のフローティングゾーンシリコン (>1000 Ohm・cm) 上に 300 nm の熱酸化 SiO2 誘電体が形成され、両面に薄膜電極がスパッタリングされています。電流経路は、積層された内部電極を通るのではなく、0.20 mm の単層構造を垂直に流れるため、シリーズインダクタンスとシリーズ抵抗が低く抑えられ、これが高速エッジでの高ピーク放電電流を可能にする特性です。

カスタマイズマトリックス

品質、テスト、コンプライアンス

• ダイの 100% が静電容量、損失係数、漏れ電流、絶縁破壊電圧について生産テストされます。
• ワイヤボンディングプル強度は、25 μm 金ワイヤで通常 6 gf 以上で、MIL-STD-883 Method 2011.7 に準拠して検証されます。
• ESD 分類 クラス 0 (JESD22-A114 (HBM) 準拠); ESD 安全パッケージが全体に使用されます。
• RoHS 準拠 (EU 2011/65/EU および (EU) 2015/863)、REACH 準拠、要求に応じてハロゲンフリー (IEC 61249-2-21 準拠)。
• S パラメータファイル、パルス試験データは要求に応じて提供され、ロットトレーサビリティレポートおよび材料宣言は各生産ロットに付属します。
• 品質管理システムは ISO 9001:2015 認証を取得しています。

主な用途

• パルス電源ドライバおよびモジュレータエネルギー伝達ネットワーク
• レーザーダイオードおよび LED ドライバ高速放電経路
• GaN パワーアンプドレイン変調およびバイアスデカップリング
• 車載レーダー、産業用センサーおよび計測フロントエンド
• 高電圧 DC-DC コンバータスナバおよび出力フィルタリング
• ATE ピンエレクトロニクスパルス整形および高電圧デカップリング
• エネルギーハーベスティングストレージおよび放電回路