| Marchio: | Hoan |
| Numero di modello: | HACC222S100V1200 |
| MOQ: | 10 pezzi |
| Termini di pagamento: | T/T,L/C,D/P,D/A |
In breve:il Hoan HACC222S100V1200 è un condensatore MOS mono strato a 100 V DC da 2200 pF ± 10%, fornito come una matrice a filo legato di dimensioni 1,20 × 1,20 × 0,20 mm. È progettato per scarichi rapidi,con corrente di impulso di picco superiore a 40 A (10 μs), non ripetitivo), velocità di scarica superiore a 500 V/μs, ESR inferiore a 5 mOhm a 1 MHz e ESL intrinseca inferiore a 0,05 nH. Gli elettrodi sono simmetrici e non polari e Q rimane superiore a 20 a 10 GHz,Quindi la stessa parte può servire il percorso di impulso e la rete RF biasCapacità, tensione nominale, geometria della stella e metallizzazione sono personalizzabili.
Si tratta di un condensatore MOS a strato singolo, noto anche come condensatore SLC (condensatore a strato singolo), condensatore a chip a legame con il filo o condensatore a impulsi MOS.Un dielettrico di SiO2 coltivato termicamente a 300 nm si forma su silicio a zona galleggiante ad alta resistività (> 1000 Ohm·cm)Poiché il percorso di corrente attraversa verticalmente una struttura a uno strato di 0,20 mm invece che attraverso elettrodi interni impilati,Induttanza di serie e resistenza di serie restano bassi, che è la proprietà che consente una corrente di scarica di picco elevata con un bordo veloce.
| Parametro | Valore standard | Intervallo personalizzato |
| Capacità | 2200 pF ±10% | 100 pF a 10000 pF singolo strato |
| Voltaggio nominale | 100 V di corrente | 6.3 V a 500 V DC a singolo strato, fino a 1000 V impilati |
| Dimensione della matrice | 1.20 × 1,20 mm | 0.25 × 0,25 mm a 5,0 × 5,0 mm, rettangolare fino a 4:1 |
| Spessore della matrice | 0.20 mm | 0da 0,10 mm a 0,30 mm |
| Metalizzazione superiore | TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 μm Au | Fino a 5,0 μm Au per filo pesante, opzione Al |
| Metalizzazione posteriore | TiW-Pt-Au, 1,0 μm Au | Preforma AuSn 3-5 μm, AuGe, argento sinterizzato |
| Indicazione dell'impulso | 40 Un picco, 10 kHz | Corrente di picco più elevata con matrici ingrandite e sistemazione multi-legame |
| Tolleranza e corrispondenza | ± 10% | ± 5% o più stretti, set abbinati inferiori a ± 1% |
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