dettagli dei prodotti

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Condensatori MOS
Created with Pixso.

Marchio: Hoan
Numero di modello: HACC222S100V1200
MOQ: 10 pezzi
Termini di pagamento: T/T,L/C,D/P,D/A
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Shaanxi, Cina
Certificazione:
ISO 9001:2015, RoHS
Classe ESD:
Classe 0 (HBM) secondo JESD22-A114
Temperatura di conservazione:
-65°C a +150°C
Sensibilità di umidità:
MSL 1 secondo J-STD-020
Conformità:
RoHS EU 2011/65/EU e (EU) 2015/863, REACH, senza alogeni IEC 61249-2-21 su richiesta
Sistema di qualità:
ISO9001:2015
Copertura di prova:
Test su stampo al 100% per C, DF, perdite e DWV; dati di test ad impulso e tracciabilità del lotto s
Gamma di personalizzazione:
C 100-10.000 pF, 6,3-500 V CC (1.000 V impilati), filiera 0,25-5,0 mm
Evidenziare:

Fast Discharge Pulse Capacitor

,

High Pulse Current SLC Chip

,

Symmetrical Non-Polar MOS Capacitor

Descrizione di prodotto

HACC222S100V1200 condensatore MOS a scarica rapida 2200 pF, chip di corrente ad alto impulso per driver di potenza pulsata

In breve:il Hoan HACC222S100V1200 è un condensatore MOS mono strato a 100 V DC da 2200 pF ± 10%, fornito come una matrice a filo legato di dimensioni 1,20 × 1,20 × 0,20 mm. È progettato per scarichi rapidi,con corrente di impulso di picco superiore a 40 A (10 μs), non ripetitivo), velocità di scarica superiore a 500 V/μs, ESR inferiore a 5 mOhm a 1 MHz e ESL intrinseca inferiore a 0,05 nH. Gli elettrodi sono simmetrici e non polari e Q rimane superiore a 20 a 10 GHz,Quindi la stessa parte può servire il percorso di impulso e la rete RF biasCapacità, tensione nominale, geometria della stella e metallizzazione sono personalizzabili.


Che cos'è questo prodotto?

Si tratta di un condensatore MOS a strato singolo, noto anche come condensatore SLC (condensatore a strato singolo), condensatore a chip a legame con il filo o condensatore a impulsi MOS.Un dielettrico di SiO2 coltivato termicamente a 300 nm si forma su silicio a zona galleggiante ad alta resistività (> 1000 Ohm·cm)Poiché il percorso di corrente attraversa verticalmente una struttura a uno strato di 0,20 mm invece che attraverso elettrodi interni impilati,Induttanza di serie e resistenza di serie restano bassi, che è la proprietà che consente una corrente di scarica di picco elevata con un bordo veloce.


Matrice di personalizzazione

Parametro Valore standard Intervallo personalizzato
Capacità 2200 pF ±10% 100 pF a 10000 pF singolo strato
Voltaggio nominale 100 V di corrente 6.3 V a 500 V DC a singolo strato, fino a 1000 V impilati
Dimensione della matrice 1.20 × 1,20 mm 0.25 × 0,25 mm a 5,0 × 5,0 mm, rettangolare fino a 4:1
Spessore della matrice 0.20 mm 0da 0,10 mm a 0,30 mm
Metalizzazione superiore TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 μm Au Fino a 5,0 μm Au per filo pesante, opzione Al
Metalizzazione posteriore TiW-Pt-Au, 1,0 μm Au Preforma AuSn 3-5 μm, AuGe, argento sinterizzato
Indicazione dell'impulso 40 Un picco, 10 kHz Corrente di picco più elevata con matrici ingrandite e sistemazione multi-legame
Tolleranza e corrispondenza ± 10% ± 5% o più stretti, set abbinati inferiori a ± 1%


Qualità, sperimentazione e conformità

  • Il 100% delle matrici è stato testato per capacità, fattore di dissipazione, corrente di fuga e tensione dielettrica resistente.
  • La resistenza di trazione del legame del filo è tipicamente superiore a 6 gf per il filo d'oro da 25 μm, verificata secondo il metodo MIL-STD-883 2011.7.
  • Classificazione ESD Classe 0 per JESD22-A114 (HBM); viene utilizzato un imballaggio ESD-safe in tutto.
  • RoHS conforme a EU 2011/65/EU e (EU) 2015/863, conforme a REACH, privo di alogeni secondo IEC 61249-2-21 su richiesta.
  • I file dei parametri S, i dati dei test di impulso su richiesta, le relazioni sulla tracciabilità dei lotti e le dichiarazioni dei materiali sono forniti con ogni lotto di produzione.
  • Sistema di gestione della qualità certificato secondo ISO 9001:2015.


Applicazioni tipiche

  • Reti di trasferimento di energia a impulsi di potenza e modulatori
  • Percorsi di scarica rapida del diodo laser e del driver LED
  • Modulazione del drenaggio dell'amplificatore di potenza GaN e disaggregazione del bias
  • Radar, sensori e strumentazione industriali per autoveicoli
  • Convertitore DC-DC ad alta tensione e filtro di uscita
  • Modellazione dell'impulso dell'elettronica a pin ATE e disaggregazione dell'alta tensione
  • Circuiti di stoccaggio e scarico di energia