| Название бренда: | Hoan |
| Номер модели: | ХАКК222С100В1200 |
| минимальный заказ: | 10 шт. |
| Условия оплаты: | Т/Т,Л/К,Д/П,Д/А |
Коротко: Hoan HACC222S100V1200 — это однослойный MOS-конденсатор емкостью 2200 пФ ±10% и напряжением 100 В постоянного тока, поставляемый в виде кристалла для проволочного монтажа размером 1,20 × 1,20 × 0,20 мм. Он разработан для работы с быстрой разрядкой, с пиковым импульсным током более 40 А (10 мкс, неповторяющийся), скоростью нарастания разрядки более 500 В/мкс, ESR ниже 5 мОм при 1 МГц и собственной ESL ниже 0,05 нГн. Электроды симметричны и неполярны, а добротность остается выше 20 при 10 ГГц, поэтому одна и та же деталь может использоваться для импульсного тракта и цепи ВЧ-смещения. Емкость, номинальное напряжение, геометрия кристалла и металлизация настраиваются.
Это однослойный MOS-конденсатор, также известный как SLC (однослойный конденсатор), кристалл конденсатора для проволочного монтажа или импульсный MOS-конденсатор. Диэлектрик SiO2 толщиной 300 нм, термически выращенный на кремнии с высокой удельной проводимостью (более 1000 Ом·см), и тонкопленочные электроды напылены на обе стороны. Поскольку путь тока проходит вертикально через однослойную структуру толщиной 0,20 мм вместо сквозных внутренних электродов, индуктивность и сопротивление остаются низкими, что позволяет достигать высокого пикового разрядного тока с быстрой фронтом.
| Параметр | Стандартное значение | Пользовательский диапазон |
| Емкость | 2200 пФ ±10% | 100 пФ - 10000 пФ однослойный |
| Номинальное напряжение | 100 В постоянного тока | 6,3 В - 500 В постоянного тока однослойный, до 1000 В многослойный |
| Размер кристалла | 1,20 × 1,20 мм | 0,25 × 0,25 мм - 5,0 × 5,0 мм, прямоугольный до 4:1 |
| Толщина кристалла | 0,20 мм | 0,10 мм - 0,30 мм |
| Верхняя металлизация | TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 мкм Au | До 5,0 мкм Au для тяжелой проволоки, опция Al |
| Металлизация задней стороны | TiW-Pt-Au, 1,0 мкм Au | Предварительная форма AuSn 3-5 мкм, AuGe, спеченное серебро |
| Импульсный рейтинг | 40 А пик, пакет 10 кГц | Более высокий пиковый ток с увеличенным кристаллом и компоновкой с несколькими соединениями |
| Допуск и согласование | ±10% | ±5% или лучше, согласованные наборы ниже ±1% |
![]()