Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Конденсаторы MOS
Created with Pixso.

Название бренда: Hoan
Номер модели: ХАКК222С100В1200
минимальный заказ: 10 шт.
Условия оплаты: Т/Т,Л/К,Д/П,Д/А
Детальная информация
Место происхождения:
Шэньси, Китай
Сертификация:
ISO 9001:2015, RoHS
Класс ЭСР:
Класс 0 (HBM) согласно JESD22-A114
Температура хранения:
-65°C к +150°C
Чувствительность влаги:
1 MSL согласно J-STD-020
Согласие:
RoHS EU 2011/65/EU и (EU) 2015/863, REACH, безгалогеновый IEC 61249-2-21 по запросу
Качественная система:
ИСО 9001:2015
Тестовое покрытие:
100% испытание штампа на C, DF, утечку и DWV; Данные импульсного теста и отслеживание партии по запр
Диапазон настройки:
C 100–10 000 пФ, 6,3–500 В постоянного тока (1000 В в сборе), размер кристалла 0,25–5,0 мм
Выделить:

Fast Discharge Pulse Capacitor

,

High Pulse Current SLC Chip

,

Symmetrical Non-Polar MOS Capacitor

Характер продукции

HACC222S100V1200 Быстроразрядный MOS-конденсатор 2200 пФ, чип с высоким импульсным током для импульсных драйверов

Коротко: Hoan HACC222S100V1200 — это однослойный MOS-конденсатор емкостью 2200 пФ ±10% и напряжением 100 В постоянного тока, поставляемый в виде кристалла для проволочного монтажа размером 1,20 × 1,20 × 0,20 мм. Он разработан для работы с быстрой разрядкой, с пиковым импульсным током более 40 А (10 мкс, неповторяющийся), скоростью нарастания разрядки более 500 В/мкс, ESR ниже 5 мОм при 1 МГц и собственной ESL ниже 0,05 нГн. Электроды симметричны и неполярны, а добротность остается выше 20 при 10 ГГц, поэтому одна и та же деталь может использоваться для импульсного тракта и цепи ВЧ-смещения. Емкость, номинальное напряжение, геометрия кристалла и металлизация настраиваются.


Что это за продукт?

Это однослойный MOS-конденсатор, также известный как SLC (однослойный конденсатор), кристалл конденсатора для проволочного монтажа или импульсный MOS-конденсатор. Диэлектрик SiO2 толщиной 300 нм, термически выращенный на кремнии с высокой удельной проводимостью (более 1000 Ом·см), и тонкопленочные электроды напылены на обе стороны. Поскольку путь тока проходит вертикально через однослойную структуру толщиной 0,20 мм вместо сквозных внутренних электродов, индуктивность и сопротивление остаются низкими, что позволяет достигать высокого пикового разрядного тока с быстрой фронтом.


Матрица кастомизации

Параметр Стандартное значение Пользовательский диапазон
Емкость 2200 пФ ±10% 100 пФ - 10000 пФ однослойный
Номинальное напряжение 100 В постоянного тока 6,3 В - 500 В постоянного тока однослойный, до 1000 В многослойный
Размер кристалла 1,20 × 1,20 мм 0,25 × 0,25 мм - 5,0 × 5,0 мм, прямоугольный до 4:1
Толщина кристалла 0,20 мм 0,10 мм - 0,30 мм
Верхняя металлизация TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 мкм Au До 5,0 мкм Au для тяжелой проволоки, опция Al
Металлизация задней стороны TiW-Pt-Au, 1,0 мкм Au Предварительная форма AuSn 3-5 мкм, AuGe, спеченное серебро
Импульсный рейтинг 40 А пик, пакет 10 кГц Более высокий пиковый ток с увеличенным кристаллом и компоновкой с несколькими соединениями
Допуск и согласование ±10% ±5% или лучше, согласованные наборы ниже ±1%


Качество, тестирование и соответствие

  • 100% кристаллов проходят производственное тестирование на емкость, коэффициент рассеяния, ток утечки и напряжение пробоя диэлектрика.
  • Прочность на разрыв проволочного соединения обычно выше 6 гс для золотой проволоки 25 мкм, проверенная по MIL-STD-883 Метод 2011.7.
  • Классификация ESD Класс 0 по JESD22-A114 (HBM); используется ESD-безопасная упаковка.
  • Соответствие RoHS директивам ЕС 2011/65/EU и (EU) 2015/863, соответствие REACH, без галогенов по IEC 61249-2-21 по запросу.
  • Файлы S-параметров, данные импульсных испытаний по запросу, отчеты о прослеживаемости партий и декларации материалов поставляются с каждой производственной партией.
  • Система менеджмента качества сертифицирована по ISO 9001:2015.


Типичные области применения

  • Импульсные драйверы и сети передачи энергии модуляторов
  • Быстроразрядные пути драйверов лазерных диодов и светодиодов
  • Модуляция стока GaN усилителей мощности и развязка смещения
  • Передние части автомобильных радаров, промышленных датчиков и измерительных приборов
  • Снаберы и выходные фильтры высоковольтных DC-DC преобразователей
  • Формирование импульсов и высоковольтная развязка электроники выводов ATE
  • Схемы накопления и разрядки энергии при сборе энергии