In het kort: de Hoan HACC222S100V1200 is een 2200 pF ±10%, 100 V DC enkellaagse MOS-condensator geleverd als een draadlasbare chip met afmetingen van 1,20 × 1,20 × 0,20 mm. Hij is ontworpen voor snelle ontlading, met een piek puls stroom van meer dan 40 A (10 µs, niet-repeterend), een ontladingssnelheid van meer dan 500 V/µs, ESR onder 5 mOhm bij 1 MHz en intrinsieke ESL onder 0,05 nH. De elektroden zijn symmetrisch en niet-polair, en de Q blijft boven 20 bij 10 GHz, zodat hetzelfde onderdeel het puls pad en het RF-biasnetwerk kan bedienen. Capaciteit, spanningswaarde, chipgeometrie en metallisatie zijn aanpasbaar.
Dit is een enkellaagse MOS-condensator, ook wel SLC (single layer capacitor), draadlasbare chipcondensator of MOS-pulscondensator genoemd. Een thermisch gegroeide SiO2-diëlektricum van 300 nm is gevormd op hoog-resistief float-zone silicium (>1000 Ohm·cm), en dunne-film elektroden zijn aan beide zijden gesputterd. Omdat het stroompad verticaal door een 0,20 mm enkellaagse structuur loopt in plaats van door gestapelde interne elektroden, blijven de serielinductie en serieweerstand laag, wat de eigenschap is die een hoge piek ontladingsstroom met een snelle flank mogelijk maakt.
| Parameter | Standaardwaarde | Aanpasbaar bereik |
| Capaciteit | 2200 pF ±10% | 100 pF tot 10000 pF enkellaags |
| Nominale spanning | 100 V DC | 6,3 V tot 500 V DC enkellaags, tot 1000 V gestapeld |
| Chipafmeting | 1,20 × 1,20 mm | 0,25 × 0,25 mm tot 5,0 × 5,0 mm, rechthoekig tot 4:1 |
| Chipdikte | 0,20 mm | 0,10 mm tot 0,30 mm |
| Bovenste metallisatie | TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 µm Au | Tot 5,0 µm Au voor zware draad, Al optie |
| Achterkant metallisatie | TiW-Pt-Au, 1,0 µm Au | AuSn voorgevormd 3-5 µm, AuGe, gesinterd zilver |
| Pulsrating | 40 A piek, 10 kHz burst | Hogere piek stroom met vergrote chip en multi-bond lay-out |
| Tolerantie en matching | ±10% | ±5% of strakker, gematchte sets onder ±1% |
![]()