details van de producten

Created with Pixso. Huis Created with Pixso. Producten Created with Pixso.
MOS-condensatoren
Created with Pixso.

Merknaam: Hoan
Modelnummer: HACC222S100V1200
MOQ: 10 stuks
Betalingsvoorwaarden: T/T,L/C,D/P,D/A
Gedetailleerde informatie
Plaats van herkomst:
Shaanxi, China
Certificering:
ISO 9001:2015, RoHS
ESD-klasse:
Klasse 0 (HBM) volgens JESD22-A114
Opslagtemperatuur:
-65°C aan +150°C
Vochtigheidsgevoeligheid:
MSL 1 volgens J-STD-020
Naleving:
RoHS EU 2011/65/EU en (EU) 2015/863, REACH, halogeenvrij IEC 61249-2-21 op aanvraag
Kwaliteitssysteem:
ISO9001:2015
Testdekking:
100% matrijstest voor C, DF, lekkage en DWV; polstestgegevens en traceerbaarheid van partijen op aan
Aanpassingsbereik:
C 100-10.000 pF, 6,3-500 V DC (1000 V gestapeld), matrijs 0,25-5,0 mm
Markeren:

Fast Discharge Pulse Capacitor

,

High Pulse Current SLC Chip

,

Symmetrical Non-Polar MOS Capacitor

Productomschrijving

HACC222S100V1200 Snelle Ontlading 2200 pF MOS Condensator, Hoge Pulsstroom Chip voor Pulsed Power Drivers

In het kort: de Hoan HACC222S100V1200 is een 2200 pF ±10%, 100 V DC enkellaagse MOS-condensator geleverd als een draadlasbare chip met afmetingen van 1,20 × 1,20 × 0,20 mm. Hij is ontworpen voor snelle ontlading, met een piek puls stroom van meer dan 40 A (10 µs, niet-repeterend), een ontladingssnelheid van meer dan 500 V/µs, ESR onder 5 mOhm bij 1 MHz en intrinsieke ESL onder 0,05 nH. De elektroden zijn symmetrisch en niet-polair, en de Q blijft boven 20 bij 10 GHz, zodat hetzelfde onderdeel het puls pad en het RF-biasnetwerk kan bedienen. Capaciteit, spanningswaarde, chipgeometrie en metallisatie zijn aanpasbaar.


Wat is dit product?

Dit is een enkellaagse MOS-condensator, ook wel SLC (single layer capacitor), draadlasbare chipcondensator of MOS-pulscondensator genoemd. Een thermisch gegroeide SiO2-diëlektricum van 300 nm is gevormd op hoog-resistief float-zone silicium (>1000 Ohm·cm), en dunne-film elektroden zijn aan beide zijden gesputterd. Omdat het stroompad verticaal door een 0,20 mm enkellaagse structuur loopt in plaats van door gestapelde interne elektroden, blijven de serielinductie en serieweerstand laag, wat de eigenschap is die een hoge piek ontladingsstroom met een snelle flank mogelijk maakt.


Maatwerkmatrix

Parameter Standaardwaarde Aanpasbaar bereik
Capaciteit 2200 pF ±10% 100 pF tot 10000 pF enkellaags
Nominale spanning 100 V DC 6,3 V tot 500 V DC enkellaags, tot 1000 V gestapeld
Chipafmeting 1,20 × 1,20 mm 0,25 × 0,25 mm tot 5,0 × 5,0 mm, rechthoekig tot 4:1
Chipdikte 0,20 mm 0,10 mm tot 0,30 mm
Bovenste metallisatie TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 µm Au Tot 5,0 µm Au voor zware draad, Al optie
Achterkant metallisatie TiW-Pt-Au, 1,0 µm Au AuSn voorgevormd 3-5 µm, AuGe, gesinterd zilver
Pulsrating 40 A piek, 10 kHz burst Hogere piek stroom met vergrote chip en multi-bond lay-out
Tolerantie en matching ±10% ±5% of strakker, gematchte sets onder ±1%


Kwaliteit, testen en naleving

  • 100% van de chips worden geproduceerd getest op capaciteit, dissipatiefactor, lekstroom en diëlektrische weerstandsspanning.
  • Draadlassterkte typisch boven 6 gf voor 25 µm gouddraad, geverifieerd volgens MIL-STD-883 Methode 2011.7.
  • ESD-classificatie Klasse 0 volgens JESD22-A114 (HBM); ESD-veilige verpakking wordt gebruikt.
  • RoHS-conform aan EU 2011/65/EU en (EU) 2015/863, REACH-conform, halogeenvrij volgens IEC 61249-2-21 op aanvraag.
  • S-parameter bestanden, puls testgegevens op aanvraag, lot traceerbaarheidsrapporten en materiaaldeclaraties worden geleverd bij elke productielot.
  • Kwaliteitsmanagementsysteem gecertificeerd volgens ISO 9001:2015.


Typische toepassingen

  • Pulsed power driver en modulator energieoverdrachtsnetwerken
  • Laserdiode en LED driver snelle ontladingspaden
  • GaN power amplifier drain modulatie en bias ontkoppeling
  • Automotive radar, industriële sensor en instrumentatie front-ends
  • Hoogspanning DC-DC converter snubber en output filtering
  • ATE pin elektronica puls shaping en hoogspanning ontkoppeling
  • Energie oogst opslag en ontladingscircuits