λεπτομέρειες προϊόντων

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Προϊόντα Created with Pixso.
MOS Capacitors
Created with Pixso.

Επωνυμία: Hoan
Αριθμός μοντέλου: HACC222S100V1200
MOQ: 10 τεμάχια
Όροι πληρωμής: T/T,L/C,D/P,D/A
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Shaanxi, Κίνα
Πιστοποίηση:
ISO 9001:2015, RoHS
Κατηγορία ESD:
Κατηγορία 0 (HBM) ανά JESD22-A114
Θερμοκρασία αποθήκευσης:
-65°C σε +150°C
Ευαισθησία υγρασίας:
MSL 1 ανά J-STD-020
Συμμόρφωση:
RoHS EU 2011/65/EU και (EU) 2015/863, REACH, χωρίς αλογόνο IEC 61249-2-21 κατόπιν αιτήματος
Ποιοτικό σύστημα:
ISO 9001:2015
Κάλυψη δοκιμής:
100% δοκιμή καλουπιού για C, DF, διαρροή και DWV. δεδομένα δοκιμής παλμών και ιχνηλασιμότητα παρτίδα
Πεδίο προσαρμογής:
C 100-10000pF, 6,3-500V DC (1000V στοιβαγμένα), μήτρα 0,25-5,0mm
Επισημαίνω:

Fast Discharge Pulse Capacitor

,

High Pulse Current SLC Chip

,

Symmetrical Non-Polar MOS Capacitor

Περιγραφή προϊόντων

HACC222S100V1200 Πυκνωτής MOS Ταχείας Εκφόρτισης 2200 pF, Τσιπ Υψηλού Παλμικού Ρεύματος για Οδηγούς Παλμικής Ισχύος

Με λίγα λόγια: ο Hoan HACC222S100V1200 είναι ένας πυκνωτής MOS μονής στρώσης 2200 pF ±10%, 100 V DC, που παρέχεται ως τσιπ για συγκόλληση με σύρμα, διαστάσεων 1,20 × 1,20 × 0,20 mm. Έχει σχεδιαστεί για ταχεία εκφόρτιση, με μέγιστο παλμικό ρεύμα άνω των 40 A (10 μs, μη επαναλαμβανόμενο), ρυθμό ανύψωσης εκφόρτισης άνω των 500 V/μs, ESR κάτω των 5 mOhm στα 1 MHz και εγγενές ESL κάτω των 0,05 nH. Οι ηλεκτροδίοι είναι συμμετρικοί και μη πολικοί, και το Q παραμένει άνω των 20 στα 10 GHz, οπότε το ίδιο εξάρτημα μπορεί να εξυπηρετήσει τη διαδρομή παλμού και το δίκτυο πόλωσης RF. Η χωρητικότητα, η ονομαστική τάση, η γεωμετρία του τσιπ και η μεταλλουργία είναι προσαρμόσιμες.


Τι είναι αυτό το προϊόν;

Αυτός είναι ένας πυκνωτής MOS μονής στρώσης, γνωστός και ως SLC (single layer capacitor), πυκνωτής τσιπ για συγκόλληση με σύρμα ή πυκνωτής παλμού MOS. Ένα διηλεκτρικό SiO2 300 nm, θερμικά αναπτυγμένο, σχηματίζεται σε πυρίτιο ζώνης ελεύθερης ζώνης υψηλής αντίστασης (>1000 Ohm·cm) και λεπτού φιλμ ηλεκτροδίων εναποτίθενται με ψεκασμό και στις δύο όψεις. Επειδή η διαδρομή ρεύματος διατρέχει κάθετα μια δομή μονής στρώσης 0,20 mm αντί για στοιβασμένα εσωτερικά ηλεκτρόδια, η επαγωγική αντίσταση και η αντίσταση σειράς παραμένουν χαμηλές, κάτι που επιτρέπει υψηλό μέγιστο ρεύμα εκφόρτισης με γρήγορη ακμή.


Πίνακας προσαρμογής

Παράμετρος Τυπική τιμή Προσαρμόσιμο εύρος
Χωρητικότητα 2200 pF ±10% 100 pF έως 10000 pF μονής στρώσης
Ονομαστική τάση 100 V DC 6,3 V έως 500 V DC μονής στρώσης, έως 1000 V στοιβασμένης
Μέγεθος τσιπ 1,20 × 1,20 mm 0,25 × 0,25 mm έως 5,0 × 5,0 mm, ορθογώνιο έως 4:1
Πάχος τσιπ 0,20 mm 0,10 mm έως 0,30 mm
Μεταλλουργία κορυφής TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 μm Au Έως 5,0 μm Au για βαρύ σύρμα, επιλογή Al
Μεταλλουργία οπίσθιας όψης TiW-Pt-Au, 1,0 μm Au Προφόρμα AuSn 3-5 μm, AuGe, πυροσυσσωματωμένο ασήμι
Ονομαστική παλμική ισχύς 40 A μέγιστο, 10 kHz έκρηξη Υψηλότερο μέγιστο ρεύμα με διευρυμένο τσιπ και διάταξη πολλαπλών συνδέσεων
Ανοχή και αντιστοίχιση ±10% ±5% ή αυστηρότερη, σετ αντιστοίχισης κάτω από ±1%


Ποιότητα, δοκιμές και συμμόρφωση

  • 100% των τσιπ ελέγχονται παραγωγικά για χωρητικότητα, συντελεστή απωλειών, ρεύμα διαρροής και τάση αντοχής διηλεκτρικού.
  • Αντοχή έλξης συγκόλλησης με σύρμα τυπικά άνω των 6 gf για χρυσό σύρμα 25 μm, επαληθευμένη σύμφωνα με το MIL-STD-883 Μέθοδος 2011.7.
  • Κατηγορία ταξινόμησης ESD 0 σύμφωνα με το JESD22-A114 (HBM). χρησιμοποιείται συσκευασία ασφαλείας ESD σε όλη τη διαδικασία.
  • Συμμόρφωση RoHS σύμφωνα με την ΕΕ 2011/65/ΕΕ και (ΕΕ) 2015/863, συμμόρφωση REACH, χωρίς αλογόνα σύμφωνα με το IEC 61249-2-21 κατόπιν αιτήματος.
  • Αρχεία S-parameter, δεδομένα δοκιμών παλμού κατόπιν αιτήματος, αναφορές ιχνηλασιμότητας παρτίδας και δηλώσεις υλικών παρέχονται με κάθε παρτίδα παραγωγής.
  • Σύστημα διαχείρισης ποιότητας πιστοποιημένο κατά ISO 9001:2015.


Τυπικές εφαρμογές

  • Δίκτυα μεταφοράς ενέργειας οδηγών παλμικής ισχύος και διαμορφωτών
  • Διαδρομές ταχείας εκφόρτισης οδηγών λέιζερ και LED
  • Διαμόρφωση πόλωσης και αποσύζευξη πόλωσης ενισχυτών ισχύος GaN
  • Μπροστινά άκρα ραντάρ αυτοκινήτων, βιομηχανικών αισθητήρων και οργάνων
  • Αντισταθμιστές και φίλτρα εξόδου μετατροπέων DC-DC υψηλής τάσης
  • Διαμόρφωση παλμών και αποσύζευξη υψηλής τάσης ηλεκτρονικών ακροδεκτών ATE
  • Κυκλώματα αποθήκευσης και εκφόρτισης συγκομιδής ενέργειας